[Past]
[1]
* 과제명 : 저전력 SoC 응용을 위한 저전력 터널링 전계효과 트랜지스터의 개발 및 설계 최적화
* 연구기간 : 2011. 07. 01 ~ 2015. 06. 30 (48개월)
* 지원 : 삼성전자 (산업체)
[2]
* 과제명 : Sub-Millimeter파 응용을 위한 실리콘 나노와이어 MOSFET의 초고주파 모델 개발 및 설계 최적화
* 연구기간 : 2010. 09. 01 ~ 2013. 08. 31 (36개월)
* 지원 : 교육부
[3]
* 과제명 : 3차원 소자 시뮬레이션을 이용한 multi-gate MOSFET의 RF 모델 개발
* 연구기간 : 2010. 09. 01 ~ 2011. 08. 31 (12개월)
* 지원 : 경북대학교
[4]
* 과제명 : Nanowire MOSFET의 파라미터 추출 및 모델 검증
* 연구기간 : 2010. 03. 01 ~ 2011. 08. 31 (12개월)
* 지원 : 경북대학교
[5]
* 과제명 : 저전력/ 초고속/고주파 응용을 위한 GaN 기반의 3-5족 화합물 반도체 3차원 소자 제작과 응용회로 개발
* 연구기간 : 2013. 06. 01 ~ 2016. 05. 31 (36개월)
* 지원 : 한국연구재단 (교육부)
[6]
* 과제명 : GaN RF전력증폭 소자 공정 개발
* 연구기간 : 2015. 12. 24 ~ 2019. 10. 5 (45개월)
* 지원 : 국방과학연구소
[7]
* 과제명 : 차세대 스마트카용 반도체 에피/소자/회로 기술연구
* 연구기간 : 2016. 06. 01 ~ 2019. 05. 31 (36개월)
* 지원 : 한국연구재단 미래창조과학부
[8]
* 과제명 : 미래 전기자동차의 자율주행 고도화를 위한 3차원 FinFET 기반 고성능 질화갈륨 전자소자 기술연구
* 연구기간 : 2019. 06. 01 ~ 2020. 05. 31 (12개월)
* 지원 : 한국연구재단 과학기술정보통신부
[9]
* 과제명 : III-V 화합물 반도체 기반 차세대 Tunneling FET의 최적화 설계 및 Memory 응용에 관한 연구
* 연구기간 : 2015. 07. 01 ~ 2020. 06. 30 (60개월)
* 지원 : 삼성전자 (산업체)
[10]
* 과제명 : 차세대 SoC를 위한 폴리 실리콘 기반의 메모리/비메모리 반도체소자 기술개발
* 연구기간 : 2017. 07. 01 ~ 2021. 12. 31 (54개월)
* 지원 : 한국산업기술평가관리원 (산업통상자원부)