윤영준 박사가 한국원자력연구원 양성자과학연구단 가속기이용연구부의 선임연구원으로

최종 합격 하였습니다.

한국원자력연구원은 「과학기술 분야 정부출연 연구기관 등의 설립·운영 및 육성에 관한 법률(과기출연기관법)」에 따라 설립·운영되는 정부출연 연구기관으로, 원자력의 연구개발을 종합적으로 수행하여 학술의 진보, 에너지 확보 및 원자력의 이용 촉진에 기여함을 목적으로 합니다. 대한민국에서 가장 오랜 역사를 자랑하는 과학기술 연구기관이자 세계 최고의 원자력 연구기관으로 발돋움한 한국원자력연구원은 가동원전과 사용후핵연료의 안전을 강화하는 기술, 고부가가치 방사선 융합기술, 미래를 대비하는 혁신원자력시스템 신기술을 연구하며 더 나은 세상을 위한 원자력 기술 개발에 힘쓰고 있습니다.

윤영준 박사는 본 연구실의 석박통합과정 졸업생으로, 재학기간 (2013.03~2019.02) 동안 SCIE 주저자 16편, 공동저자 30편, 국내외 학술대회 18편, 특허 출원 및 등록 6편 등으로 매우 우수한 실적으로 본교를 졸업하였습니다.

졸업 후에도 꾸준히 학술활동을 하였으며 다수의 SCIE 논문을 발표하였습니다.

2022년 7월, 정부출연연구소인 한국원자력연구원에 합격하였습니다.

서재화 박사 (전기연구원)에 이어 두번째로 정부출연연구소에 합격하였습니다.

축하드립니다 !

대표논문 (First author)

Design and optimization of GaN‐based betavoltaic cell for enhanced output power density

(International Journal of Energy Research )

Design optimization of GaN diode with p-GaN multi-well structure for high-efficiency betavoltaic cell

(Nuclear Engineering and Technology )

Impact of process-dependent SiNx passivation on proton-induced degradation in GaN MIS-HEMTs

(Results in Physics )

A polycrystalline-silicon dual-gate MOSFET-based 1T-DRAM using grain boundary-induced variable resistance

(Applied Physics Letters )

TMAH-based wet surface pre-treatment for reduction of leakage current in AlGaN/GaN MIS-HEMTs

(Solid-State Electronics )

Capacitorless one-transistor dynamic random access memory based on double-gate GaAs junctionless transistor

(Japanese Journal of Applied Physics )

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