2024年度 業績
学術論文
[1] T. Maeda, Y. Wakamoto, S. Kaneki, H. Fujikura, A. Kobayashi,
"Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1-xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method",
Applied Physics Letters 125, 022103 (2024).
[2] C. Savant, V. Gund, K. Nomoto, T. Maeda, S. Jadhav, J. Lee, M. Ramesh, E. Kim, T.-S. Nguyen, Y.-H. Chen, J. Casamento, A. Lal, H. G. Xing, D. Jena,
"Ferroelectric AlBN Films by Molecular Beam Epitaxy",
Applied Physics Letters 125, 072902 (2024). [selected as Featured Articles & Cover]
[3] T. Maeda, Y. Wakamoto, A. Kobayashi,
"Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application",
Proceedings of 2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS 2024).
[4] T. Maeda, K. Ema, K. Sasaki,
"Franz-Keldysh effect in β-Ga2O3 Schottky barrier diode under high reverse bias voltage",
Applied Physics Express 17, 124001 (2024). [open access]
[5] A. Kobayashi, T. Maeda, T. Akiyama, T. Kawamura, Y. Honda,
"Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics,"
Physica Status Solidi (a), 2025, 2400896 (2025). [invited review] [open access]
[6] K. Nomoto, J. A. Casamento, T.-S. Nguyen, L. Li, H. Lee, C. P. Savant, A. Hickman, T. Maeda,
J. Encomendero, V. Gund, T. Vasen, S. Afroz, D. Hannan, J. Hwang, D. Jena, H. G. Xing,
"AlScN/GaN HEMTs with 4 A/mm on-current and maximum oscillation frequency >130 GHz",
Applied Physics Express 18, 016506 (2025). [open access]
[7] S. Takahashi, K. Kamei, K. Oguchi, K. Kuruma, S. J. Spratt, H. Akaboshi, Y. Wakamoto, T. Maeda, Y. Ozeki,
"Broadband stimulated Raman hyperspectral imaging of cells and semiconductors with synchronized fibers and solid-state sources,"
Optics Express 33 (3), 3890 (2025). [open access]
[8] T. Okuda, S. Ota, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda, A. Kobayashi,
"Sputter epitaxy of ScAlN films on GaN high-electron-mobility transistor structure,"
Applied Physics Letters 126, 052105 (2025). [open access]
[9] T. Maeda, Y. Wakamoto, I. Sasaki, A. Munakata, M. Hiroki, K. Hirama, K. Kumakura, Y. Taniyasu,
"Thermionic Field Emission in a Si-doped AlN SBD with a Graded n+-AlGaN Top Contact Layer,"
IEDM 2024 Technical Digest, 25.4.
国際学会発表
[1] A. Kobayashi, T. Maeda, Y. Honda,
"Epitaxial Growth of Transition Metal Nitride on Nitride Semiconductors",
Optics & Photonics International Congress 2024 (LEDIA 2024),
Yokohama (Japan), April 2024. Oral.
[2] T. Maeda, A. Munakata, K. Ema, K. Sasaki,
"Characterization of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Toward Power Device Application",
International Union of Materials Research Societies – 18th International Conference on Electronic Materials 2024” (IUMRS – ICEM 2024),
Hong Kong (China), May 2024. Oral. [invited]
[3] Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda,
"Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Precisely Determined by Pulsed I-V Measurements for TLM Structure",
The 82nd Device Research Conference (DRC 82), Maryland (USA), June 2024, Poster.
[4] A. Munakata, K. Sasaki, K. Ema, Y. Nakano, M. Kobayashi, T. Maeda,
“Characterization of temperature dependence of barrier height in Ni/β-Ga2O3 SBD
over a wide temperature range and evaluation of valence band structure by XPS”,
The 66th Electronic Materials Conference (EMC 66), Maryland (USA), June 2024, Oral.
[5] Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda,
"Low-field and High-field 2DEG Transport Properties in AlGaN/GaN at High Temperatures",
The 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024), Sendai (Japan), August 2024, Poster.
[6] T. Maeda,
"Trasport Properties in GaN under High Electric Field",
The 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024), Sendai (Japan), August 2024, Oral. [invited]
[7] T. Maeda, I. Sasaki, M. Hiroki, K. Kumakura, K. Hirama, Y. Taniyasu,
"Analysis of Capacitance-Frequency Characteristics of Si-doped AlN Schottky Junction",
The 2024 Fall Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2024), Warszawa (Poland), September 2024, Oral.
