研究業績
2024年度 業績
学術論文
[1] Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda,
"Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure",
Proceedings of The 82nd Device Research Conference (DRC 82), 2024.
[2] T. Maeda, Y. Wakamoto, S. Kaneki, H. Fujikura, A. Kobayashi,
"Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1-xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method",
Applied Physics Letters 125, 022103 (2024).
[3] C. Savant, V. Gund, K. Nomoto, T. Maeda, S. Jadhav, J. Lee, M. Ramesh, E. Kim, T.-S. Nguyen, Y.-H. Chen, J. Casamento, A. Lal, H. G. Xing, D. Jena,
"Ferroelectric AlBN Films by Molecular Beam Epitaxy",
accepted to Applied Physics Letters 2024.
国際学会発表
[1] A. Kobayashi, T. Maeda, Y. Honda,
"Epitaxial Growth of Transition Metal Nitride on Nitride Semiconductors",
Optics & Photonics International Congress 2024 (LEDIA 2024),
Yokohama (Japan), April 2024. Oral.
[2] T. Maeda, A. Munakata, K. Ema, K. Sasaki,
"Characteriztaion of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Toward Power Device Application",
International Union of Materials Research Societies – 18th International Conference on Electronic Materials 2024” (IUMRS – ICEM 2024),
Hong Kong (China), May 2024. Oral. [invited]
[3] Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda,
"Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure",
The 82nd Device Research Conference (DRC 82), Maryland (USA), June 2024, Poster.
[4] A. Munakata, K. Sasaki, K. Ema, Y. Nakano, M. Kobayashi, T. Maeda,
“Characterization of temperature dependence of barrier height in Ni/β-Ga2O3 SBD
over a wide temperature range and evaluation of valence band structure by XPS”,
The 66th Electronic Materials Conference (EMC 66), Maryland (USA), June 2024, Oral.
[5] Y. Wakamoto*, T. Kawahara**, S. Yoshida**, K. Makiyama**, K. Nakata**, T. Maeda*,
*The University of Tokyo, **Sumitomo Electric Inductries, Ltd.
"Low-field and High-field 2DEG Transport Properties in AlGaN/GaN at High Temperatures",
The 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024), Sendai (Japan), August 2024, Poster.
[6] T. Maeda,
"Trasport Properties of GaN under High Electric Field",
The 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024), Sendai (Japan), August 2024, Oral. [invited]
[7] T. Maeda, I. Sasaki, M. Hiroki, K. Kumakura, K. Hirama, Y. Taniyasu,
"Analysis of Chapacitance-Frequency Characteristics of Si-doped AlN Schottky Junction",
The 2024 Fall Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2024), Warszawa (Poland), September 2024, Oral.
[8] A. Kobayashi, T. Maeda, T. Akiyama, T. Kawamura, Y. Honda,
"Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors",
The 2024 Fall Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2024), Warszawa (Poland), September 2024, Oral [invited]
[9] T. Maeda, Y. Wakamoto, A. Kobayashi,
"Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application",
2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS 2024),
Florida (USA), October 2024, Oral. [invited]
国内学会発表
[1] 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也,
"AlGaN/GaN ヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の高温特性",
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Th-P06, 高知県立県民文化ホール, 2024年5月, ショートプレゼン&ポスター発表. [発表奨励賞]
[2] 佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 中野義昭, 前田拓也,
"SiドープAlNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性のサイズ依存性",
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Fr-P06, 高知県立県民文化ホール, 2024年5月, ショートプレゼン&ポスター発表. [発表奨励賞]
[3] 奥田朋也, 太田隼輔, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也, 小林篤,
"AlGaN/GaN HEMT 構造上への ScAlN 薄膜エピタキシャル成長",
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Fr-P05, 高知県立県民文化ホール, 2024年5月, ショートプレゼン&ポスター発表.
[4] 橋本晋亮, 関岳人, 前田拓也, 小林篤, 幾原雄一, 柴田直哉,
"ScAlN/GaNヘテロ接合界面の原子分解能STEM観察",
日本顕微鏡学会 第80回学術講演会, 3amH_M-1-04, 幕張メッセ, 2024年6月, 口頭発表.
[5] 前田拓也,
"ScAlN/GaN系電子デバイスの研究進展",
ワイドギャップ半導体学会 (WideG) 第17回研究会「GaN-HEMTデバイス技術の最新動向」, 主婦会館(東京),2024年7月, 口頭発表．[招待講演]
[6] 佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 中野義昭, 前田拓也,
"SiドープAlNショットキーバリアダイオードにおける順⽅向リーク電流の解析",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-A22-13, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[7] 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也,
"AlGaN/GaN⼆次元電⼦ガスにおけるドリフト速度-電界特性の温度依存性",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-A22-20, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[8] 奥⽥朋也, 太⽥隼輔, 河原孝彦, 牧⼭剛三, 中⽥健, 前⽥拓也, ⼩林篤,
"エピタキシャルScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の作製",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-A22-22, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[9] ⾼橋俊, ⻲井健⽃, ⼩⼝研⼀, ⾞⼀宏, スプラットスペンサー, ⾚星光, 若本裕介, 前⽥拓也, ⼩関泰之,
"ファイバー光パラメトリック発振器を⽤いた広帯域ハイパースペクトル誘導ラマン散乱イメージング",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-A37-6, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[10] 棟方晟啓, 佐々木公平, 江間研太郎, 中野義昭, 小林正起, 前田拓也,
"Ni/β-Ga2O3ショットキー障壁⾼さの温度依存性の起源: 温度上昇に伴うβ-Ga2O3価電⼦帯上端の上昇と伝導帯底の低下",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 20p-22-1, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．[講演奨励賞受賞記念招待講演]
過去の業績
2023年度 (Link): 学術論文3件, 国際会議9件(うち招待講演2件), 国内会議17件 (うち招待講演6件)
2022年度 (Link): 学術論文4件, 国際会議7件(うち招待講演1件), 国内会議3件