Event

日時：2023年6月15日(木)－17日(土)

場所：山形テルサ（現地開催）

基調講演

• 川上養一 （京都大学） 「窒化物半導体を用いた発光シンセサイザ開発の現状と展望」

チュートリアル

• 秩父重英 （東北大学）「空孔複合体が(Al,Ga)Nの発光特性に与える影響」

• 東脇正高 （大阪公立大学）「酸化ガリウム：材料・デバイス技術の現在地」

招待講演

• 大西一生 （名古屋大学）「縦型パワーデバイス用途に向けたGaNのHVPE成長」

• 後藤健 （東京農工大学）　「MOVPE法による高純度β-Ga2O3結晶成長の化学反応メカニズム」

• 舘林潤 （大阪大学）「次世代ディスプレイ実現に向けたEu添加GaNナノワイヤの結晶成長」

• 永村直佳 （NIMS）「半導体デバイス構造のオペランド分光計測とインフォマティクスの活用」

• 堀田昌宏 （名古屋大学）「GaN中のN変位関連欠陥が形成するトラップの評価」

• 前田拓也 （東京大学）「パワーデバイス応用に向けたGaNの高電界物性評価」

実行委員会

• 実行委員長：大音隆男（山形大学）

• 会計委員：河村 貴宏（三重大学）

• プログラム委員長：荒木 努（立命館大学）

• 展示委員：出浦桃子（立命館大学）

• 世話人：岩谷 素顕（名城大学）、三宅 秀人（三重大学）、藤岡 洋（東京大学）

日時：2022年11月24日(木)－26日(土)

場所：宇部市文化会館（現地開催）

基調講演

• 只友一行 先生（山口大学） 「可視光発光ダイオードとエピタキシャル成長」

チュートリアル

• 岡本晃一 先生（大阪公立大学）「窒化物半導体のナノ構造に基づく高効率発光とデバイス応用」

• 川原村敏幸 先生（高知工科大学）「ミスト流を用いた機能膜合成技術の開発状況」

招待講演

• 大音隆男 先生（山形大学）「ナノ周期構造を用いた窒化物半導体の発光増強技術」

• 神野莉衣奈 先生（東京大学）「面方位選択によるMBE成長α-(Al,Ga)2O3の制御」

• 出来真斗 先生（名古屋大学）「GaN-MOSデバイスにおける界面準位評価とその低減」

• 永松謙太郎 先生（徳島大学）「有機金属気相成長法による高温AlN成長」

• 屋山巴 先生（工学院大学）「2次元窒化物半導体の可能性とvdWエピタキシー」

実行委員会

• 実行委員長：岡田 成仁 （山口大学）

• 会計委員：河村 貴宏（三重大学）

• プログラム委員長：荒木 努（立命館大学）

• 展示委員：永松 謙太郎（徳島大学）

• 世話人：岩谷 素顕（名城大学）、三宅 秀人（三重大学）、藤岡 洋（東京大学）

日時：2021年12月2日(木)－4日(土)

