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S. Takagi, K. Takeda, S. Sugahara and T. Numata
Examination of the Universality of Hole Mobility in Strained-Si p-MOSFETs
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入沢寿史、沼田敏典、手塚勉、臼田宏冶、平下紀夫、杉山直治、豊田英二、高木信一, “横方向歪み緩和を利用して作製した高駆動力一軸歪みSGOI pMOSFETs”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第73回研究集会ULSIデバイス研究委員会「最先端CMOS技術（VLSIシンポジウム特集）」、vol. 73, p. 14-18、2005年7月25日.

高木信一, “ひずみSOI基板/トランジスタ技術“, 科学振興調整PJ「次世代LSI用高機能Siウエーハの開発」公開シンポジウム, 九州大学ベンチャービジネスラボラトリー, p. 1-4, 2005年8月18日.

前田辰郎, 安田哲二, 西澤正泰, 宮田典幸, 森田行則, 高木信一, “ゲルマニウムの直接窒化によるGe3N4/GeMIS構造の特性“, 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

前田辰郎, 池田圭司, 中払周, 手塚勉, 杉山直治, 守山佳彦, 高木信一, “Metal Source/Drain Germanium-on-Insulator MOSFET(MSD-GOI MOSFET)の動作実証“, 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

臼田宏治, 入沢寿史, 沼田敏典, 平下紀夫, 高木信一, “平面NBD法によるひずみSiGe層の一軸ひずみ緩和評価”, 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

八代吉宗, 田島道夫, 平下紀夫、手塚勉、高木　信一, “PL法による歪SOIウエハーの評価“ 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

手塚勉, 中払周, 守山佳彦, 平下紀夫, 豊田英治, 杉山直治, 水野智久, 高木信一, “局所酸化濃縮法を用いたひずみSOI/ひずみSGOIハイブリッドCMOS技術“, 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

入沢寿史, 沼田敏典, 手塚勉, 臼田宏治, 平下紀夫, 杉山直治, 豊田英二, 高木信一, “横方向歪み緩和を用いて作製した高駆動力一軸歪みSGOI pMOSFETs“, 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

入沢寿史, 沼田敏典, 杉山直治, 高木信一, “インパクトイオン化効率に与える歪み効果の物理的起源” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

水野智久, 高木信一, “高速動作を目指したソースへテロ接合MOSFET(SHOT)の素子設計” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

杉山直治、平下紀夫、手塚勉、守山佳彦、高木信一, “(110)面を有するSGOI基板における酸化濃縮時の双晶の発生” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

臼田宏治, 入沢寿史, 沼田敏典, 平下紀夫, 高木信一, “平面NBD法によるひずみSiGe層の一軸ひずみ緩和評価” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

平下紀夫, 豊田英二, 守山佳彦, 杉山直治, 高木信一, “SGOI基板上の（001）ひずみSi層のひずみ緩和 2” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

平下紀夫, 豊田英二, 守山佳彦, 杉山直治, 高木信一, “SGOI基板上の（001）ひずみSi層のひずみ緩和 3” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

田岡紀之, 池田圭司, 山下良美, 杉山直治, 高木信一, “Ge-MIS構造におけるGe表面処理の電気特性への影響” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

中林幸雄，古賀淳二，石原貴光，高柳万里子，高木信一, “Si MOS反転層中のキャリア伝導に対する高チャネル濃度化の影響” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

朴 敬花、平川一彦、高木信一, “Si-MOSFET中の電子移動度の強い温度依存性－散乱機構とスクリ－ニング効果” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

熊谷寛、七条真人、石川寛人、星井拓也、菅原聡、高木信一, “Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と電気特性” 第 66 回秋季応用物理学会学術講演会 , 徳島大学, 2005年9月7-11日.

高木信一, “高電流駆動の新構造トランジスタ技術の開発“, 第14 回半導体プロセスシンポジウム「DFM で変わる半導体製造の最前線」, 学士会館、東京, p. 56-70, 2005年9月22日.

