研究費・助成金 (進行中のもの)日本学術振興会 (JSPS, KAKEN)
[1] 科研費 基盤A (分担, 代表: 東京大学 小関泰之 教授)
      課題名: ラマン散乱を用いたワイドギャップ半導体のその場３次元計測
      期間: 2023/04–2027/03, 金額: 28,700,000円[2] 国際共同研究加速基金 (分担, 代表: 東京理科大学 小林篤 准教授)
      課題名: 新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張
      期間: 2023/09–2027/03, 金額: 16,200,000円科学技術振興機構 (JST)
[3] 創発的研究支援事業, 塩見(淳)パネル
      課題名: 新奇窒化物半導体ヘテロ接合による二次元電子の制御とデバイス応用
      期間: 2024/10–2031/09, 金額: 50,000,000円[4] 戦略的創造研究推進事業 ACT-X, [強靭化ハードウェア]領域 (研究統括: 田中秀治教授)
      課題名: 強誘電体/窒化物系半導体ヘテロ接合による革新的トランジスタの創成
      期間: 2022/10–2025/03, 金額: 6,000,000円 (+追加4,000,000円)
      加速フェーズ: 期間: 2025/04–2026/03, 金額: 10,000,000円国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 (NEDO)
[5] 経済安全保障重要技術育成プログラム(Kプロ)
      高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発 (分担)
      課題名: β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発
      期間: 2024/05–2029/03財団助成金
[6] 公益財団法人 東レ科学振興会 2024年度研究助成
      課題名: 超低損失AlN系パワーデバイス実現に向けた基礎研究
      期間: 2025/04–2027/03, 金額: 12,500,000円[7] 公益財団法人 ヒロセ財団 2024年度研究助成
      課題名: 超高感度深紫外光検出用 GaN アバランシェフォトダイオードの研究
      期間: 2025/04–2027/03, 金額: 3,000,000円[8] 公益財団法人 矢崎科学技術振興記念財団 2024年度研究助成
      課題名: 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの低損失化
      期間: 2025/04–2026/03, 金額: 1,000,000円