2023年度 業績

学術論文
[1] A. Kobayashi, Y. Honda, T. Maeda, T. Okuda, K. Ueno, H. Fujioka,
    "Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering",
    Applied Physics Express 17, 011002 (2024).

[2] A. Kobayashi, S. Kihara, T. Akiyama, T. Kawamura, T. Maeda, K. Ueno, H. Fujioka,
    "Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN",
     ACS Applied Electronic Materials 5, 240-246 (2023).

国際学会発表
[1] T. Maeda, K. Ema, K. Sasaki,
     "Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in β-Ga2O3N Schottky barrier diode under high reverse bias voltage"
    65th Electronic Materials Conference (EMC), Santa Barbara (USA), June 2023, Oral.

[2] C. Savant, V. Gund, K. Nomoto, T. Maeda, S. Jadhav, T.-S. Nguyen, Y.-H. Chen, J. Casamento, A. Lal, H. G. Xing, D. Jena,
    "Ferroelectricity in High-K BAlN Films Grown by Molecular Beam Epitaxy",
    IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric (ISAF), Cleveland (USA), July 2023, Oral.

[3] A. Munakata, K. Sasaki, K. Ema, Y. Nakano, T. Maeda,
    "Temperature dependence of barrier height of Ni/β-Ga2O3N Schottky barrier diodes consistently obtained by I-V and C-V measurements",
    The Lester Eastman Conference 2023 (LEC 2023), Chicago, August 2023, Oral.

[4] J. Casamento, K. Nomoto, T. S. Nguyen, H. Lee, C. Savan, L. Li, A. Hickman, T. Maeda, Y. T. Shao, J.Encomendero, V. Gund, H. G. Xing, D. Jena,
    "AlScN High Electron Mobility Transistors: Integrating High Piezoelectric, High K Dielectric, and Ferroelectric Functionality",
    IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and TEchnology Symposium (BCICTS 2023), Monterey (USA), October 2023, Oral [invited].

[5] T. Maeda, Y. Wakamoto, S. Kaneki, H. Fujikura, A. Kobayashi,
     "Characterization of Optical Properties and Bandgaps of ScxAl1−xN Epitaxially Grown on GaN Bulk Substrate by Sputtering Method",
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14), Fukuoka (Japan), November 2023, Oral.

[6] C. P. Savan, V. Gund, K. Nomoto, T. Maeda, S. Jadhav, T.-S. Nguyen, Y.-H. Chen, L. Van Deurzen, A. Lal, H. G. Xing, D. Jena,
    "[Late News] First Demonstration of Ferroelectricity and High-K Dielectric Constant in Ultrawide Bandgap AlBN MBE Films",
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14), Fukuoka (Japan), November 2023, Oral [invited].

[7] A. Kobayashi, S. Kihira, T. Takeda, M. Kobayashi, T. Maeda, T. Harada, T. Akiyama, T. Kawamura, K. Ueno, H. Fujioka,
    "Sputtering Epitaxial Integration of AlN and NbN for Polarity Control and CrystalPhase Manipulation",
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14), Fukuoka (Japan), November 2023, Oral.

[8] A. Kobayashi, Y. Honda, T. Maeda, K. Ueno, H. Fujioka,
    "Structural Properties of Epitaxial ScAlN Films Grown by Sputtering: Experimental and Machine Learning Approaches",
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14), Fukuoka (Japan), November 2023, Oral.

[9] Y. Wakamoto, A. Kobayashi, Y. Nakano, T. Maeda,
    "Study on 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN Heterostructures Based on Simulation and Analytical Modeling",
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14), Fukuoka (Japan), November 2023, Poster.

国内学会発表
[1] 前田拓也,
    "GaNの高電界物性評価の進展と展望",
    先進パワー半導体分科会 第11回個別討論会「WBG半導体のシミュレーション技術」,
    機械振興会館, 2023年5月, 口頭発表 [招待講演]．

[2] 棟方晟啓, 佐々木公平, 江間研太郎, 中野義昭, 前田拓也,
    "Ni/β-Ga2O3 SBDの障壁高さの温度依存性のI-V, C-V法による評価",
    第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Th-P21, 山形テルサ, 2023年6月, ショートプレゼン&ポスター発表. [発表奨励賞受賞]

