2000年度 第１回
粉体操作に伴う諸現象に関する勉強会
日時：2000年8月11日（金）12（土）
場 所：車山ハイランドホテル
－プログラム－
第１日目
13:30 開会挨拶
13:35-13:45 自己紹介
13:45-14:45 特別講演1（含質疑応答）
「高分子微粒子を利用したDDS製剤の設計」
岐阜薬科大学 製剤学教室 山本 浩充 氏
講演要旨： 我々の研究室では従来より球形晶析技術を応用し様々な粉体物性の改善や機能性製剤の設計を行ってきました。現在は本晶析技術を高分子に適用し、マイクロスフェアやナノスフェアといった高分子微粒子薬物キャリアを設計し、さらにこれら粒子に機能性を賦与したDDS製剤に関する研究を行っています。今回は微粒子をどのように調製し、応用しているのかについて議論できればと思います。
14:45-15:00 休憩
15:00-16:00 特別講演2（含質疑応答）
「単分散シリカ微粒子の調製と機能性の付与技術」
山形大学 工学部 物質化学工学科 木俣 光正 氏
講演要旨： 金属アルコキシドの加水分解・重縮合により比較的容易に単分散球状酸化物微粒子を合成することができる。しかし，そのサイズはサブミクロン以下であり、更に大きな粒子の合成には一度合成した粒子を種（シード）として成長させる、いわゆるシード粒子成長法によってミクロンオーダーの粒子合成が可能となる。本法によりミクロンオーダーのシリカ微粒子が得られているが、合成過程で新たに発生する微小粒子を分級によって除去しなければならない。ここでは、そのような微小粒子が発生しない条件下でのミクロンオーダーの単分散シリカ粒子の調製法について示す。また、本シード粒子成長法を利用して種類の異なる酸化物をコーティングした単分散複合微粒子を合成し、導電性などの機能を付与させる技術についても紹介する。
16:00-16:15 休憩
16:15-17:15 研究発表会1
参加者（研究グループ）の20分程度発表（含質疑応答）
17:15-19:30 夕食・入浴等
19:30-21:30 研究発表会２
参加者（研究グループ）の20分程度発表（含質疑応答）
第２日目
9:00-10:00 特別講演3（含質疑応答）
「CVD成膜プロセスにおける微粒子の発生と薄膜の形態におよぼす影響の評価」
理化学研究所 レーザー反応工学研究室 藤本 敏行 氏
講演要旨： 大規模集積回路（ＬＳＩ）は主にシリコンの単結晶のウェハ上に半導体、絶縁体、誘電体、金属の薄膜を堆積することで製造される。これらの薄膜は、スパッタ法、ゾル－ゲル法、メッキなどによっても堆積されるが、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition; 化学気相成長）法による薄膜の堆積は、ＬＳＩの製造に不可欠な技術となっている。近年ではＬＳＩの高集積化を達成するため、配線パターンが微細化しており、成膜過程で発生する微粒子によるデバイスの汚染が問題となっているが、ＣＶＤプロセスでは成膜過程は非常に複雑であり、成膜過程の解析は容易ではない。そこで、本研究では、シンプルなモデルリアクタを用いてＣＶＤプロセスでの微粒子発生が薄膜の成長におよぼす影響について検討した。
10:00-10:15 休憩
10:15-11:55 研究発表会3
参加者（グループ）の20分程度発表（含質疑応答）
11:55 閉会挨拶