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開催日: 2011年2月10日
場所: 東京大学 生産技術研究所 総合研究実験棟(An棟) 2階 コンベンションホール
〒153-8505 東京都目黒区駒場4-6-1
VLSIにおけるトランジスタ高性能化の最大の課題に一つである特性ばらつきに特化した国際シンポジウムを開催し，海外から著名な講演者を招待することにより，海外における研究動向を把握するとともに，将来への展望を議論する．また，MIRAIプロジェクトのロバストトランジスタプログラムが2011年3月で終了するのに合わせ，同プログラムの成果を総括することも目的とする．
10:00
Opening
T. Mogami (Selete)
10:10
Simulation of Variability
A. Asenov (Univ of Glasgow)
10:50
Variability: Measurement Study
T. Tsunomura (Selete)
11:30
Variability in FDSOI MOSFETs
F. Andrieu (LETI)
12:10
Lunch
13:10
Impact of Random Telegraph Noise on Scaled MOS Transistors
K. Takeuchi (Renesas)
13:50
NBTI Characterization and Modeling
S. Mahapatra (IIT Bombay)
14:30
Atom Probe Technology for Variability Study
Y. Nagai (Tohoku Univ)
15:10
Break and Poster Viewing
15:50
The Impact of Technology Variability on Performance and Resilience
Sani Nassif (IBM)
16:30
Implications of Variability for Circuits
T. Sakurai (Univ of Tokyo)
17:10
Closing
T. Hiramoto (Univ of Tokyo)
一般参加
参加費は20,000円です.一般参加申し込みはこちらよりお願いします.参加申し込み、振り込み期限は2/7(月曜)です。
学振165委員会会員企業社員・学界委員関係者, MIRAIプロジェクト・ロバストトランジスタプログラム関係者, 大学等教育機関の方
参加費は無料です.こちらより申し込みください。定員になり次第、受付を終了いたします。
会員企業以外の皆様へ: 165委員会では会員企業を募集しています.会員企業は本国際シンポジウム参加が無料となるほか、各種特典がございます.くわしくはこちらをご覧ください
Symposium Chair: Tohru Mogami
Program Chair: Toshiro Hiramoto
Secretary: Makoto Takamiya, Masanori Hashimoto
Member: Satoshi Inaba, Akio Nishida, Shiro Kamohara, Akira Nishiyama, Kazuyoshi Torii
共催
日本学術振興会 シリコン超集積化システム第165委員会
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