場所：リジェール松山（ハイブリッド開催）

基調講演

• 藤田 静雄（京都大学）「準安定相の結晶成⻑：結晶は成⻑中に何を感じているのだろうか」

チュートリアル

• 荒木 努（立命館大学）「ScAlMgO4基板上窒化物半導体結晶 RF -MBE MBE成長の 最近の進展」

• 上山 智（名城大学）「GaN系ナノワイヤ・量子殻の結晶成長と発光デバイスへの応用」

• 本久 順一（北海道大学）「半導体ナノワイヤの成長とデバイス応用」

招待講演

• 宮川 鈴衣奈（名古屋工業大学）「レーザー誘起ナノ周期構造の機能的応用を目指した構造評価と形成制御」  

• 松田 祥伸（京都大学）「極性面フリーなInGaN 系マルチファセット構造の作製と光デバイス応用」

• 正直 花奈子（三重大学）「スパッタ成膜アニール処理AlNにおける極性制御技術とN極性膜の低転位密度化」

• 上野 耕平（東京大学）「スパッタ法による窒化物半導体への不純物ドーピングとデバイス応用」

• 宇佐美 茂佳（大阪大学）「OVPE法によ る 超 低抵抗・高品質GaN 結晶成長とその デバイス応用」

• 関口 寛人（豊橋技術科学大学）  「オプトジェネティクス応用に向けた窒化物半導体マイクロ LED プローブ技術の開発」

実行委員会

• 実行委員長：石川 史太郎 （愛媛大学）

• 会計委員：河村 貴宏（三重大学）

• プログラム委員長：片山 竜二（大阪大学）

• 世話人：寒川 義裕（九州大学）、三宅 秀人（三重大学）、藤岡 洋（東京大学）

日時：2020年7月30日(木)－31日(金)
場所：オンライン講演会
　実行委員長 ：石川 史太郎 （愛媛大学）
　会計委員：河村貴宏（三重大学）
　プログラム委員長：片山 竜二（大阪大学）
　世話人：寒川 義裕（九州大学）、三宅 秀人（三重大学）、藤岡 洋（東京大学）

基調講演（60分）
松本　功
（2020/8/1～：名古屋大学未来材料システム研究所、～2020/6/30：大陽日酸株式会社）
「化合物半導体研究：回想と展望」

チュートリアル講演 （50分）
岩谷素顕1、佐藤恒輔1, 2, 竹内哲也1、上山智1、赤﨑勇1, 3、三宅秀人4
（1名城大学理工学部，2旭化成株式会社，3名古屋大学赤﨑記念研究センター，4三重大学大学院地域イノベーション研究科）
「高品質AlGaN結晶の作製とデバイス応用」

中村孝夫
（東京大学 生産技術研究所）
「ホモエピタキシャル成長によるワイドギャップ半導体デバイス開拓」

田中敦之1,2，川崎晟也3，渡邉浩崇1，原田俊太1，花田賢志4，出来真斗5，新田州吾1， 本田善央1，宇治原徹1，天野浩1,2,5,6
（1名古屋大学 未来材料・システム研究所，2物質材料研究機構，3名古屋大学 大学院工学研究科，4あいちシンクロトロン光センター，5名古屋大学 VBL，6名古屋大学 赤崎記念研究センター）
「窒化ガリウム中転位観察の進展」

招待講演 （30分）
市川 修平1, 船戸 充2, 川上養一2, 藤原康文1
（1大阪大学 大学院工学研究科, 2京都大学 大学院工学研究科）
「窒化物半導体成長におけるステップバンチング機構の制御と応用」

上杉謙次郎1, Ding Wang 2, 正直花奈子3, 窪谷茂幸1, 三宅秀人2,3
（1三重大学地域創生戦略企画室, 2三重大学大学院地域イノベーション学研究科, 3三重大学大学院工学研究科）
「低転位密度AlNテンプレートを用いた深紫外LEDの開発」

富永依里子
（広島大学 大学院先進理工系科）
「低温成長Bi系III-V族半導体の結晶性とデバイス応用」

石川史太郎
（愛媛大学 大学院理工研究科）
「希釈窒素・ビスマスナノワイヤの分子線エピタキシャル成長」

今西正幸1，村上航介1，宇佐美茂佳1，吉村政志1,2，森勇介1
（1大阪大学大学院工学系研究科，2大阪大学レーザー科学研究所）
「Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長」

久志本真希
（名古屋大学 大学院工学系研究科）
「次世代深紫外光源に向けた透明導電膜とUV−C LD」

日時：2019年6月13日(木)－15日(土)

