Jornal Mato-Grossense de Física
ISSN Eletrônico: 2965-1964 Programa de Pós-Graduação em Física - IF/UFMT
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JMFis 7-2, 27 (2024)
Propriedades eletrônicas e topológicas do antimoneno sob efeito de tensão: uma abordagem por cálculos de primeiros princípios
Autor
L. M. A. Almeida, T. A. S. Pereira, and E. N. Lima
Resumo
Neste estudo, utilizamos cálculos baseados na teoria do funcional da densidade (DFT) para investigar as propriedades eletrônicas do antimoneno sob tração biaxial. Observamos que uma tensão de 2% induz uma transição de gap indireto para direto, que persiste até o fechamento do gap em 11%. Acima desse valor, o material volta a exibir gap indireto e passa a se comportar como um isolante topológico, confirmado pelo invariante Z2=1. Esses resultados demonstram a versatilidade do antimoneno e seu potencial para aplicações em nanoeletrônica e spintrônica.
Abstract
In this study, we use density functional theory (DFT) calculations to investigate the electronic properties of antimonene under biaxial tension. We observe that a strain of 2% induces a transition from indirect to direct gap, which persists until the gap closes at 11%. Above this value, the material returns to exhibit indirect gap and behaves as a topological insulator, confirmed by the invariant Z2=1. These results demonstrate the versatility of antimonene and its potential for applications in nanoelectronics and spintronics.
DOI
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
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