석사 졸업생 강혜수 SCIE 논문 [저널명 : Journal of Electrical Engineering and Technology (JEET)] 출판

게시일: Oct 11, 2016 6:56:50 AM

본 연구실의 석사 졸업생 강혜수의 SCIE 논문 [저널명 : Journal of Electrical Engineering and Technology (JEET)]이 출판되었습니다.

논문 제목

DC and RF Analysis of Geometrical Parameter Changes in the Current Aperture Vertical Electron Transistor (클릭 시, 논문 사이트로 이동)

Journal의 impact factor : 1.25