場所：広島大学（東広島キャンパス）

学士会館レセプションホール

基調講演

・藤岡　洋（東京大学）「非平衡条件下での窒化物成長とその素子応用」

チュートリアル講演

• 森　勇介（大阪大学）「Naフラックス法とOVPE法によるバルクGaN結晶育成技術の進展」

• 三宅秀人（三重大学）「サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発」

• 山田陽一（山口大学）「窒化物半導体における輻射・非輻射再結合ダイナミクスと内部量子効率」

• 宇治原徹（名古屋大学）「結晶成長実験における機械学習の応用（ＳｉＣ溶液成長を例に）」

招待講演

• 金子健太郎（京都大学）「非平衡系ワイドバンドギャップ酸化物の合成とデバイス応用」

• 片山竜二（大阪大学）「窒化物半導体波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー」

• 中野貴之（静岡大学）「BGaN結晶を用いた熱中性子半導体検出器の開発」

• 岡田成仁（山口大学）「電子デバイス用途を目指したHVPEによるGaN基板の作製」

現地実行委員会

委員長：富永依里子（広島大学）

会場担当委員：花房宏明（広島大学）

企業展示担当委員：岡田成仁（山口大学）

プログラム担当委員：熊谷義直（東京農工大学）

日時：2018年7月12日～13日
会場：名古屋大学（東山キャンパス）ES総合館ESホール

基調講演
・天野　浩　（名古屋大学）「Transformative Electronicsが築く未来社会」

チュートリアル講演
・熊谷義直　（東京農工大学）「ハライド気相成長法によるIII族セスキ酸化物半導体結晶の成長」
・須田　淳　（名古屋大学）「縦型GaNパワーデバイスのための結晶成長・デバイスプロセス技術」
・秩父重英　（東北大学）「GaN結晶成長技術の進展と発光特性向上の現状」

招待講演
・井村将隆　（物質・材料研究機構）「硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体のエネルギーバンドベンディング評価」
・小林　篤　（東京大学）「InN系窒化物半導体のパルススパッタリング成長とFET応用」
・川原村敏幸（高知工科大学）「大気開放溶液系機能薄膜作製方法「ミストCVD」の開発と現状」
・佐藤真一郎（量子科学技術研究開発機構）「ワイドギャップ半導体の単一光子発生欠陥を利用した量子センシング」
・林　侑介　（三重大学）「深紫外SHGに向けたウェハ接合型AlN極性反転構造」
・村上　尚　（東京農工大学）「トリハライド気相成長法によるGaN高温高速成長」

現地担当幹事
名古屋大学 未来材料・システム研究所
本田 善央

日時：2017年 7月 13日（木） 〜 15 日（土）
会場：北海道大学　フロンティア応用科学 研究棟

基調講演
・橋詰　保　 (北海道大学) 「GaN系MIS界面とトランジスタ応用ーこれまでのIII-V MIS界面と違いはあるのかー」

チュートリアル講演
・寒川義裕　(九州大学・名古屋大学) 「窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題」
・船戸　充　(京都大学) 「窒化物半導体における輻射・非輻射再結合過程」
・宮本恭幸　(東京工業大学) 「ヘテロ構造電子デバイスとMOVPE/MBE」

招待講演
・太田実雄　(東京大学) 「低温パルススパッタ法を用いた窒化物系新規ヘテロ構造の作製」
・谷川智之　(東北大学) 「多光子励起フォトルミネッセンスによるGaNの内部欠陥の三次元観察」
・冨岡克広　(北海道大学) 「半導体ナノワイヤ選択成長と電子デバイス応用」
・富永依里子(広島大学) 「InP基板上低温成長InxGa1-xAsの結晶性評価」
・馬　蓓　　（千葉大学）「フォノンによるGaN励起子ダイナミクス過程への影響」
・大音隆男　（上智大学）「選択成長GaNナノコラム上InGaNの構造・光学特性」

世話人
三宅秀人（三重大学），藤岡 洋（東京大学）

現地担当幹事
本久 順一（北海道 大学），佐藤 威友（北海道大学），冨岡 克広（北海道大学）

日時：2016年 5月 9日（月）13:00 ～ 10日（火）
会場：京都大学桂キャンパス ローム記念館

基調講演
・加地　徹　（名古屋大学）「窒化物半導体パワーデバイスの研究開発の現状と今後の展望」

特別講演
・寺地徳之　（NIMS）「超高純度ダイヤモンドの成長とその物性」

チュートリアル講演
・赤坂哲也　（NTT物性基礎研）「GaNのMOVPE成長と表面過飽和度」
・乙木洋平　（サイオクス）「VAS法によるGaN基板結晶とホモエピ成長およびGaN基板上成長による電子デバイス特性の向上」
・山口敦史　（金沢工大）「窒化物半導体の光物性」

