研究費・助成金 (進行中のもの)日本学術振興会 (JSPS, KAKEN)
[1] 科研費 基盤A (分担, 代表: 東京大学 小関泰之 教授)
      課題名: ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体のその場３次元計測
      期間: 2023/04–2027/03, 金額: 28,700,000円[2] 国際共同研究加速基金 (分担, 代表: 東京理科大学 小林篤 准教授)
      課題名: 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
      期間: 2023/09–2027/03, 金額: 16,200,000円科学技術振興機構 (JST)
[3] 創発的研究支援事業, 塩見(淳)パネル
      課題名: 新奇窒化物半導体ヘテロ接合による二次元電子の制御とデバイス応用
      期間: 2024/10–2031/09, 金額: 50,000,000円国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 (NEDO)
[4] 経済安全保障重要技術育成プログラム(Kプロ)
      高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発 (分担)
      課題名: β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発
      期間: 2024/05–2029/03[5] エネルギー・環境分野における革新的技術の国際共同研究開発
      課題名: PCSS用半絶縁性GaN基板の国際共同研究開発
      期間: 2025/10–2028/09財団助成金
[6] 2026年度 豊田理研スカラー (研究助成)
      課題名: 金属/p型GaN接合における特異な電流輸送機構の解明とオーミック接触低減
      期間: 2026/04-2028/03, 金額: 4,000,000円[7] 公益財団法人 東レ科学振興会 2024年度研究助成
      課題名: 超低損失AlN系パワーデバイス実現に向けた基礎研究
      期間: 2025/04–2027/03, 金額: 12,500,000円[8] 公益財団法人 ヒロセ財団 2024年度研究助成
      課題名: 超高感度深紫外光検出用 GaN アバランシェフォトダイオードの研究
      期間: 2025/04–2027/03, 金額: 3,000,000円