8月VLSI夏の学校
平成19年8月20日(月)、8月21日(火) に「CMOS回路設計者のためのデバイス基礎講座」のテーマでVLSI夏の学校を開催いたします。 今後、CMOS集積回路設計に携わる若手技術者に大変ためになる講義ですの で、奮ってご参加ください。 なお、一部講師は異なりますが、昨年とほぼ同じ内容です。
タイトル
開催の趣旨
場所
主催
協賛
日時と講座内容
定員
受講対象者
参加費
お申し込み
「VLSI夏の学校 ~CMOS回路設計者のためのデバイス基礎講座~」
LSI設計の現場で担当業務の細分化が進むにつれて、デバイスの知識 に乏しい技術者が回路設計を行うケースが増加している。 一方、RF回路や高速デジタル回路等の最先端LSIの回路設計では、 従来にも増してデバイスへの深い知識が要求されている。 そこで、本講座では、CMOS回路設計者向けに、MOSデバイスの知識を 系統的に整理することを目的とし、 5名の講師がデバイスの基礎について、チュートリアル講演を行う。
千里ライフサイエンスセンター 5F ライフホール
〒560-0082 大阪府豊中市新千里東町1-4-2
千里中央駅(北大阪急行電鉄, 大阪モノレール)下車.
http://www.senrilc.co.jp/
独立行政法人 日本学術振興会 シリコン超集積化システム第165委員会
IEEE EDS Japan Chapter
IEEE SSCS Japan Chapter
東京大学VDEC
8月20日(月)
10:30~12:30 「MOSトランジスタの基礎」 平本俊郎 (東京大学)
デバイス動作の基礎理論、ロードマップ、スケーリング則、短チャネル効果、移動度、温度依存
13:30~15:30 「MOSトランジスタのモデリング」 鎌倉良成 (大阪大学)
MOSFET動作に関する諸効果とそのシミュレーションによる理解、SPICE用モデ ルなど。
15:30~17:30 「LSI配線の設計手法」 佐藤高史 (東京工業大学)
LSI配線のモデリング、設計手法、将来トレンド
8月21日(火)
10:00~12:00 「高性能Analog/RFに向けたデバイス技術」大黒達也 (東芝)
1/fノイズ、ft,fmaxなどのRFデバイス特性
13:00~15:00 「MOSトランジスタの特性ばらつき」増田弘生 (ルネサステクノロジ)
チップ内/チップ間の特性ばらつきの実測とモデル化
15:00~17:00 「将来に向けてのデバイス研究動向」平本俊郎 (東京大学)
high-k、ひずみ、新構造MOSFET、基板バイアス制御
定員:350名
(定員になり次第締め切らせていただきます)
CMOS回路設計者。
特に企業の若手技術者や、大学院生。 デバイスの知識は問わない。
・大学関係者及び165委員会会員企業 無料
・165委員会非会員企業 1名につき 30,000円(含:テキスト代)
●会員企業の一覧はこちら
●非会員企業の皆様へ
165委員会では会員企業を募集しています。会員企業は本セミナ参加が無料となるほか、各種特 典がございます。
くわしくはこ ちらをご覧ください。
●請求書・領収書等について
参加費は銀行振込にてお支払いください。 有料申込をされた方には振込先をご連絡いたします。
なお、請求書に基づく後払いには対応できません。有料参加者の方には, 「会 社名 個人名」宛の領収書を当日お渡し致します.
定員に達しましたので, 申込みを締め切りました.