Coloquio del 16/03/2012

Caracterización de películas delgadas semiconductoras

de un amplio ancho de banda dopadas con tierras raras

Andrés Guerra

Sección Física PUCP

Lugar:

Auditorio de Física PUCP

(Av. Universitaria cdra. 18, San Miguel, Lima)

Fecha y hora:

Viernes 16/03/2012, 1:00 p.m. (horario excepcional)

Las películas mono-cristalinas semiconductoras de materiales con un amplio ancho de banda como carburo de silicio (c-SiC), nitruro de silicio (c-Si₃N₄) o nitruro de aluminio (c-AlN) son de creciente interés en investigación y desarrollo para aplicaciones ópticas. Esto se debe principalmente a las extraordinarias propiedades del SiC, el Si₃N₄ y el AlN, como son su alto voltaje de ruptura y conductividad térmica, en contraste con los semiconductores usuales como GaAs y Si. Asimismo, un amplio ancho de banda permite la emisión a temperatura de ambiente en todo el rango visible, gracias al dopaje con tierras raras, cubriendo los colores básicos azul (Tm³⁺), verde (Tb³⁺) y rojo (Eu³⁺). De otro lado, es posible hacer "ingeniería del ancho de banda", variando la proporción (x) de los materiales en el compuesto Al_1.xSi_xN. Ello abre la posibilidad de manipular las propiedades de emisión, como ya fue demostrado por otro grupo en el sistema Al_1.xGa_xN y por nuestro grupo en el sistema (SiC)_1-x(AlN)_x.

Las contrapartes amorfas (a-SiN y a-AlN) tienen la ventaja de ser producidas de manera simple y menos costosa que las cristalinas, sin la desventaja de perder importantes propiedades propias de los cristales. Adicionalmente, hay aspectos que difieren del caso cristalino. Por ejemplo, el carácter indirecto de las transiciones en c-Si₃N₄ está ausente en el caso amorfo, por lo que las aplicaciones en optoelectrónica parecen prometedoras. En el caso de a-AlN incluso sería posible pensar en aplicaciones cerca de la región ultravioleta, debido a su amplio ancho de banda, de 5.61 eV. (Click aquí para ver el afiche.)

Ingreso libre. Habrá café y galletas.

Informes: coloquios@fisica.pucp.edu.pe