Coloquio del 24/05/2012

Estudio y manufactura de películas delgadas amorfas de SiC y AlN

Gonzalo Gálvez

Sección Física PUCP

Lugar:

Auditorio de Física PUCP

(Av. Universitaria cdra. 18, San Miguel, Lima)

Fecha y hora:

Jueves 24/05/2012, 12:30 p.m.

Los compuestos semiconductores de SiC y AlN monocristalinos son adecuados, por ejemplo, para dispositivos optoelectrónicos en la región de espectro ultravioleta debido a su ancho de banda (3 eV a 6.2 eV). El sistema análogo amorfo (SiC)_1-x(AlN)_x se destaca por su fácil preparación y bajo costo.

Las películas delgadas amorfas de (SiC)_1-x(AlN)_x son manufacturadas y estudiadas en la Pontificia Universidad Católica del Perú (PUCP) usando la técnica de deposición de rf magnetrón sputtering. Los materiales usados como fuentes (target) son SiC y AlN policristalinos altamente puros, preparados en la universidad de Friedrich-Alexander, las cuales aseguran, en contraste con los targets cerámicos comercialmente disponibles, la calidad semiconductora de las películas amorfas.

Se estudió la emisión característica de los materiales. Se determinó la variación espacial de la razón de deposición para los targets de SiC y AlN para poder predecir la distribución del espesor y la variación de la composición sobre el sustrato para la mezcla de (SiC)-(AlN), así como algunas propiedades eléctricas.

Las investigaciones que se realizan en el laboratorio de materiales son parte de la colaboración entre la PUCP y la universidad Friedrich-Alexander, Erlangen-Nürnberg, Alemania, con el financiamiento de la DFG (Fundación Alemana de Investigación). (Click aquí para ver el afiche.)

Ingreso libre. Habrá café y galletas.

Informes: coloquios@fisica.pucp.edu.pe