国際会議 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) にて2件の発表を行います

2024年11月3日-8日にHawaii (USA)にて行われる国際会議IWN 2024にて，下記の内容で発表を行います．

[1] Y. Wakamoto*, T. Kawahara**, S. Yoshida**, K. Makiyama**, K. Nakata**, T. Maeda*,
      *The University of Tokyo, **Sumitomo Electric Industries, Ltd.
      "Drift Velocity of 2DEG in AlGaN/GaN in Ultrawide Temperature Range from 25 K to 573 K",
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), Hawaii (USA), Nov. 2024, Oral. 

[2] T. Maeda*, I. Sasaki*, M. Hiroki**, K. Hirama**, K. Kumakura**, Y. Taniyasu**,
      *The University of Tokyo, **NTT Basic Research Labratory, NTT Corporation
      "Barrier Height Inhomogeneity in Si-doped AlN Schottky Barrier Diodes on SiC substrates",
     International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), Hawaii (USA), Nov. 2024, Oral. 

IWNは窒化物半導体に関する最大規模の国際会議であり，世界中から1000人程度の参加者が一同に会して，結晶成長や物性評価，光デバイス，電子デバイス，理論など広範な研究トピックについて研究発表・議論を行います．International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)と隔年開催されます．

IWN 2024 HP (Link)