8月VLSI夏の学校

平成19年8月20日(月)、8月21日(火) に「CMOS回路設計者のためのデバイス基礎講座」のテーマでVLSI夏の学校を開催いたします。 今後、CMOS集積回路設計に携わる若手技術者に大変ためになる講義ですの で、奮ってご参加ください。 なお、一部講師は異なりますが、昨年とほぼ同じ内容です。

タイトル

開催の趣旨

場所

主催

協賛

日時と講座内容

定員

受講対象者

参加費

お申し込み

「VLSI夏の学校 ~CMOS回路設計者のためのデバイス基礎講座~」

LSI設計の現場で担当業務の細分化が進むにつれて、デバイスの知識 に乏しい技術者が回路設計を行うケースが増加している。 一方、RF回路や高速デジタル回路等の最先端LSIの回路設計では、 従来にも増してデバイスへの深い知識が要求されている。 そこで、本講座では、CMOS回路設計者向けに、MOSデバイスの知識を 系統的に整理することを目的とし、 5名の講師がデバイスの基礎について、チュートリアル講演を行う。

千里ライフサイエンスセンター 5F ライフホール

560-0082 大阪府豊中市新千里東町1-4-2

千里中央駅(北大阪急行電鉄, 大阪モノレール)下車.

http://www.senrilc.co.jp/

独立行政法人 日本学術振興会 シリコン超集積化システム第165委員会

IEEE EDS Japan Chapter

IEEE SSCS Japan Chapter

東京大学VDEC

8月20日(月)

10:30~12:30 「MOSトランジスタの基礎」 平本俊郎 (東京大学)

デバイス動作の基礎理論、ロードマップ、スケーリング則、短チャネル効果、移動度、温度依存

13:30~15:30 「MOSトランジスタのモデリング」 鎌倉良成 (大阪大学)

MOSFET動作に関する諸効果とそのシミュレーションによる理解、SPICE用モデ ルなど。

15:30~17:30 「LSI配線の設計手法」 佐藤高史 (東京工業大学)

LSI配線のモデリング、設計手法、将来トレンド

8月21日(火)

10:00~12:00 「高性能Analog/RFに向けたデバイス技術」大黒達也 (東芝)

1/fノイズ、ft,fmaxなどのRFデバイス特性

13:00~15:00 「MOSトランジスタの特性ばらつき」増田弘生 (ルネサステクノロジ)

チップ内/チップ間の特性ばらつきの実測とモデル化

15:00~17:00 「将来に向けてのデバイス研究動向」平本俊郎 (東京大学)

high-k、ひずみ、新構造MOSFET、基板バイアス制御

定員:350名

(定員になり次第締め切らせていただきます)

CMOS回路設計者。

特に企業の若手技術者や、大学院生。 デバイスの知識は問わない。

・大学関係者及び165委員会会員企業 無料

・165委員会非会員企業 1名につき 30,000円(含:テキスト代)

●会員企業の一覧はこちら

●非会員企業の皆様へ

165委員会では会員企業を募集しています。会員企業は本セミナ参加が無料となるほか、各種特 典がございます。

くわしくはこ ちらをご覧ください。

●請求書・領収書等について

参加費は銀行振込にてお支払いください。 有料申込をされた方には振込先をご連絡いたします。

なお、請求書に基づく後払いには対応できません。有料参加者の方には, 「会 社名 個人名」宛の領収書を当日お渡し致します.

定員に達しましたので, 申込みを締め切りました.