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半導体の代表的デバイスといえばトランジスタ。アナログ回路では増幅素子として活躍するが、デジタル回路ではもっぱらスイッチ素子として使われる。 ↑ハードウェア /素子 /半導体
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商用トランジスタ
トランジスタのモデリング
トランジスタのタイプ
( Semiconductor devices | Solid state switches)
接合型電界効果トランジスタ
MOSFET
エンハンスメント型とデプリーション型
TFT
ガラス基板上にアモルファスシリコンなど で構築されたトランジスタ。 液晶パネル などに広く用いられる。 アクティブマトリクス型液晶の一種です。発色、反応速度、階調表 現などに優れていますが、ＤＳＴＮなどのほかの方式と比べて高 価になります。 ガラス基板などの絶縁物上にCVD技術やスパッタリング技術でト ランジスタを形成したもの。構造は通常のMOSトランジスタと同 じ。通常，LSIのトランジスタはSiの単結晶表面に形成している。こ れと区別するために薄膜トランジスタという。液晶ディスプレイ（ア クティブ・マトリクス型）の画素表示に用いる。薄膜にはアモーファ ス（非晶質）や多結晶のSiを使う。
MOS 構造を持ったトランジスタ。今日の集積回路で広く用いられている。
ゲート電圧を0V以上にしないとドレイン電流が流れないタイプのFETをエンハンスメント型、ゲート電圧が0Vでもどれ隠電流が流れるFETをデプリーション型という。MOSFETはチャネル濃度でどちらの型にもなれる。多くのデジタルLSIはエンハンスメント型のMOSFETを使うことが多い。
ガラス基板などの絶縁物上に形成されたトランジスタ。構造は通常のMOSトランジスタと同じ。液晶ディスプレイの画素表示に用いられ、薄膜にはアモルファスシリコンなどが使われる。
バイポーラトランジスタ
電界効果トランジスタ (接合型電界効果トランジスタ/MOSFET/エンハンスメント型とデプリーション型/TFT)
MOSトランジスタ
SOI
ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタ
スケーリング則
MIOS構造
その他のトランジスタ
( Semiconductor devices | Solid state switches)