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게시일: Jun 14, 2019 11:45:23 AM
NDSL은 삼성전자, 하이닉스, 인텔 등에서 주로 연구 중인 차세대 반도체 소자 및 나노전자소자와 응용회로를 시뮬레이션과 제작을 통해 연구하고 있습니다. III-V 족 기반의 화합물 반도체 기반 3차원 소자 (삼성전자, 하이닉스, 인텔 등)와 군수용 초고주파 소자 (국방부, ADD 등) 연구도 병행하고 있습니다.
특히, 본 연구실은 삼성 전략과제 1기를 성공적으로 수행하였으며, 1T-DRAM에 대한 내용을 포함한 2기 과제 또한 재선정 되어 현재 활발하게 연구를 수행 중에 있습니다. 또한, 본 연구실에서는, 학부 연구생들도 대학원생들과 마찬가지로 연구 활동에 참여할 수 있도록 많은 기회와 지원을 제공하고 있습니다. 실제로 학부연구생들의 학회 구두발표, 학회 포스터 발표, 그리고 논문 출판 등의 여러 연구 실적이 진행되었습니다.
다음의 연구 분야에 관해 관심을 가지고 있는 학생들의 많은 관심과 지원 바랍니다.
[ NDSL 연구주제 ]
- 삼성전자 SK 하이닉스 등 주요 반도체 기업 중심의 연구
- Capacitorless 1T-DRAM 연구 및 개발 (삼성전자 연구 과제)
- CMOS Extension 및 Beyond Si CMOS
- 차세대 반도체 기반 저전력 터널링 FET
- GaN 화합물 기반 반도체 (미래부 연구 과제)
- Negative Capacitace FET 연구 및 개발
- 2D & 3D 소자 시뮬레이션 및 반도체 소자의 RF 모델링
[ 학부 연구생 지원항목 ]
- 연구실 내 대학원생과 동일한 자리/개인PC/시뮬레이션용 Work Station 제공
- SCI(E) 논문 게재료 및 교정 지원 및 국제 학회 참석 경비 전액 지원
- 연구실 자체 MT 참석 지원
[ 학부 연구생 지원 조건 및 자격 ]
- 반도체 소자 및 회로에 “관심”과 “열정”만 있으면 누구나 지원 가능.
- 성적은 무관하며, 연구에 많은 관심이 있는 학생
- 대학원생과 동일한 전일제 연구생 가능자 (단, 시험/수업 시간은 예외)
- 반드시 대학원 연구실의 한 구성원이라는 유대감이 있는 학생
[ 산학과제 ]
- III-V 화합물 반도체 기반 차세대 Tunneling FET의 최적화 설계 및 Memory 응용에 관한 연구 (지원 : 삼성전자 (산업체))
- 차세대 스마트카용 반도체 에피/소자/회로 기술연구 (지원 : 한국연구재단 (미래창조과학부))
[ 연락처 및 홈페이지 ]
- 연락처 : 053-950-5513 (교수 연구실), 053-940-8613 (대학원 연구실), 010-3692-5324 (교수 휴대전화)
- E-mail 주소 : imkang@ee.knu.ac.kr
- 연구실 위치 : IT-3호관 304호
- 홈페이지 : https://sites.google.com/site/knundsl304/
- 지원 희망 학생 및 관심 또는 문의사항이 있는 학생 은 위의 연락처나 메일로, 주저 말고 언제든지 연락바랍니다.
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