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[~2017]

4. SiGe을 소스 접합 물질로 사용하는 터널링 전계효과 트랜지스터의 성능 및 짧은 채널 효과 분석

정영훈, 조용범, 강인만, 조성재

Journal of The Institute of Electronics and Information Engineers (December, 2017)

[~2012]

3. 터널링 전계효과 트랜지스터 고주파 파라미터 추출과 분석

강인만

대한전자공학회논문지 - SD (2012)

2. 실리콘 나노와이어 기반의 무접합 MOSFET의 최적 설계 및 기본적인 고주파 특성 분석

조성재, 김경록, 박병국, 강인만

대한전자공학회논문지 - SD (2010)

1. 실리콘 나노와이어 MOSFET의 고주파 모델링

강인만

대한전자공학회논문지 -SD (2010)