September 6 (Fri), 2019, 13:00-17:30
Noyori Conference Hall, Higashiyama Campus, Nagoya University
Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8602, Japan
(Bldg. E3-1 at Higashiyama Campus Map)
次の卓越した進化する社会に向けた半導体デバイスの技術革新に関する現状と将来展望について議論する。具体的には先端CMOS技術、新規メモリ技術、シリコン量子コンピューティング、新材料、パワー・通信デバイスの第一線の研究者をお招きして講演いただくとともに議論を行う。
In this symposium, current status and future perspectives of semiconductor device technology innovations are presented by leading researchers toward next distinguished evolutional world. The topics include advanced CMOS technology, novel memory technology, Si quantum computing, 2D material for manufacturing, and power/communication devices.
Registration deadline is 1 September (Sun), 2019.
IEEE EDSの会員の皆様へ（お詫び）
メーリングリストにおいて「IEEE EDS会員は参加費無料」と記載がありましたがこちら誤りでした。ご迷惑をおかけして大変申し訳ございません。
IEEE EDS会員の皆様におかれましても、現所属に基づき参加区分が適用されます。ご了承頂きたく何とぞよろしくお願いいたします。
For attendees: Please answer the survey and get the slides materials.
General Chair: Toshiro Hiramoto (University of Tokyo)
Program Chair: Shigeru Kawanaka (Toshiba Memory Corp.)
Program Committee Members: Masaharu Kobayashi (University of Tokyo), Shoichiro Kawashima (Fujitsu Semiconductor), Yoshihiro Hirota (Tokyo Electron), Shinichi Miyake (Sony Semiconductor Solutions Corp.), Tadashi Minotani (NTT), Tomoo Nakayama (Renesas Electronics Corp.), Toshiaki Ozeki (Panasonic Semiconductor Solutions)
Secretary: Tetsuya Iizuka (University of Tokyo), Ittetsu Taniguchi (Osaka University), Kiichi Niitsu (Nagoya University)
Sponsored by:
165 Research Committee in Japan Society for the Promotion of Science
Cooperated by:
IEEE EDS Japan Joint Chapter
IEEE SSCS Japan Chapter / Kansai Chapter
学会委員7名・産業界委員5名・講演者5名・その他44名（合計61名）