박사 과정 서재화 학생 SCI 논문 [저널명 : Electron Device Letters (EDL)] 출판

게시일: Jul 07, 2016 1:33:12 AM

본 연구실의 박사 과정 서재화 학생의 SCI 논문 [저널명 : Electron Device Letters (EDL)]이 출판되었습니다.

논문 제목

Al(In)N/GaN Fin-Type HEMT With Very-Low Leakage Current and Enhanced I-V Characteristic for Switching Applications (클릭 시, 논문 사이트로 이동)

Journal의 impact factor : 2.528