b1. 国際シンポジウム

超低電圧VLSIデバイス・回路に関する国際シンポジウム

International Symposium on Extremely Low Voltage VLSI Devices and Circuits (English Page)

2013年6月15日（土）09:00-14:35 （開場08:40）

京都リサーチパーク (KRP) サイエンスホール（東地区1号館4階）

〒600-8815京都市下京区中堂寺南町134番地

http://www.krp.co.jp/access/index.html

June 15, Saturday, 2013, 09:00-14:35 (08:40 Open)

Kyoto Research Park Corp. Science Hall (Building No. 1 in Eastern Zone)

134, Chudoji Minami-machi, Shimogyo-ku, Kyoto 600-8813, Japan

http://www.krp.co.jp/english/access/index.html

開催趣旨 (Scope)

本格的なクラウドコンピューティング・ビックデータ時代の到来に際し、半導体の微細高速化は消費電力増大という課題をかかえ、その低減が熱望されている。また、医用エレクトロニクスやセンサーネット等広い応用をめざし、極低消費電力デバイスシステムの研究が盛んに行われている。今回のシンポジウムでは、それらのデバイス・材料的な研究の進捗と、それを使いこなす回路システムに光を当て、将来の半導体システムのあるべき姿について総合的な議論を行う事を目的とする。

Power consumption of semiconductor devices and LSIs in the network system has become a major issue as the cloud computing and IoT (Internet of Things) has become a part of our daily lives. Moreover, research on extremely low voltage VLSI system, which could be applied in a variety of fields such as medical electronics, sensor network, has been conducted intensively. In this symposium, we shed light on the progress on the devices/materials as well as circuit in the system in order to discuss the feature of the LSI systems in the developing fields.

プログラム (Program)

引き続き同じ会場でFD-SOI Workshopが開催されます．

After the symposium, FD-SOI Workshop will be held in the same venue.

参加登録 (Registration)

こちらのフォームに記入してください．（引き続き開催されるFD-SOI Workshopに参加される場合には，FD-SOI Workshopでも参加登録をして下さい．）

Registration fee: 20,000 Japanese Yen. Pay in cash.

Fill this form to make registration.

Organizing Committee Members

General Chair: Toshiro Hiramoto (University of Tokyo)

Program Chair: Akira Nishiyama (Toshiba)

Program Vice Chairs: Dai Hisamoto (Hitachi), Makoto Takamiya (University of Tokyo)