1) Le memorie sono dispositivi capaci di immagazzinare grandi quantità di dati. All’interno sono situate delle celle, dette celle di memoria, ad ogni cella di memoria corrisponde un bit.
Le locazioni sono gruppi di celle di memoria a cui si può accedere contemporaneamente.
2) E’ possibile accedere alle memorie in tre modi diversi:
- Accesso sequenziale: il dato interessato viene spostato alla locazione di accesso tramite una operazione di scorrimento.
- Accesso diretto: i dati delle locazioni sono posti direttamente sulle linee di uscita.
- Accesso a indirizzo implicito: è possibile accedere ad una sola locazione, i dati vengono scartati, finché non viene raggiunto il dato interessato.
3) Le memorie di sola lettura sono:
- ROM ( read only memory)
- PROM ( programmable ROM ) possono essere programmate una sola volta.
- EPROM ( erasable prommable ROM) possono essere cancellate tramite l’utilizzo di raggi ultravioletti ed essere riprogrammate.
- EEPROM (erasable electrically programmable ROM) possono essere cancellate tramite impulsi elettrici ed essere riprogrammate.
Le memorie di lettura/scrittura:
- RAM ( random access memory )
4) I parametri delle memorie integrate sono:
- La velocità di risposta: da essa dipende il numero di operazioni di lettura o di scritturache è possibile compiere nell’unità di tempo.
- La capacità: è il numero delle celle elementari realizzate all’interno del dispositivo integrato.
- L’organizzazione: è la struttura con cui sono aggregate le celle elementari in locazioni.
- La potenza dissipata: normalmente viene fornita la potenza dissipata per bit.
- Il tipo di alimentazione.
- Il numero di pin.
- Il costo per bit: esprime il costo unitario per ciascun bit di memoria ottenuto.
5) Il tempo di accesso è l’intervallo di tempo necessario per realizzare correttamente un ciclo di lettura.
Il tempo di scrittura è la somma della durata dell’impulso di scrittura e del tempo di ripristino del segnale di scrittura.
6) Le memorie RAM si dividono in SRAM e DRAM.
La versione statica, ovvero la SRAM, mantiene il dato inserito nella cella finché è presente l’alimentazione, se l’alimentazione viene tolta il dato viene perso.
La versione dinamica, ovvero la DRAM, fa uso di condensatori, se viene tolta l’alimentazione il dato non viene perso; ma, esso, con il tempo viene a deteriorarsi a causa delle correnti di perdita, per tale motivo è necessario ricorrere ad una operazione di ripristino chiamata refresh ( rinfresco).
7) Esistono due tipi di memoria a indirizzo implicito:
- FIFO ( first input first output): in tale dispositivo il dato che viene inserito, viene memorizzato sempre nella prima posizione con conseguente traslazione degli altri.
- LIFO ( last input first output): è una memoria poco utilizzata, è del tipo a pila in cui il dato letto è l’ultimo che è stato inserito.
8) Viene chiamato banco di memoria un gruppo di dispositivi connessi tra loro, con questo metodo è possibile realizzare una memoria la cui capacità è la somma delle capacità dei singoli componenti.