招待講演
・飯田大輔　 （東京理科大学）「歪補償障壁層を用いた橙色InGaN系LED」
・石井良太　 （京都大学）「GaNとAlNの物性定数の同定と(Al,Ga)N系半導体の物性予測」
・榊　篤史　 （日亜化学）「放射光マイクロビームX線によるInGaN発光層の評価」
・出浦桃子　 （東北大学）「ナノインデンテーションを用いたInNの弾性特性の解明」

世話人
三宅秀人（三重大学），藤岡 洋（東京大学）

現地担当幹事
荒木 努（立命館大学），須田 淳（京都大学），船戸 充（京都大学）

【会期】 2015年 5月 7日（木） ～ 8日（金）
【会場】 片平さくらホール（東北大学片平キャンパス）

【基調講演】
松岡隆志　（東北大学）

【チュートリアル講演】
只友一行　（山口大学）
杉山正和　（東京大学）
須田　淳　（京都大学）

【招待講演】
安達正芳　（東北大学）
岩谷素顕　（名城大学）
谷保芳孝　（ＮＴＴ）
本田善央　（名古屋大学）

【世話人】
三宅秀人（三重大学）

【現地実行委員長】
福山博之（東北大学）

【現地担当幹事】
片山竜二（東北大学），谷川智之（東北大学）

日時：2014年7月25日～26日
会場：名城大学　天白キャンパス　名城ホール

基調講演
松本　功　（大陽日酸）

特別講演
大野雄高　（名古屋大学）

チュートリアル講演
熊谷義直　（東京農工大学）
上山　智　（名城大学）
船戸　充　（京都大学）
冨谷茂隆　（SONY）

招待講演
小林　篤　（東京大学）
谷川智之　（東北大学）

[世話人]
三宅秀人（三重大学）、藤岡　洋（東京大学）

[現地実行委員会]
成塚重弥（名城大学）、岩谷素顕（名城大学）

SiC結晶成長講演会

日時：2013年6月20日～21日
会場：大阪大学　銀杏会館3階　阪急電鉄・三和銀行ホール及び大会議室

特別講演
・松波弘之　（京都大学）「パワー半導体SiC－実用化へのみちのり」

チュートリアル
・土田秀一、鎌田功穂、長野正裕、宮澤哲哉、田沼良平（電中研）「4H-SiCエピ成長における拡張欠陥の挙動解析」
・大谷　昇　（関西学院大学）「昇華再結晶法によるSiCバルク単結晶の製造」

招待講演
・三浦成久　（三菱電機）「SiC-MOSFET －研究開発から製品展開へ－」
・渡部平司　（大阪大学）「熱酸化SiC-MOS界面物性の理解と制御」
・須田　淳、木本恒暢（京都大学）「4H-SiC中の点欠陥の解明と制御」
・吉川 健、川西咲子　（東京大学）「温度差法によるSiCの低温溶液成長と成長界面リアルタイム観察」
・宇治原徹　（名古屋大学）「マクロステップを利用した高品質SiC溶液成長」
・柿本浩一、Gao Bing、白桃拓哉、Frederic Mercier、西澤伸一、中野智、寒川義裕（九州大学、産総研）「昇華法におけるワイドギャップバルク半導体の結晶成長」

第5回窒化物半導体結晶成長講演会

日時：2013年6月21日～22日
会場：大阪大学　銀杏会館3階　阪急電鉄・三和銀行ホール及び大会議室

基調講演
・岸野克巳、柳原藍、井川雄介、高橋敦、石沢峻介、山野晃司（上智大学）「GaNナノコラムのデバイス展開」

チュートリアル
・上殿明良　（筑波大学）「窒化物半導体の陽電子消滅による空孔型欠陥の評価」
・竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇（名城大学）「窒化物半導体における分極の影響と発光素子への応用」
・藤原康文、小泉淳（大阪大学）「希土類元素を極める ～希土類添加窒化物半導体から何が見えてくるか～」

