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위반시 아래의 저작권법에 따라 엄중히 처벌할 것을 알려드립니다.
(저작권법 제136조의 벌칙) ‘저작재산권 그 밖에 저작권법에 따라 보호되는 재산적 권리를 복제, 공중송신, 배포, 대여, 2차 저작물 작성의 방법으로 침해한 자에게는 5년 이하의 징역 또는 5천만원 이하의 벌금에 처하거나 이를 병과할 수 있다’
<2024학년도 Nano Device &System Lab. 석사 및 박사과정생 모집>
NDSL은 삼성전자, 하이닉스, 인텔 등에서 주로 연구 중인 차세대 반도체 소자 및 나노전자소자와 응용회로를 시뮬레이션과 제작을 통해 연구하고 있습니다. 또한, 차세대 전력 반도체로 주목받는 GaN 기반 3차원 초고전력/초고속 소자와 군수용 초고주파 소자 연구도 병행하고 있습니다. GaN-on-GaN 전자소자 개발 과제를 수행 중에 있으며, GaN 및 silicon nanowire 소자에 관한 삼성전자 산학과제를 수행 중에 있습니다. 추가적으로, 1T-DRAM에 대한 내용을 포함한 메모리소자 분야를 현재 활발하게 연구를 수행 중에 있습니다.
다음의 연구 분야에 관해 관심을 가지고 있는 학생들의 많은 관심과 지원 바랍니다.
[ NDSL 연구주제 ]
- GaN 화합물 기반 반도체 (중견연구 과제)
- 삼성전자 SK 하이닉스 등 주요 반도체 기업 중심의 연구
- Capacitorless 1T-DRAM 연구 및 개발
- CMOS Extension 및 Beyond Si CMOS
- 차세대 반도체 기반 저전력 터널링 FET
- 2D & 3D 소자 시뮬레이션 및 반도체 소자의 RF 모델링
[ 연구과제 ]
-미래 모빌리티 산업시대 초연결 지능형 자동차 구현을 위한 동종성장 무결함 GaN-on-GaN 에피 성장 기술 및 초고전력/초고속 전자소자 기술개발 (지원 : 한국연구재단, 과학기술정보통신부)
- Nanowire 소자의 전기적 특성 및 소자 활용방안 (지원 : 삼성전자 (산업체))
[ 연락처 및 홈페이지 ]
- 교수님 연락처
교수님 연구실 : 053-950-5513
교수님 e-mail : imkang@ee.knu.ac.kr
- 학생 연락처
연구실 학생 연락처 : 053-940-8613
연구실 방장 휴대전화 : 010-6261-6219
방장 e-mail 주소 : jim782jim@naver.com
- 연구실 위치 : IT3호관 202호
- 연구실 홈페이지 : https://sites.google.com/view/knundsl304/home
- 지원 희망 학생 및 관심 또는 문의사항이 있는 학생은 위의 연락처나 메일로, 주저말고 언제든지 연락바랍니다.