新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明 ―高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋― (東大プレスリリース)

分子線エピタキシー(MBE)によって窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)と窒化ガリウム(GaN)の高品質ヘテロ接合を結晶成長し，その界面に誘起される二次元電子ガスの散乱機構を解明することに成功しました．次世代高周波トランジスタの発展に大きく寄与する結果です．

これらの研究は，住友電気工業株式会社との共同研究により実施されました．また，JST ACT-X, JST創発の支援を受けて実施されました．

これらの内容について，大学院生の久保田航瑛くん(発表時M1)が窒化物半導体分野で最大規模の国際会議International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)で招待講演を行いました(一般投稿からの選出)．

K. Kubota et al., "Scattering Mechanism of 2DEG in ScAlN/GaN Heterostructures Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy", The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15), Malmö (Sweden), July 2025. [invited] (paper in preparation)