S. Takagi, K. Takeda and S. Sugahara
Carrier Transport Properties of Si-Based High Mobility/Velocity Channel MOSFETs for Future CMOS
International Symposium on Advanced Electronics for Future Generations − Secure-Life Electronics for Quality Life and Society −, 武田ホール, p. 147-152, 2005年10月11−12日.

高木信一, “高移動度MOSトランジスタ技術”, 2005年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会, パシフィコ横浜, 2005年10月27日.

高木信一,  " 新構造チャネル高性能CMOSデバイス技術", 先端知機能材料デバイスラボラトリーズF&RICオープンフォーラム2005「知の融合と開放」, 東京大学武田先端知ビル5階 武田ホール, 2005年11月11日.

高木信一, “SGOI/GOI MOSトランジスタ技術“, 電気学会第10回IV族系ヘテロデバイス・システム材料技術調査専門委員会, ルーテル市ヶ谷センター, 2005年11月18日.

手塚勉, 中払周, 杉山直治, 平下紀夫, 守山佳彦, 臼田宏治, 沼田敏典，入沢寿史，古賀淳二，田邊顕人，宮村佳児，豊田英二, 高木信一, “酸化濃縮法によるSGOI基板の作製と、高移動度CMOSへの適用(依頼講演)”, 平成17年度応用物理学会九州支部学術講演会,　福岡工業大学（福岡県福岡市）, 2005. 11. 26-27.

高木信一, “(招待講演) 微細化限界をデバイステクノロジで突破する ‐高電流駆動力・新材料チャネルCMOS技術 -“, 第9回システムLSIワークショップ「微細化限界を突破するシステムLSI技術」, 電子情報通信学会集積回路研究専門委員会(ICD), 北九州国際会議, p. 43-55, 2005年11月28-30日.

高木信一, “ひずみSi/SiGe/Ge-On-Insulator CMOSデバイス技術（招待講演）“, 第69回半導体・集積回路技術シンポジウム, 電気化学会電子材料委員会, 機械振興会館, p. 75-78, 2005年12月15-16日.

入沢寿史, 沼田敏典, 手塚勉, 臼田宏治, 中払周, 平下紀夫, 杉山直治, 豊田英二, 高木信一, “一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs “, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第77回研究集会ULSIデバイス研究委員会「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 機械振興会館, シリコンテクノロジーNo. 77, p. 2-5, 2006年 1月20日.

手塚勉, 沼田敏典, 入沢寿史, 中払周, 臼田宏治, 平下紀夫, 守山佳彦, 杉山直治, 豊田英治, 宮村佳児, 高木信一, “酸化濃縮法によるひずみSOI、SGOI (SiGe-On-Insulator)、GOI (Ge-On-Insulator) - MOSFET の作製と電流駆動力の向上”, 学術振興会第145委員会 結晶加工と評価技術第145委員会第105回研究会, 2006. 02. 01.

田岡紀之, 池田圭司, 山下良美, 杉山直治, 高木信一, “Ge-MIS構造における表面熱処理雰囲気の電気特性への影響”, ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第１１回研究会）, 東レ総合研修センター, p. 203-208, 2006年2月3-4日.

熊谷寛, 七条真人, 石川寛人, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一
Ge上極薄膜Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの作製と界面特性評価
ゲートスタック研究会 — 材料・プロセス・評価の物理 —（第１１回研究会）, 東レ総合研修センター, p. 177-182, 2006年2月3-4日.

八代吉宗, 平下紀夫, 手塚勉, 高木信一, 仙田剛士, 本臼正周, 泉妻宏治, 田島道夫, “歪みシリコンウエハーのフォトルミネッセンス評価“, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第78回研究集会「シリコン結晶に関する基礎研究と応用技術－若手研究者を中心とした討論会－」, 学習院大学, 2006年2月10日.

