国際会議 IEDM 2024で発表を行います

2024年12月7-11日に米国San Franciscoで行われます国際会議 The 70th International Electron Devices Meeting (IEDM)において，下記の発表を行います．

Tuesday, December 10, 2024 - 02:15 PM
Session: 25 | PMA| High Voltage Wide Bandgap Power Devices
[1] T. Maeda*, Y. Wakamoto*, I. Sasaki*, A. Munakata*, M. Hiroki**, K. Hirama**, K. Kumakura**, Y. Taniyasu**,
    *The University of Tokyo, **NTT Basic Research Lab., NTT Corporation
    "Thermionic Field Emission in a Si-doped AlN SBD with a Graded n+-AlGaN Top Contact Layer",
    The 70th International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco (USA), 25.4 (2024).

"IEDM" (国際電子デバイス会議) は，電子デバイス分野で最もレベルが高いとされる国際会議であり，ここで発表することがデバイス研究者の共通の目標です．前田研究室としては本発表が初の採択・発表となります．

前田はIEDM 2023に続き，IEDM 2024においてもPower, Microwave/Mm-Wave and Analog Devices/Systems (PMA)領域のSub-committee (論文委員)を務めております．今年度はSession: 40 | PMA | Device Physics in Wide-Bandgap Power Devices (Wednesday, December 11 • 1:30 PM - 5:20 PM PST)の座長を務めます．

The 70th IEDM HP (link)