先進パワー半導体分科会第12回講演会で3件一般講演, 1件の招待講演を行います

2025年11月に奈良県橿原で開催されます先進パワー半導体分科会第12回講演会で下記4件の発表を行います．

[1] 前田拓也*, 佐々木一晴*, 廣木正伸**, 平間一行**, 熊倉一英**, 谷保芳孝**,
    *東京大学, **NTT物性科学基礎研究所
    "AlN系ショットキーバリアダイオードの研究進展",
    先進パワー半導体分科会第12回講演会, 富山国際会議場, 11月 (2025). [招待講演]

[2] 若本裕介*, 高橋俊*, 田中敦之**, 前田拓也*, 小関泰之*,
    *東京大学, **名古屋大学
    "誘導ラマン散乱を用いたGaN自立基板における応力分布の高速3次元評価",
    先進パワー半導体分科会第12回講演会, 富山国際会議場, 11月 (2025).

[3] 佐々木一晴*, 廣木正伸**, 熊倉一英**, 平間一行**, 谷保芳孝**, 前田拓也*,
    *東京大学, **NTT物性科学基礎研究所
    "深いドナー準位に起因した空乏層効果を考慮した容量-電圧特性の解析による
      AlN 基板上 AlN ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性",
    先進パワー半導体分科会第12回講演会, 富山国際会議場, 11月 (2025).

[4] 李晉維*, 磯憲司**, 中根了晶*, 前田拓也*,
    *東京大学, **三菱ケミカル
    "半絶縁性GaN基板にSiイオン注入を用いたGaN光伝導型スイッチの光電流輸送特性",
    先進パワー半導体分科会第12回講演会, 富山国際会議場, 11月 (2025). 

先進パワー半導体分科会第12回講演会HP: Link