招待講演
・片山竜二、黒川周斉、吉野川伸雄、谷川智之、福原裕次郎、窪谷茂幸、尾鍋研太郎、松岡隆志（東北大学）「窒化物半導体フォトニックナノ構造の量子光学応用」
・徳本有紀、沓掛健太朗、大野裕、米永一郎（東北大学）「AlN薄膜への転位導入と伝搬挙動の観察」
・本田善央、久志本真希、名和健吾、土井友博、光成正、山口雅史、天野浩（名古屋大学）「Si加工基板を用いた非極性GaN結晶成長及び光デバイス応用」
・荒木努、山口智広、名西やすし（立命館大学）「DERI法を応用したRF-MBEによるInGaN成長と評価」

[世話人] 三宅秀人（三重大学）、森 勇介（大阪大学）、須田 淳（京都大学）、寒川義裕（九州大学）

[現地実行委員会]　委員長：森 勇介（大阪大学）、委員：今出 完（大阪大学）

ナノ構造・エピタキシャル成長分科会シンポジウム「高効率ナノエピタキシャル太陽電池の最先端」

日時：2012年4月26日(木)～4月27日(金)（午前）
会場：東京大学生産技術研究所 An棟2階 コンベンションホール

基調講演
・山口真史　（豊田工業大学）「III-V化合物半導体太陽電池：発展の歩みと今後の展望」

特別招待講演
・岡田至崇　（東京大学）「効率50%超を目指すIII-V量子ドット太陽電池」
・岩谷素顕　（名城大学）「窒化物半導体太陽電池の現状と将来展望」

イントロダクトリートーク
・杉山正和　（東京大学）「基礎から徹底解説：高効率太陽電池に向けたナノエピタキシャル成長技術」

招待講演
・鈴木秀俊　（宮崎大）「格子不整合系太陽電池結晶成長のin situ XRD観察」
・河原塚篤　（早稲田大）「量子井戸エキシトン太陽電池」
・野田武司　（物材機構）「AlGaAs/GaAs超格子太陽電池」
・菅谷武芳　（産総研）「多数積層量子ドット太陽電池」
・太野垣健　（京都大）「Ge/SiタイプII量子ドット太陽電池」
・アーサン・ナズムル（東大）「GaInNAs中間バンド太陽電池」

第4回窒化物半導体結晶成長講演会

日時：2012年4月27日(金)～4月28日(土)
会場：東京大学生産技術研究所 An棟2階 コンベンションホール

基調講演
・天野 浩 （名古屋大学）「格子不整合の克服を目指して…ヘテロボンドエンジニアリングの創成」

チュートリアル講演
・松本功（大陽日酸イーエムシー）「GaN用MOCVD装置の基礎と応用」
・川上養一（京都大学）「結晶からの発光を診る―空間・時間分解分光による評価―」
・三宅秀人、平松和政（三重大学）「SiドープAlGaNのMOVPE成長と紫外光源への応用」
・橋詰保（北海道大学）「GaNおよびAlGaNのバルク準位と界面準位評価」

招待講演
・有田宗貴、チェギヒョン、楊学林、荒川泰彦（東京大学）「MOCVD法による窒化物半導体ナノ構造の形成と光物性」
・今出完、高澤秀生、村上航介、今林弘毅、轟夕摩、北本啓、松尾大輔、丸山美帆子、吉村政志、森勇介（大阪大学）「Naフラックス法によるGaN単結晶成長の現状」
・寒川義裕、柿本浩一（九州大学）「AlN厚膜成長技術の提案 ～固体ソース溶液成長法～」
・富樫理恵、村上尚、熊谷義直、纐纈明伯（東京農工大学）「ハイドライド気相成長法によるInN結晶成長」

日程　2011年6月17日13:00 ～ 18日15:30
場所　九州大学 筑紫キャンパス 総合研究棟(C-CUBE) 筑紫ホール

基調講演
・吉川明彦（千葉大学）「窒化物半導体超薄膜量子井戸構造/短周期超格子の形成とSMART太陽電池への展開」

チュートリアル
・藤岡 洋（東京大学）「低温PXD成長技術を用いた高In組成InGaNの素子応用」
・福山博之（東北大学）「サファイア窒化法の熱力学と窒化機構およびその展開（仮題）」
・播磨 弘（京都工芸繊維大学）「GaN系窒化物半導体のラマン散乱分光法による評価」
・桑野範之（九州大学）「結晶の皺(しわ)を鑑(み)る。 － 電子顕微鏡による欠陥の解析 －」

