RF Modeling

RF는 무선 주파수 (Radio Frequency)를 의미하며, 오늘날 RF가 의미하는 것은 100~300MHz 이상의 고주파 무선통신 및 고주파를 이용하는 장비 설계 및 연구 공학분야 일체를 의미한다. 현재, RF circuit과 RF system은 화합물 기반 혹은 실리콘 기반 반도체로 만들어지고 있다. 그렇기에, 소자의 RF 동작을 예상 할 수 있는, 정확하고 신뢰 가능한 RF model을 만드는 것은 점점 더 중요해 지고 있다. 정확한 RF modeling을 위해, NDSL 에서는 RF 소자 제작과 함께 소자에 맞는 RF modeling을 연구하고 있다.

Until recently, most RF circuits and systems have been implemented with either compound semiconductor or silicon transistors. Thus, the establishment of reliable compact RF models to describe the RF performances is getting more important. For a successful RF modeling near f_T and above, non-quasi-static (NQS) effects should be considered besides the quasi-static (QS) ones. In NDSL group, fabrication of RF device and RF modeling are researched.

More Accurate and Reliable Extraction of Tunneling Resistance in Tunneling FET and Verification in Small-Signal Circuit Operation

IEEE Transaction on Electron Devices, October 2013 ( In Man Kang et Al.)

Small-Signal Modeling of Gate-All-Around (GAA) Junctionless (JL) MOSFETs for Sub-millimeter Wave Applications

Journal of Semiconductor Technology and Science, June 2012 ( Jae Sung Lee et Al.)

Scalable Model of Substrate Resistance Components in RF MOSFETs With Bar-Type Body Contact Considered Layout Dimensions

IEEE Electron Device Letters, April 2009 (In Man Kang et Al.)