11月国際ワークショップ
International Symposium on Advanced Devices and Process
Nov. 5, 2003
Diamond Hotel, Hanzomon, Tokyo, Japan
Sponsored by "Ultimately Integrated Devices and Systems" Research Committee (165 Committee) the Japan Society for the Promotion of Science
主催
日本学術振興会シリコン超集積化システム第165委員会
日時
2003年11月5日（水曜日）9時45分- 18時00分
会場
ダイヤモンドホテル , 地下鉄半蔵門線半蔵門駅Ａ4出口出てすぐ
問い合わせ先
学振165委員会庶務幹事: 藤島 実(mfuji@sf.t.u-tokyo.ac.jp), Tel: 04-7136-3849, Fax: 04-7136-3850
スコープ
本国際シンポジウムは、 将来のVLSIのための先端デバイスおよびプロセス技術に関し、 集中的に議論することが目的です。 シンポジウムでは、先端CMOSテクノロジーおよび不揮発性メモリーの2つの重要な技術を、 特に重点的に討議します。CMOSデバイスおよび不揮発性メモリーの双方には、 今後非常に多くの技術的なオプションがあり、先端構造および新材料の導入が重要な課題になります。 シンポジウムでは、招待講演者によってこれらの技術および将来の展望が示され、 集中的な議論を行います。
この会議は11月6日から7日にかけて東京お台場、日本科学未来館にて開催されますIWGI2003（International Workshop on Gate Insulator 2003）の サテライト会議にも位置付けられています。
参加費
参加費は, 2000円です.当日現金にてお支払下さい. なお,学振165委員会発行の参加無料券をお持ちの方は,無料となります. 必ず当日無料券をお持ち下さい.
お持ちでない場合は有料とさせて頂きます.
申し込み方法
下記にご記入の上mfuji@sf.t.u-tokyo.ac.jpまでご返送ください。
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申し込み
氏名：
所属：
電話:
電子メールアドレス：
ご返送先：mfuji@sf.t.u-tokyo.ac.jp
申し込み締め切り10月24日（金）
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