超低損失AlN系ショットキーバリアダイオードの試作に成功 -低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体の実現に向け大きく前進-

窒化物半導体に特有の混晶・ヘテロ接合技術を活用することで、窒化アルミニウム(AlN)系デバイスの中で最小のオン抵抗(0.34 mΩcm2)を示すショットキーバリアダイオード(SBD)の試作実証に成功しました。これらの結果は、AlN系電子デバイスの今後の発展に大きく寄与する結果です。

本研究はNTT物性科学基礎研究所との共同研究により実施されました。また、公益財団法人東レ科学振興会2024年度研究助成および公益財団法人矢崎科学技術振興記念財団2024年度研究助成の支援を受けて実施されました。

これらの内容は、大学院生の佐々木一晴くん(M2)がパワー半導体分野で最高峰の国際会議The 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2026)で発表し、ISPSD 2026 Charitat Award (若手最優秀賞)を受賞するなど非常に高く評価され、国際的に大きな注目を集めました。

I. Sasaki et al., "Extremely Low On-Resistance in AlN-based Schottky Barrier Diodes with Distributed Polarization Doping Drift Layer", ISPSD 2026.
※2026年8月ごろにProceedingsがIEEE Xplore digital libraryに公開されます