受賞

2025/07 久保田航瑛くん(M1)・佐々木洸くん(M1)が第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会にて発表奨励賞を受賞しました！
                  久保田航瑛くん発表題目: "PA-MBE成長ScAlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガスの散乱機構解析"
                  佐々木洸くん発表題目: "PA-MBE成長ScAlN/GaNの構造特性とXPS測定による表面酸化状態評価"
                  Link: 東大工学部広報室(久保田くん, 佐々木洸くん), ナノエピHP

2025/07 ICNS 2025で発表した研究内容についてプレス日本経済新聞などのメディアに掲載されました
                東京大学プレスリリース「新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明 -高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋-」
                 JST共同プレスリリース (Link), 住友電気工業株式会社プレスリリース (Link)
                日本経済新聞(電子版)「東大と住友電工、新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子ガスの散乱機構を解明」

2025/04 久保田航瑛くん(M1)が窒化物半導体に関する最大規模の国際会議 ICNS 15の招待講演に選出されました！
                  K. Kubota, Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, R. Nakane, T. Maeda
                  "Scattering Mechanism of 2DEG in ScAlN/GaN Heterostructures Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy",
                  The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 15), Malmö (Sweden), July 2025. 

2025/04 前田拓也講師が第24回2024年度船井研究奨励賞を受賞しました！
                  受賞題目「次世代パワーデバイスに向けた窒化物ワイドギャップ半導体の高電界物性の解明」 
                  Link: 船井情報科学振興財団HP, 東大工学部広報

2025/03 佐々木一晴くん(B4)が優秀卒業論文賞と電気学術奨励賞をダブル受賞しました！
                  佐々木一晴くん卒論題目: 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の研究

2025/01 IEDM 2024で発表した研究内容について日本経済新聞や日刊工業新聞などのメディアに掲載されました
                  日本経済新聞「電力損失減、東大とNTTが新半導体　EV・再エネ普及へ」(2025/01/27)
                  日刊工業新聞「窒化アルミ製パワー半導体作製へ…東大とNTT、電流輸送の仕組み解明した意義」(2024/12/15)
                  東京大学プレスリリース「窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明」(2024/12/10)

2024/06 佐々木一晴くん(B4)・若本裕介くん(M1)が第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会にて発表奨励賞を受賞しました！
                  佐々木一晴くん発表題目: "SiドープAlNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性のサイズ依存性"
                  若本裕介くん発表題目: "AlGaN/GaN ヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の高温特性"
                  Link: 電気系HP (佐々木一晴くん, 若本裕介くん), ナノエピHP

2024/05 棟方晟啓くん(当時B4)が第56回(2024年春季)応用物理学会講演奨励賞の受賞が決定しました！
                  発表題目: "Ni/β-Ga2O3 SBDの障壁⾼さの温度依存性の精密評価とXPSによるβ-Ga2O3の価電⼦帯評価"
                  9月に新潟朱鷺メッセ行われる2024年秋季応用物理学会学術講演会で受賞記念講演が行われます！
                  Link: 電気系HP, 応用物理学会HP

2024/03 棟方晟啓くん(B4)が工学部長賞と優秀卒業論文賞をダブル受賞，若本裕介くん(B4)が学科長特別賞と優秀卒業論文賞をダブル受賞しました！
                  棟方くん卒論題目: 酸化ガリウム及び窒化アルミニウムのショットキー接合の界面物性評価
                  若本くん卒論題目: 窒化物半導体のヘテロ接合界面物性およびキャリア輸送特性に関する研究

2023/10 若本裕介くん(B4)が第42回電子材料シンポジウムにてEMS賞を受賞しました！
                  発表題目: “Modeling of 2DEG Density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN: Numerical and Analytical Approaches”
                  Link: 電気系HP, EMS HP

2023/06 棟方晟啓くん(B4)が第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会で発表奨励賞を受賞しました！
                  発表題目: “Ni/β-Ga2O3 SBDの障壁高さのI-V, C-V法による評価”
                  Link: 電気系HP, ナノエピHP

2023/06 前田拓也助教が第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会で研究奨励賞を受賞しました！
                  発表題目: “パワーデバイス応用に向けたGaNの高電界物性評価”
                  Link: 電気系HP, ナノエピHP

2023/02 前田拓也助教が第36回井上研究奨励賞を受賞しました！
                  受賞対象: 博士論文: “Study on Avalanche Breakdown in GaN (和名: 窒化ガリウムのアバランシェ破壊に関する研究)"に対して
                  Link: 電気系HP, 財団HP