Capacitorless 1T-DRAM

* Source : (left : Processing costs comparison for conventional 1Transistor/1Capacitor (1T/1C) DRAM with single (1T) DRAM (Innovatie Silicon)),

(right : Comparision of a conventional 1Transistor/1Capacitor (1T/1C) DRAM cell with a single (1T) DRAM cell (Novel Capacitorless Single-Transistor DRAM Technologies, MehmetGunhan Ertosun)

DRAM은 1967년 Dennard 박사에 의해 한 개의 MOS 소자와 1개의 Capacitor cell 구조를 이용해서 발명되었다. (DRAM에서는 Capacitor는 전하로 정보를 저장하고, MOS 소자는 이 정보를 읽고 쓰는 역할을 한다.) DRAM은 1T/1C인 매우 간단한 구조를 가지고 있기에, 소자의 고집적화/메모리의 대용량화에 유리하였고, 그 결과 DRAM은 메모리 산업에 많은 발전을 이루게 하는 역할을 해왔다. 하지만 계속된 소자의 집적화의 증가로, 정보를 저장하는 역할을 하는 Capacitor가 차지하는 단면적은 감소하게 되고, 정보 저장에 필요한 정전 용량인 25fF/cell을 유지하기 어려워졌다. 그렇기에 이런 공정 상의 한계를 극복하기 위해, Capacitor가 없는 구조인 Capacitorless 1T-DRAM의 구조가 제안되었고, NDSL에서는 이러한 1T-DRAM을 연구 및 개발을 하고 있다.

○ Our Research

- Research and Development of Capacitorless 1T-DRAM