スパッタ成長ScAlN/GaNの構造・光学物性に関する論文がApplied Physics Lettersに公開されました

2024/07/08に下記の論文が公開されました．

[1] T. Maeda*, Y. Wakamoto, S. Kaneki**, H. Fujikura**, A. Kobayashi***,
    *The University of Tokyo, **Sumitomo Chemical Co. Ltd., ***Tokyo University of Science
    "Structural and optical properties of epitaxial ScxAl1−xN coherently grown on GaN bulk substrates by sputtering method",
    Applied Physics Letters 125, 022103 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0213662 

近年，強誘電性デバイス(FeRAM, FeFET)や新規GaN HEMTのバリア層として注目されるScAlNをスパッタ成長によって高品質GaNバルク結晶上にヘテロエピタキシャル成長し，その構造特性や光学物性を様々な手法で評価した内容です．GaN上にコヒーレント成長したScAlNの格子定数やその屈折率や消衰係数，光学的なバンドギャップが明らかになりました．これらの結果は，ScAlN/GaN系光電子デバイスの今後の発展において有益な知見です．

本研究は，科学技術振興機構(JST) 創造的研究推進事業 ACT-Xのご支援のもとで実施されました．
また，マテリアル先端リサーチインフラ(ARIM)事業の支援を受けて実施されました．