募集情報

特任研究員の募集

【募集人員】　1名

【専門分野】　MOSトランジスタ、強誘電体材料・デバイス、酸化物半導体、半導体デバイス分野

【概要】　　　強誘電体ゲート・酸化物半導体チャネルを用いたMOSトランジスタの研究

【応募資格】　博士号取得者（取得見込みも含む）または同等レベルの方。上述の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方。特に、以下の経験のある方を歓迎します。

・　トランジスタのや強誘電体薄膜などの半導体プロセスの経験

・　MOSトランジスタ・薄膜トランジスタ・半導体電子デバイスの設計・作製・評価の経験

・　原子層堆積（ALD）の経験

【職名】　　　特任研究員

【勤務形態】　常勤

【任期】　　　任期付（2026年度まで） [年度ごとの更新あり。]

【着任時期】　随時（できるだけ早い時期）

【給与】　本学の就業規則に基づき支給。月額30～42万円の範囲で、経験、業績等に基づき支給。通勤手当は、本学の支給要件を満たす場合に支給。

【勤務地】　　東京都文京区本郷7-3-1 東京大学工学部10号館（2024年9月までは船舶運動性能試験水槽）

【応募書類】　履歴書、研究業績の説明（日本語または英語・A4 2ページ以内）、研究業績リスト、主要論文別刷りまたはコピー(3編以内）をPDFファイルにまとめた上、下記照会先までメールにてお送り下さい。

【応募締切】　適用者が決まり次第、募集を締め切ります。

【照会先】　　東京大学先工学系研究科　電気系工学専攻　Toprasertpong Kasidit 准教授

E-mail：toprasertpong[at]mosfet.t.u-tokyo.ac.jp　([at]を＠に変えてお送りください）

TEL: 03-5841-8573

【選考方法】　書類審査および面接

【採否の決定】書類審査で選抜された方に対して面接審査を行い、採否を決定します。着任時期・期間など、詳細についてはご相談させていただきます。