[8] A. Kobayashi, T. Maeda, T. Akiyama, T. Kawamura, Y. Honda,
"Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides on Nitride Semiconductors",
The 2024 Fall Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2024), Warszawa (Poland), September 2024, Oral [invited]
[9] T. Maeda, Y. Wakamoto, A. Kobayashi,
"Characterization of ScAlN/GaN Toward Electronic Device Application",
2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS 2024),
Florida (USA), October 2024, Oral. [invited]
[10] Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda,
"Drift Velocity of 2DEG in AlGaN/GaN in Ultrawide Temperature Range from 25 K to 573 K",
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), Hawaii (USA), Nov. 2024, Oral.
[11] T. Maeda, I. Sasaki, M. Hiroki, K. Hirama, K. Kumakura, Y. Taniyasu,
"Barrier Height Inhomogeneity in Si-doped AlN Schottky Barrier Diodes on SiC substrates",
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), Hawaii (USA), Nov. 2024, Oral.
[12] T. Maeda, Y. Wakamoto, I. Sasaki, A. Munakata, M. Hiroki, K. Hirama, K. Kumakura, Y. Taniyasu,
"Thermionic Field Emission in a Si-doped AlN SBD with a Graded n+-AlGaN Top Contact Layer",
The 70th International Electron Devices Meeting (IEDM 2024), San Francisco, Dec. 2024, Oral.
プレスリリース: 「窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明 ―低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体デバイスの実現に向け大きく前進―」
国内学会発表
[1] 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也,
"AlGaN/GaN ヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の高温特性",
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Th-P06, 高知県立県民文化ホール, 2024年5月, ショートプレゼン&ポスター発表. [発表奨励賞]
[2] 佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 中野義昭, 前田拓也,
"SiドープAlNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性のサイズ依存性",
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Fr-P06, 高知県立県民文化ホール, 2024年5月, ショートプレゼン&ポスター発表. [発表奨励賞]
[3] 奥田朋也, 太田隼輔, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也, 小林篤,
"AlGaN/GaN HEMT 構造上への ScAlN 薄膜エピタキシャル成長",
第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, Fr-P05, 高知県立県民文化ホール, 2024年5月, ショートプレゼン&ポスター発表.
[4] 橋本晋亮, 関岳人, 前田拓也, 小林篤, 幾原雄一, 柴田直哉,
"ScAlN/GaNヘテロ接合界面の原子分解能STEM観察",
日本顕微鏡学会 第80回学術講演会, 3amH_M-1-04, 幕張メッセ, 2024年6月, 口頭発表.
[5] 前田拓也,
"ScAlN/GaN系電子デバイスの研究進展",
ワイドギャップ半導体学会 (WideG) 第17回研究会「GaN-HEMTデバイス技術の最新動向」, 主婦会館(東京),2024年7月, 口頭発表．[招待講演]
[6] 佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 中野義昭, 前田拓也,
"SiドープAlNショットキーバリアダイオードにおける順⽅向リーク電流の解析",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-A22-13, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[7] 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也,
"AlGaN/GaN⼆次元電⼦ガスにおけるドリフト速度-電界特性の温度依存性",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-A22-20, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[8] 奥⽥朋也, 太⽥隼輔, 河原孝彦, 牧⼭剛三, 中⽥健, 前⽥拓也, ⼩林篤,
"エピタキシャルScAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造の作製",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-A22-22, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[9] ⾼橋俊, ⻲井健⽃, ⼩⼝研⼀, ⾞⼀宏, スプラットスペンサー, ⾚星光, 若本裕介, 前⽥拓也, ⼩関泰之,
"ファイバー光パラメトリック発振器を⽤いた広帯域ハイパースペクトル誘導ラマン散乱イメージング",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-A37-6, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．
[10] 棟方晟啓, 佐々木公平, 江間研太郎, 中野義昭, 小林正起, 前田拓也,
"Ni/β-Ga2O3ショットキー障壁⾼さの温度依存性の起源: 温度上昇に伴うβ-Ga2O3価電⼦帯上端の上昇と伝導帯底の低下",
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 20p-22-1, 朱鷺メッセ(新潟), 2024年9月, 口頭発表．[講演奨励賞受賞記念招待講演]
[11] Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda,
"Temperature-Dependent Velocity-Field Characteristics of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructures",
The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS 43), 奈良, 2024年10月, ショートプレゼン&ポスター.
