电子

栅极长度最小晶体管

2022年3月，清华大学集成电路学院任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得突破，首次制备出亚1纳米栅极长度的晶体管，其具有良好的电学性能。团队利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能，将其作为栅极，通过石墨烯侧向电场来控制垂直的二硫化钼（MoS2）沟道的开关，从而实现等效的物理栅长为0.34纳米。 这是世界上栅极长度最小晶体管 。 【源】╬22

最精细的光雕刻铌酸锂三维结构

2022年9月14日。南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队发表了一项光电芯片制造领域的最新研究成果。他们发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直写和擦除。这一新技术，突破了传统飞秒激光的光衍射极限，把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸，从传统的1微米量级，首次缩小到纳米级，达到30纳米，大大提高了加工精度。 【源】

首个可回收的高性能柔性电子器件

2022年1月4日，中国科学技术大学信息学院赵刚课题组提出了一种结合纳米纤维静电纺丝和液态金属模板印刷的新型柔性电子器件制备技术。相关研究成果日前发表于最新一期国际期刊《ACS 纳米》上。

该技术通过静电纺丝技术获得热塑性聚氨酯（TPU）纳米纤维膜作为柔性基底，然后利用模板印刷在基底膜上构造液态金属（LM）图案化电路。此外，可以通过逐层组装的策略来参数化制备柔性电路、电阻器、电容器、电感器及它们的复合器件。该方案制备的柔性电子器件具有优异的可拉伸性、透气性和稳定性，同时它们是多层和可重构的。

最薄的电子器件

2020年，中国科学家洪文晶团队，与英国柯林·兰伯特团队合作，在室温下制备出了世界上最薄的、厚度约为头发丝直径1/60000的单分子电子器件。 研究团队通过精确调控两片单层石墨烯电极间距，将单个平面有机分子连接在两片单层石墨烯电极之间，构筑了导电通道长度仅为单原子层厚度的超薄单分子电子器件，展示了纳米尺度电子输运的独特量子隧穿特性，也充分体现了分子电子器件在未来半导体器件小型化领域的重要潜力。【源】

首个半浮栅晶体管

2013年，复旦大学微电子学院张卫教授团队发明了世界上第一个半浮栅晶体管。场效应晶体管是目前集成电路中最基本的器件，结构简单适合进行高速运算，但是一断电就会丢失数据。而浮栅晶体管通过增加一个叫浮栅的中间层，适合对数据进行长时间保存，但是速度却要慢得多。多年来，全世界的科技和产业界都想结合这两种晶体管的长处、弥补它们的缺陷，却一直没有人能实现。复旦大学科研团队率先解决了这个难题，就是在原来浮栅晶体管的结构中嵌入一个可以控制电流的小晶体管，构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件，称为半浮栅晶体管。

首个在纸上直接生成电子电路的技术

2013年清华大学刘静团队首次研发出纸上直接生成电子电路的技术。【源】