[3] 若本裕介, 小林篤, 中野義昭, 前田拓也,
    "ScAlN/GaNヘテロ接合界面における二次元電子ガス濃度の数値計算",
    第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Fr-P06, 山形テルサ, 2023年6月, ショートプレゼン&ポスター発表．

[4] 前田拓也,
    "パワーデバイス応用に向けたGaNの高電界物性評価",
    第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形テルサ, 2023年6月, 口頭発表．[招待講演] [研究奨励賞受賞][5] 前田拓也, 若本裕介, 金木奨太, 藤倉序章, 小林篤,
    “分光エリプソメトリーによるScAlN/GaNの光学物性評価",
    第84回応用物理学会 秋季学術講演会, 22p-B101-3, 熊本市民会館, 2023 年 9 月, 口頭発表.

[6] 棟方晟啓, 佐々木公平, 江間研太郎, 中野義昭, 前田拓也,
    "Ni/β-Ga2O3 ショットキー接合の障壁高さの温度依存性の評価における熱電子放出-拡散モデルに基づく解析の重要性",
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 23p-B201-2, 熊本市民会館, 2023年9月, 口頭発表．

[7]  若本裕介, 小林篤, 中野義昭, 前田拓也,
     “ScAlN/GaN および AlGaN/GaN の二次元電子ガス濃度の数値計算と解析モデルの提案”，
    第84回応用物理学会 秋季学術講演会, 23a-B201-8, 熊本市民会館, 2023 年 9 月, 口頭発表.

[8] 前田拓也,
    "Breakdown Electric Field of GaN p+-n and p-n+ Junction Diodes with Various Doping Concentrations",
    IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップ, online, 2023年10月, 口頭発表 [招待講演]．

[9] 棟方晟啓, 佐々木公平, 江間研太郎, 中野義昭, 前田拓也,
    "Ni/β-Ga2O3 SBDの障壁高さの温度依存性評価におけるTED解析の重要性",
    第42回電子材料シンポジウム (EMS42), We2-4, THE KASHIHARA, 2023年10月, ショートプレゼン+ポスター発表．

[10] 前田拓也, 若本裕介, 金木奨太, 藤倉序章, 小林篤,
    “GaN 基板上にスパッタ成長した ScAlN 薄膜の構造・光学物性の評価”，
    第42回電子材料シンポジウム (EMS 42), Th-1-10, THE KASHIHARA, 2023 年 10月, ショートプレゼン+ポスター発表.

[11] 若本裕介, 小林篤, 中野義昭, 前田拓也,
    “Modeling of 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN: Numerical and Analytical Approaches”，
    第42回電子材料シンポジウム (EMS 42), Fr-1-13, THE KASHIHARA, 2023 年 10月, ショートプレゼン+ポスター発表. [EMS賞受賞]

[12] 前田拓也,
    "高電界現象の基礎",
    先進パワー半導体分科会 第26回研究会「いまさら聞けないパワー半導体基礎」, 名古屋大学, 2023年10月, 口頭発表 [招待講演]．

[13] 前田拓也,
    "GaNの高電界物性の精密評価",
    シリコン材料・デバイス研究会(SDM), online, 2023年11月, 口頭発表 [招待講演]．[14] 前田拓也, 若本祐介, 小林篤,
    "ScAlNの構造評価・光学物性評価と電子デバイス応用",
    電気学会「化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション」調査専門委員会, 神田, 2024年2月. [招待講演]

[15] 棟方晟啓, 廣木正伸, 熊倉一英, 谷保芳孝, 中野義昭, 前田拓也,
    "SiC基板上SiドープAlN SBDの電流輸送機構と障壁⾼さの温度依存性",
    第70回応用物理学会秋季学術講演会, 24p-52A-9, 東京都市大学, 2024年3月, 口頭発表．

[16] 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 中野義昭, 前田拓也,
    "AlGaN/GaNヘテロ接合における⼆次元電⼦ガスのドリフト速度の測定",
    第70回応用物理学会秋季学術講演会, 24p-52A-11, 東京都市大学, 2024年3月, 口頭発表．

[17]  棟方晟啓, 佐々木公平, 江間研太郎, 中野義昭, 小林正起, 前田拓也,
    "Ni/β-Ga2O3 SBDの障壁⾼さの温度依存性の精密評価とXPSによるβ-Ga2O3 の価電⼦帯評価",
    第70回応用物理学会秋季学術講演会, 25p-61A-7, 東京都市大学, 2024年3月, 口頭発表．