前田拓也講師が第24回船井研究奨励賞を受賞しました

受賞題目「次世代パワーデバイスに向けた窒化物ワイドギャップ半導体の高電界物性の解明」 

船井研究奨励賞は、情報科学、情報技術分野を中心に広く理工系分野において、顕著な研究業績があった若手研究者に授与される賞です。日本の科学技術に関する研究の向上、発展に寄与することを目的としています。 対象者は、国内の大学あるいは公的研究機関に所属し、船井研究奨励賞は博士号取得後5年以内の研究者です。評価の視点は、学術的な新規性だけでなく、産業への応用可能性等も含まれています。

公益財団法人 船井情報科学振興財団HP (link)