高木信一, “先端LSIにおける高性能・新構造CMOSデバイス技術”, 電気通信大学共同研究センター第64回研究開発セミナー 「次世代携帯機器の長時間使用のために－電池、半導体デバイスと回路の最新技術と展望－」, 電気通信大学 青山スカイオフィスセミナーホール, p. 28-52, 2006年3月3日.

池田圭司, 山下良美, 田岡紀之, 杉山直治, 高木信一, “界面不純物偏析によるNiGe / Ge (100) ショットキー障壁変調効果“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 23p-W-9, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

平下紀夫, 豊田英二, 守山佳彦, 杉山直治, 高木信一, “SGOI基板上のひずみSi層のひずみ緩和4　ひずみSi層の臨界膜厚“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 22p-ZE-6, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

臼田宏治, 入沢寿史, 沼田敏典, 平下紀夫, 高木信一, “平面NBD法によるメサ形成圧縮ひずみSiGeチャネル層の緩和評価“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

守山佳彦, 平下紀夫, 豊田英二, 臼田宏治, 中払周, 杉山直治, 高木 信一, “GOI/ SGOI基板表面のGeエピタキシャル成長前クリーニング法の検討“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 23a-ZD-9, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

田邊顕人, 沼田敏典, 手塚勉, 平下紀夫, 高木信一, “ひずみSi/SGOIにおけるpn接合リーク“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 26a-X-8, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

田岡紀之, 池田圭司, 山下良美, 杉山直治, 高木信一, “Ge-MIS界面評価における測定温度の影響“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

杉山直治, 中払周, 平下紀夫, 手塚勉, 守山佳彦, 臼田宏治, 高木信一, “二段階酸化濃縮法による低貫通転位密度SGOI構造の作製“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 22p-ZE-8, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

入沢寿史, 沼田敏典, 手塚勉, 臼田宏治, 平下紀夫, 杉山直治, 豊田英二, 高木信一, “横方向歪み緩和を用いて作製した高駆動力一軸歪みSGOI pMOSFETs“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 25p-X-2, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

入沢寿史, 沼田敏典, 手塚 勉, 臼田宏治, 中払 周, 平下紀夫, 杉山直治, 豊田英二, 高木信一, “一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 25p-X-3, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

中払周, 手塚 勉, 平下紀夫, 豊田英二, 守山佳彦, 杉山直治, 高木信一, “酸化濃縮法によるGe-on-Insulator(GOI)層の形成過程における結晶欠陥の発生“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 23a-ZD-8, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

高木信一, “高速/低消費電力CMOSのための基板・デバイス・プロセス技術“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 24p-ZF-10, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

高木信一, 菅原聡, “III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi n-MOSFETの電気特性の比較“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 26p-X-1, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

星井拓也, 菅原聡, 高木信一, “ひずみSi MOSFETのゲートトンネル電流に与えるひずみの効果“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 26a-X-7, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

中林幸雄, 古賀淳二, 石原貴光, 高柳万里子, 高木信一, “高濃度チャネル領域におけるクーロン散乱移動度の振舞いの物理的起源“, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 26p-X-8, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

朴敬花, 平川一彦, 高木信一, “音響フォノン散乱によるn型Si-MOSFET中のエネルギー緩和”, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 26p-X-6, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

上原貴志, 松原寛, 菅原聡, 高木信一,”低温MBE成長を用いた超薄層Ge-on-Insulator(GOI) p-channel メタルS/D MOSFET”, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 25a-X-11, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

七条真人, 菅原聡, 高木信一,”III-V on Insulator (III-V-O-I) MOSFET応用に向けたSi基板上のIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長法”, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 26p-X-2, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.

菅原聡, 中根了昌, 高木信一, “オーミックコンタクト合金を用いたメタル・ソース/ドレインMOSFET”, 第 53 回春季応用物理学関係連合講演会, 25a-X-12, 武蔵工業大学世田谷キャンパス,  2006年3月22-26日.