SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造上へのスパッタ法によるScAlNエピタキシャル成長とその構造特性・2DEG輸送特性に関する論文がApplied Physics Letters (共著)に公開されました

東京理科大学の小林篤先生らの研究グループおよび住友電気工業株式会社との共同研究に関する内容がApplied Physics Lettersに公開されました．

T. Okuda, S. Ota, T. Kawahara, K. Makiyama, K. Nakata, T. Maeda, A. Kobayashi,
"Sputter epitaxy of ScAlN films on GaN high electron mobility transistor structures,"
Applied Physics Letters 126, 052105 (2025). [open access]