佐々木一晴くん (B4)・若本祐介くん (M1) が第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会にて発表奨励賞を受賞しました

2024年5/30-6/1に高知県立県民文化ホールで行われました第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会にて，
佐々木一晴くん(B4)および若本裕介くん(M1)が下記の発表に対して発表奨励賞を受賞しました．

[1] 佐々木一晴*, 廣木正伸**, 熊倉一英**, 平間一行**, 谷保芳孝**, 中野義昭*, 前田拓也*,
    *東京大学, **NTT物性科学基礎研究所
    "SiドープAlNショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性のサイズ依存性".

[2] 若本裕介*, 河原孝彦**, 吉田成輝**, 牧山剛三**, 中田健**, 前田拓也*,
    *東京大学, **住友電気工業株式会社
    "AlGaN/GaN ヘテロ接合における二次元電子ガスのドリフト速度の高温特性".

発表奨励賞の表彰は，ナノエピ分科会の講演会において結晶成長及び関連の研究の発展に貢献する優秀な論文を発表した若手会員に対して授与し，その功績を称えることを目的としています．原則として発表年月日において満3歳以下または大学院修士・博士課程学生で，優秀な発表をした者（発表総数の10%程度）に対して授与されます．

ナノ構造エピタキシャル成長講演会 HP (Link)