第86回応用物理学会秋季学術講演会で9件の発表を行います

2025年9月7-10日に名城大学 天白キャンパスで行われます第86回応用物理学会秋季学術講演会で下記9件の発表を行います．

13.7. 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
[1] 若本裕介*, 高橋俊*, 田中敦之**, 前田拓也*, 小関泰之*,
    *東京大学, **名古屋大学
    “誘導ラマン散乱顕微法によるGaN自立基板中レーザー誘起歪みの高速三次元イメージング”
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-N322-1, 9/8(月) 9:30-9:45 (2025).

[2] 佐々木一晴*, 廣木正伸**, 熊倉一英**, 平間一行**, 谷保芳孝**, 前田拓也*
    *東京大学, **NTT物性科学基礎研究所,
    “I-V , C-V 測定から求めたAlNショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性”
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-N322-3, 9/8(月) 14:30-14:45 (2025).

[3] 若本裕介*, 久保田航瑛*, 河原孝彦**, 吉田成輝**, 牧山剛三**, 中田健**, 小林篤***, 前田拓也*
    *東京大学, **住友電気工業株式会社, ***東京理科大学
    “ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における2DEGのShubnikov-de Haas振動”
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-N322-12, 9/8(月) 17:00-17:15 (2025).

[4] 久保田航瑛*, 若本裕介*, 河原孝彦**, 吉田成輝**, 牧山剛三**, 中田健**, 中根了昌*, 前田拓也*
    *東京大学, **住友電気工業株式会社
    “PA-MBE成⻑ScAlN/GaNへテロ接合における二次元電子ガスの輸送特性”
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-N322-13, 9/8(月) 17:15-17:30 (2025).

[5] 城谷光亮*, 佐藤早和紀**, 小林篤**, 前田拓也*,  
    *東京大学, **東京理科大学
    “GaN/sapphire基板上スパッタ成⻑ScAlN薄膜の電気的特性”,
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-N322-14, 9/8(月) 17:30-17:45 (2025).

[6] 李晉維*, 磯憲司**, 中根了昌*, 前田拓也*,
    *東京大学, **三菱ケミカル株式会社
    “半絶縁性GaN基板にSiイオン注入を用いて作製したGaN光伝導型スイッチの動作実証”,
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9a-N322-3, 9/9(火) 10:30-10:45 (2025).

15.4. III-V族窒化物結晶
[7] 高橋俊*, 若本裕介*, 車一宏*, 前田拓也*, 小関泰之*,
    *東京大学
    “誘導ラマン散乱を用いたGaN結晶中転位の高速3Dイメージング”
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N301-3, 9/9(火) 14:15-14:30 (2025).

[8] 奥田朋也*, 前田拓也**, 河原孝彦***, 牧山剛三***, 中田健***, 池田和久*, 小林篤*,  
    *東京理科大学, **東京大学, ***住友電気工業株式会社
    “ScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の電気特性へのScAlN成⻑温度の影響”,
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N321-9, 9/9(火) 15:45-16:00 (2025).

[9] 佐藤早和紀*, 若本裕介**, 前田拓也**, 舟窪浩***, 上野耕平**, 藤岡洋**, 池田和久*, 小林篤*,
    *東京理科大学, **東京大学, ***東京科学大学
    “スパッタ法でn型GaN上にエピタキシャル成⻑させたScAlNの強誘電性”,
    第86回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-N321-10, 9/9(火) 16:00-16:15 (2025).

応物暫定版プログラム: https://meeting.jsap.or.jp/jsapm/wp-content/uploads/2025/06/2025A_tentative-program_0626.pdf