[12] K. Kubota, Y. Wakamoto, T. Kawahara, S. Yoshida, K. Makiyama, K. Nakata, Y. Nakano, A. Kobayashi, T. Maeda,
"Temperature-dependent Hall effect measurement of 2DEG in ScAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructure prepared by sputtering method",
The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS 43), 奈良, 2024年10月, ショートプレゼン&ポスター.
[13] T. Maeda, I. Sasaki, M. Hiroki, K. Hirama, K. Kumakura, Y. Taniyasu,
"Characterization of Ni/Si-doped AlN Schottky barrier diodes",
The 43rd Electronic Materials Symposium (EMS 43), 奈良, 2024年10月, ショートプレゼン&ポスター.
[14] 若本裕介, 高橋俊, 前田拓也, 小関泰之,
"誘導ラマン散乱を用いた 4H-SiC における自由電子密度の高速イメージング",
先進パワー半導体分科会 第11回講演会, Gメッセ群馬, 2024年11月, ポスター.
[15] 佐々木一晴, 廣木正伸, 平間一行, 熊倉一英, 谷保芳孝, 田中敦之, 本田善央, 前田拓也,
"SiC 基板上 AlN ショットキーバリアダイオードにおける障壁高さの局所低下",
先進パワー半導体分科会 第11回講演会, Gメッセ群馬, 2024年11月, ポスター.
[16] 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 前田拓也,
“AlGaN/GaNヘテロ接合における二次元電子ガスの飽和ドリフト速度の電子濃度依存性”
第72回応用物理学会春季学術講演会, 17p-K301-5, 3/17(月) 14:15-14:30 (2025).
[17] 久保田航瑛, 若本裕介, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 小林篤, 前田拓也,
“スパッタ成長ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガスの輸送特性”
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学 野田キャンパス, 17p-K301-6, 3/17(月) 14:30-14:45 (2025).
[18] 佐々木一晴, 廣木正伸, 熊倉一英, 平間一行, 谷保芳孝, 田中敦之, 本田善央, 中野義昭, 前田拓也,
“順バイアス印加AlNショットキーバリアダイオードのエミッション顕微鏡観察”
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学 野田キャンパス, 17p-K301-11, 3/17(月) 16:00-16:15 (2025).
[19] 前田拓也, 若本裕介, 佐々木一晴, 棟方晟啓, 廣木正伸, 平間一行, 熊倉一英, 谷保芳孝,
“組成傾斜AlGaNコンタクト層を有するAlN SBDにおける電流輸送機構の解明”,
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学 野田キャンパス, 17p-K301-12, 3/17(月) 16:15-16:30 (2025).
[20] 奥田朋也, 太田隼輔, 久保田航瑛, 前田拓也, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 小林篤,
"アニール処理を施したScAlN/AlGaN/GaNヘテロ接合の特性",
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学 野田キャンパス, 17a-K401-4, 3/17(月) 9:45-10:00 (2025).
[21] 太田隼輔, 奥田朋也, 久保田航瑛, 前田拓也, 河原孝彦, 牧山剛三, 中田健, 小林篤,
"AlGaN/GaN上へのScAlN薄膜の低温エピタキシャル成長",
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学 野田キャンパス, 17a-K401-5, 3/17(月) 10:00-10:15 (2025).
[22] 佐々木洸, 棟方晟啓, 小林正起, 山本涼太, 佐藤早和紀, 小林篤, 中野義昭, 前田拓也,
"X線分光測定によるGaN上スパッタ成長ScAlN薄膜の表面酸化状態の評価",
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学 野田キャンパス, 17a-K401-5, 3/17(月) 10:15-10:30 (2025).
[23] 逢坂拓征, 久保田航瑛, 佐々木洸, 磯憲司, 浅見明太, 杉山正和, 中根了昌, 前田拓也,
"RF-MBE法によるMnドープGaN半絶縁性基板上GaNホモエピタキシャル成長",
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学 野田キャンパス, 17a-K401-11, 3/17(月) 11:45-12:00 (2025).
[24] 前田拓也,
"組成傾斜AlGaNコンタクト層を有するAlN SBDにおけるほぼ理想的な熱電子電界放出の発現",
電気学会調査委員会 最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員会. [招待講演]