研究業績

2026年度 業績

学術論文
[1] T. Okuda, K. Kubota, Y. Wakamoto, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, K. Ikeda, T. Maeda, A. Kobayashi, 
      "High-density two-dimensional electron gas in ScAlN/GaN heterostructures grown by sputter epitaxy with enhanced metal supply",
      Applied Physics Express 19, 041001 (2026). [Open Access]

[2] K. Joya, S. Sato, A. Kobayashi, T. Maeda,
      "Carrier trapping effects in the electrical characteristics of ScAlN thin films grown on n+-GaN/sapphire substrates by sputtering",
      Japanese Journal of Applied Physics (2026). accepted.

国際学会発表
[1] I. Sasaki, M. Hiroki, K. Ebata, K. Hirama, Y. Taniyasu, T. Maeda,
      "Extremely Low ON-Resistance AlN-based SBDs with Distributed Polarization Doping Drift Layer",
      The 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2026), Las Vegas (USA), May 2026, Oral. 

[2] T. Maeda, C. Li, R. Nakane, K. Iso,
      "kV-Class Photoconductive Semiconductor Switches Using Mn-Doped Semi-Insulating GaN Bulk Crystals",
      The 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2026), Las Vegas (USA), May 2026, Poster.

[3] K. Joya, S. Sato, A. Kobayashi, T. Maeda,
      "Electrical characterization of ScAlN thin films epitaxially grown by a sputtering method on n-GaN/sapphire substrates",
      Compound Semiconductor Week 2026 (CSW 2026), Kumamoto (Japan), May 2026, Oral.

[4] H. Sasaki, A. Munakata, T. Takeda, M. Kobayashi, A. Fujimori, R. Yamamoto, S. Sato, A. Kobayashi, M. Sugiyama, R. Nakane, T. Maeda,
      "X-ray Spectroscopic Characterization of Surface Oxidation of ScAlN Thin Films Grown on GaN",
      Compound Semiconductor Week 2026 (CSW 2026), Kumamoto (Japan), May 2026, Oral.

[5] Y. Wakamoto, S. Takahashi, K. Kuruma, T. Maeda, Y. Ozeki,
      "Stimulated Raman Scattering Microscopy for 3D Mapping of Laser-Induced Stress Distribution in a Bulk GaN Substrate",
      Compound Semiconductor Week 2026 (CSW 2026), Kumamoto (Japan), May 2026 , Oral.

[6] H. Sasaki*, T. Takeda*, A. Munakata, M. Kobayashi, A. Fujimori, T. Okuda, S. Kurogi, A. Kobayashi, M. Sugiyama, T. Maeda,
      "X-ray Spectroscopic Characterization of Surface Oxidation Properties of NbAlN Thin Films Epitaxially Grown on GaN",
      The 68th Electronic Materials Conference (EMC 2026), Michigan (USA), June 2026, Oral. (*equal contribution)

[7] K. Joya, S. Sawaki, A. Kobayashi, T. Maeda,
      "Temperature dependence of leakage current in ScAlN thin films grown on GaN/sapphire substrates by a sputtering method",
      The 68th Electronic Materials Conference (EMC 2026), Michigan (USA), June 2026, Oral. 

[8] T. Maeda,
      "Recent Progress of AlN-based Electronic Devices",
      The 22nd International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA 2026), Jeju (Korea), June 2026, Oral. [invited]

国内学会発表
[1] 佐々木洸, 棟方晟啓, 武田崇仁, 小林正起, 藤森淳, 山本涼太, 佐藤早和紀, 小林篤, 杉山正和, 中根了昌, 前田拓也,
      "X線分光測定によるスパッタ法およびMBE成長ScAlN/GaNの表面酸化状態評価",
      第18回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 立命館アジア太平洋大学, 2026年5月, ポスター発表. 

[2] 城谷光亮, 久保田航瑛, 佐々木洸, 中根了昌, 前田拓也,
      "PA-MBE成長ScAlN/GaNヘテロ構造の構造特性及び電気的特性の評価",
      第18回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 立命館アジア太平洋大学, 2026年5月, ポスター発表.

[3] 藤友哉, Karolina Peret, Mikołaj Chlipała, Henryk Turski, 前田拓也,
      "過渡容量測定によるMBE成長p-GaNにおける深い準位の評価",
      第18回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 立命館アジア太平洋大学, 2026年5月, ポスター発表.

[4] 橋本晋亮, 関岳人, 遠山慧子, 小林篤, 前田拓也, 幾原雄一, 柴田直哉,
      "OBF-STEM法によるSc0.25Al0.75N/GaNヘテロ接合界面の原始分解能観察",
      日本顕微鏡学会 第82回学術講演会, 仙台国際センター, 2026年5月.  

過去の業績
2025年度 (Link): 学術論文5件, 国際会議15件(うち招待講演4件, 基調講演1件),国内会議41件 (うち招待講演6件, 受賞5件)
2024年度 (Link): 学術論文9件, 国際会議12件(うち招待講演4件), 国内会議24件 (うち招待講演3件, 受賞2件)
2023年度 (Link): 学術論文3件, 国際会議9件(うち招待講演2件), 国内会議17件 (うち招待講演6件, 受賞2件)
2022年度 (Link): 学術論文4件, 国際会議7件(うち招待講演1件), 国内会議3件