第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会で発表を行います

5/30-6/1に高知県立県民文化ホールで行われます第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会で下記の発表を行います．

[1] 佐々木一晴*, 廣木正伸**, 熊倉一英**, 平間一行**, 谷保芳孝**, 中野義昭*, 前田拓也*,
    *東京大学, **NTT物性科学基礎研究所
    "SiドープAlNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性のサイズ依存性".

[2] 若本裕介*, 河原孝彦**, 吉田成輝**, 牧山剛三**, 中田健**, 前田拓也*,
    *東京大学, **住友電気工業株式会社
    "AlGaN/GaN ヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の高温特性".

[3] 奥田朋也*，太田隼輔*，河原孝彦**，牧山剛三**，中田健**，前田拓也***，小林篤*
    *東京理科大学, **住友電気工業株式会社, ***東京大学
    "AlGaN/GaN HEMT 構造上への ScAlN 薄膜エピタキシャル成長" 

前田はナノエピ講演会の実行委員(展示)を務めております (Link)．