β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性に関する論文がApplied Physics Expressに採択されました

金属/酸化ガリウム(β-Ga2O3)ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性の精密評価に関する論文がApplied Phsyics Expressに採択されました．本研究では，酸化ガリウムにおける電子移動度が高くないことから熱電子放出に加えて拡散過程による電流制限を考慮する必要性を指摘し，熱電子放出-拡散(Thermionic Emission-Diffusion)理論に基づいた解析を行うことで，容量-電圧(C-V )特性および電流-電圧(I-V )特性から一貫した温度依存性を得ることができました．これらの結果は，酸化ガリウム電子デバイスの温度依存性の設計や特性予測に役立つ結果です．

A. Munakata*,  K. Sasaki**, K. Ema**, T. Maeda*,
*The University of Tokyo, **Novel Crystal Technology, Inc. 
"Temperature dependence of barrier height in Ni/β-Ga2O3 Schottky barrier diode precisely determined by the analysis based on thermionic emission-diffusion model,"
Applied Physics Express 18, 074001 (2025).

これらの内容については，棟方晟啓くん(M2)が第70回応用物理学会春季学術講演会で発表し，講演奨励賞を受賞しています．