招待講演
・村上 尚、富樫理恵、熊谷義直、纐纈明伯（東京農工大学）「In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長」
・西川 敦、寺井慶和、藤原康文（大阪大学）「OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用」
・赤坂哲也，小林康之，嘉数 誠（ＮＴＴ物性基礎研究所）「表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成」

奨励賞 受賞講演
・藤川紗千恵、平山秀樹（理研）「窒化物半導体を用いた深紫外 LED の開発」
・小島一信，山口敦史*，船戸 充，川上養一，野田進（京都大学、*金沢工業大学）「非極性面窒化物半導体の光学特性に関する理論的検討」

[世話人]藤岡洋（東京大学）、三宅秀人（三重大学）

[現地実行委員]寒川義裕（九州大学）

日程：2010年５月１４日（金）～１５日（土）
会場：三重大学　講堂（三翠ホール）

基調講演
・纐纈 明伯，熊谷 義直　(東京農工大学)「窒化物半導体のHVPE成長　－表面反応解析から結晶成長へ－」

チュートリアル講演
・長谷川文夫(筑波大学)「窒化物半導体高速・パワーデバイスの基礎と最近の進展」
・森勇介，北岡康夫，今出完，三好直哉，吉村政志，佐々木孝友 (大阪大学)「Naフラックス法によるバルクGaN結晶育成技術」
・西永　頌　(豊橋技術科学大学)「エピタキシャル成長における不純物ドーピングのメカニズム」

招待講演
・秩父重英、羽豆耕治、加賀谷宗人、尾沼猛儀（東北大学）「m面AlGaN混晶薄膜の発光スペクトルと構造・点欠陥の関係」
・岩谷素顕，上山　智，天野　浩，赤﨑　勇　(名城大学)「非極性・半極性窒化物半導体の結晶成長技術」
・秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳　(三重大学)「窒化物半導体非極性面の表面構造への量子論的アプローチ」
・岡田成仁，大下弘康，高見成希，栗栖彰宏，只友一行(山口大学)「サファイア加工基板を用いた非極性面GaN成長とその成長機構」
・本田善央，谷川智之，村瀬輔，光成正，山下康平，山口雅史　(名古屋大学)「加工Si基板上への非極性GaN選択成長」
・山口智広，荒木努，名西やすし(立命館大学)「DERI法を用いたIn系窒化物半導体の結晶成長とデバイス構造作製への応用」　

[世話人]三宅秀人（三重大学）

日時：2009年5月15日（金）～16日（土）
会場：東京農工大学（小金井キャンパス）１号館１階ホール

基調講演
・天野　浩、岩谷素顕、上山　智、赤崎　勇（名城大学）「持続可能な社会システム構築のための窒化物半導体の役割」

チュートリアル講演
・酒井　朗（大阪大学）「GaN薄膜成長と転位挙動　－透過電子顕微鏡評価を中心に－」
・秩父重英、羽豆耕治、尾沼猛儀（東北大学）、上殿明良（筑波大学）「非極性面窒化物半導体エピタキシャル薄膜成長の課題と光学遷移過程の特徴」
・西永　頌（豊橋技術科学大学）「成長機構の理解　－核形成と表面拡散の考え方－」

招待講演
・太田実雄、上野耕平、小林　篤、井上　茂、藤岡　洋（東京大学）「ＰＸＤ法による窒化物半導体の低温エピタキシャル成長」
・須田　淳(京都大学)「ポリタイプに着目したSiC極性面および無極性面上へのAlNのMBE成長」
・武内道一、青柳克信（立命館大学）「AlN～AlGaN MOCVD成長その場観察 -縦型深紫外発光素子実現にむけて」
・菊池昭彦、星野隼之、岸野克巳（上智大学)「Tiマスク選択成長法を用いたGaNナノウォール結晶のMBE成長」