[2023]
122.Effect of Geometrical Variations on Bulk FinFET-Based Capacitorless DRAM
ย ย ย ย ย Min Seok Kim, Sang Ho Lee, Jin Park, Ga Eon Kang, Jun Hyeok Heo, So Ra Jeon, Jeong Woo Hong, Seung Ji Bae, In Man Kangย
ย ย ย ย ย ย International Conference on Solid State Devices and Materials (September, 2023)
121. Capacitorless DRAM Based on Polycrystalline-Silicon with a Separated Channel Layer and a Fin-Shaped Storage Layer
ย ย ย ย ย Seung Ji Bae, Sang Ho Lee, Jin Park, Ga Eon Kang, Jun Hyeok Heo, So Ra Jeon, Min Seok Kim, Jeong Woo Hong, Jaewon Jang, Jin-Hyuk Bae, Sin-Hyung Lee, In Man Kangย
ย ย ย ย ย ย International Conference on Solid State Devices and Materials (September, 2023)
120. Design of the vertical cylinder-type GaN Junctionless FET based on GaN-on-GaN Substrate and its electrical performances
ย ย ย ย So Ra Jeon, Sang Ho Lee, Jin Park, Ga Eon Kang, Jun Hyeok Heo, Min Seok Kim, Seung Ji Bae, Jeong Woo Hong, and In Man Kang
ย ย ย ย ย ย AWAD (July, 2023)
119. Performances of Recessed Gate of Recessed Gate AlGaN/GaN MOSFET Using Mg Ion Implantation
ย ย ย ย ย ย Jun Hyeok Heo, Sang Ho Lee, Jin Park, Geon Uk Kim, Ga Eon Kang, So Ra Jeon, Young Jun Yoon and In Man Kang
ย ย ย ย ย ย ์ 30ํ ํ๊ตญ๋ฐ๋์ฒดํ์ ๋ํ (February, 2023)
118. Analysis for the Electrical Characteristic of Recessed-Gate AlGaN/GaN MOSFET with Stepped Gate Oxide
ย ย ย ย ย ย Ga Eon Kang, Sang Ho Lee, Jin Park, Geon Uk Kim, Jun Hyeok Heo, So Ra Jeon, and In Man Kang
ย ย ย ย ย ย ์ 30ํ ํ๊ตญ๋ฐ๋์ฒดํ์ ๋ํ (February, 2023)
117. The Influence of Single-Event-Effects on Complementary FET based Logic Inverter and Its Electrical Characteristic
ย ย ย ย ย ย Jin Park, Sang Ho Lee, Geon Uk Kim, Ga Eon Kang, Jun Hyeok Heo, So Ra Jeon and In Man Kang
ย ย ย ย ย ย ์ 30ํ ํ๊ตญ๋ฐ๋์ฒดํ์ ๋ํ (February, 2023)
116. Analysis of Heavy Ion Induced Single-Event-Transients in Capacitorless DRAM Based on a Polycrystalline Silicon Transistor
ย ย ย ย ย ย Sang Ho Lee, Jin Park, Geon Uk Kim, Ga Eon Kang, Jun Hyeok Heo, So Ra Jeon, and In Man Kang
ย ย ย ย ย ย ์ 30ํ ํ๊ตญ๋ฐ๋์ฒดํ์ ๋ํ (February, 2023)
115. Analysis of Capacitorless DRAM Based on Polycrystalline Silicon Nanotube Structure Depending on the Number of Grain Boundary
ย ย ย ย ย ย Jin Park, Sang Ho Lee, Ga Eon Kang, Jun Hyeok Heo, So Ra Jeon, and In Man Kangย
ย ย ย ย ICEIC 2023 : International Conference on Electronics, Information, and Communication (February, 2023)ย