前田研究室

更新情報

2025/07/08
ICNS 2025における発表についてプレスリリースを行いました「新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明 ―高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋―（東大・JST・住友電工）」

2025/07/04
University of Padovaを訪問しました

2025/07/01
NEDO「エネルギー・環境分野における革新的技術の国際共同研究開発」事業に採択されました

第86回応用物理学会秋季学術講演会で9件の発表を行います

β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性に関する論文がApplied Physics Expressに採択されました 

2025/04/29
国際会議 ICNS 15で6件の発表を行います

第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会で3件の発表を行います

国際会議 DRC 2025/EMC 2025で発表を行います

2025/04/10
久保田航瑛くん(M1)が国際会議 ICNS 15 で招待講演を行います

前田拓也講師が第24回船井研究奨励賞を受賞しました

2025/04/01
メンバーを更新しました

JST ACT-Xの加速フェーズに採択されました

202503/26
東京大学学位記授与式が行われました
佐々木一晴くん(B4)が優秀卒業論文賞と電気学術奨励賞をダブル受賞しました

国際会議 CSW 2025でYoung Plenary Hot Topics Talkを行います

国際会議 SSDM 2025で招待講演を行います

電気学会 電子デバイス研究会で招待講演を行います

電気学会 調査専門委員会で招待講演を行いました

2025/03/06
東レ科学振興会の2024年度研究助成に採択されました

ヒロセ財団の2024年度研究助成に採択されました

矢崎科学技術振興記念財団の2024年度研究助成に採択されました

2025/02/20
AlNショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の解明に関する論文(Proceedings)がIEDM Technical DigestとしてIEEE Xploreに公開されました

前田拓也講師がIEDM報告会でPMA分野の報告を行います

前田拓也講師が山形大学でパワー半導体の基礎に関する講演を行いました

2025/02/09
SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造上へのスパッタ法によるScAlNエピタキシャル成長とその構造特性と2DEG輸送特性に関する論文がApplied Physics Letters (共著)に公開されました

2025/01/28
IEDM 2024で発表した研究内容が日本経済新聞に掲載されました

広帯域・ハイパースペクトルな誘導ラマン散乱による細胞や半導体のイメージングに関する論文(共著)がOptics Expressに公開されました

2025/01/16
第72回応用物理学会春季学術講演会で8件の発表を行います

2025/01/10
高いオン電流(> 4 A/mm)及び最大発振周波数(> 130 GHz)を有するScAlN/GaN HEMT試作実証に関する論文(共著)がApplied Physics Expressに採択されました

遷移金属窒化物のスパッタ成長とその物性，展望に関する招待レビュー論文(共著)がPhysica Status Solidi(a)に公開されました

2024/12/23
IEDM 2024で発表した内容が日刊工業新聞などの各種メディアに掲載されました

2024/12/09
IEDM 2024における発表についてプレスリリースを行いました「窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明 ―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体デバイスの実現に向け大きく前進―（東大・NTT）」

2024/11/23
酸化ガリウムにおける高電界光吸収(Franz-Keldysh効果)に関する論文がApplied Physics Expressに採択されました

2024/11/11
前田拓也講師が令和6年度東京大学卓越研究員に採用されました

2024/10/25
先進パワー半導体分科会 第11回講演会で2件の発表を行います

2024/09/29
国際会議 IEDM 2024で発表を行います

2024/09/11
若本裕介くん(M1)がヒロセ研究者育成プログラムに採用されました

棟方晟啓くん(M1)が統合物質・情報国際卓越大学院(MERIT-WINGS)プログラムに採用されました