M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
Ultrathin Body InGaAs-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with InP Passivation Layers on Si substrates Fabricated by Direct Wafer Bonding
Appl. Phys. Exp., vol. 4, 054202 (2011)

N. Taoka, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota, and S. Takagi
Nature of Interface Traps in Ge Metal-Insulator-Semiconductor Structures with GeO2 Interfacial Layers
J. Appl. Phys., vol. 109, 084508 (2011)

M. Deura, Y. Kondo, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Shimogaki, Y. Nakano and M. Sugiyama, “High Temperature Annealing Effect of Si in Group-V Ambient prior to Heteroepitaxy of InAs in Metal-organic Vapor Phase Epitaxy”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50, 04DH07 (2011) 

S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Self-aligned metal Source/Drain InP n-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors MOSFETs using Ni-InP metallic alloy
Appl. Phys. Lett., 98, 243501 (2011)

N. Taoka, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
AC response analysis of C–V curves and quantitative analysis of conductance curves in Al2O3/InP interfaces
Microelectron. Eng., 88, Issue 7 (2011) pp. 1087-1090

Y. Urabe, T. Yasuda, H. Ishii, T. Itatani, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi, “On the Mechanisms Limiting Mobility in InP/InGaAs Buried Channel nMISFETs”, Microelectron. Eng., 88, Issue 7 (2011) pp. 1076-1078 

R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness on Al2O3/Ge MOS Interface Properties
Microelectron. Eng., 88, Issue 7 (2011) pp. 1533-1536

R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Suppression of ALD-Induced Degradation of Ge MOS Interface Properties by Low Power Plasma Nitridation of GeO2
J. Electrochem. Soc., 158 (8) (2011) G178-G184

Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
Suppression of Interface State Generation in Si MOSFETs with Biaxially-Tensile Strain
IEEE Electron Device Lett., 32, no. 8, (2011) pp. 1005-1007

M. Yokoyama, R. Iida, S.-H. Kim, N. Taoka, Y. Urabe, H. Takagi, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
Sub-10-nm extremely-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs on Si wafers with ultrathin Al2O3 buried oxide layers
IEEE Electron Device Lett., 32, no. 9, (2011) pp. 1218 – 1220

N. Taoka, K. Ikeda, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota and S. Takagi
Accurate evaluation of Ge metal—insulator—semiconductor interface properties
J. Appl. Phys., vol. 110, no. 6, 064506 (2011)

S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
High performance Extremely-thin Body In0.7Ga0.3As-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D
Appl. Phys. Exp., vol. 4, No. 11, 114201 (2011)

J.-K. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
Appl. Phys. Lett., vol. 99, 142108 (2011)

R. Iida, S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, S.-H. Lee, M. Takenaka and S. Takagi
Planar-type In0.53Ga0.47As channel band-to-band tunneling Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
J. Appl. Phys., vol. 110, 124505 (2011)

S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S.-H. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Electron Mobility Enhancement of Extremely Thin Body In0.7Ga0.3As-on-Insulator Metal–Oxide– Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates by Metal–Oxide–Semiconductor Interface Buffer Layers
Appl. Phys. Exp. 5, 014201 (2012)

M. Takenaka and S. Takagi
Strain Engineering of SiGe Optical Modulators
IEEE J. Quantum Electronics, vol. 48, no. 1 (2012) pp. 8-16

Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka and S. Takagi
Effect of Sample Thickness on SiO2/Si Interface Roughness Characterization through Transmission Electron Microscope Measurements in Strained-Si MOSFETs
J. Electrochem. Soc., vol. 159 H57 (2012)

S.-H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
In0.53Ga0.47As Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors with a self-aligned metal Source/Drain using Co-InGaAs alloy
Appl. Phys. Lett.　100, 073504 (2012)

R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
High Mobility Ge pMOSFET with 1 nm Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation
IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, no. 2, (2012) pp. 335-341

W. Jevasuwan, Y. Urabe, T. Maeda, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, M. Hata, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi, “Initial Processes of Atomic Layer Deposition of Al2O3 on InGaAs: Interface Formation Mechanisms and Impact on Metal-Insulator-Semiconductor Device Performance”, Materials, vol. 5, 8 March (2012) pp. 404-414 

R. Suzuki, N. Taoka, S. Lee, S. H. Kim, T. Hoshii, M. Yokoyama, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
1 nm capacitance equivalent thickness HfO2/Al2O3/InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitance with low interface trap density and low gate leakage current density
Appl. Phys. Lett., 100, 132906 (2012)

S. Takagi and M. Takenaka
Advanced CMOS Technologies using III-V/Ge Channels (invited)
11th International Symposium on VLSI Technology, Sysmtem and Applications (VLSI-TSA), Hsinchu, Taiwan (2011), p. 20-21

M. Takenaka and S. Takagi
III-V CMOS technologies on Si platform (invited)
MRS spring meeting (2011)

S. Takagi and M. Takenaka
Prospective and critical issues of III-V/Ge CMOS on Si platform (invited)
219th Electrochemical Society Meeting, Symposium E3: International Symposium on Graphene, Ge/III-V, Nanowires and Emerging Materials for Post-CMOS Applications –3, Montreal, Canada, 1-6 May 2011, ECS Trans. 35(3) (2011) pp. 279-298

S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee,R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Self-aligned metal S/D InP MOSFETs using metallic Ni-InP alloy
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)

Y. Ikku, M. Yokoyama, R. Iida, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
ALD Al2O3 Activated Direct Wafer Bonding for III-V CMOS Photonics Platform
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)

M. Takenaka and S. Takagi
III-V on Silicon for High-Speed Electronics and CMOS Photonics (invited)
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) (2011)

S. Takagi and M. Takenaka
High Mobility Material Channel CMOS Technologies based on Heterogeneous Integration (Keynote Speech)
11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011), June 9 - 10, 2011, Kyoto University (Uji Campus), Kyoto, Japan, pp. 1-6

R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation
VLSI symp. (2011) p. 56-57

S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, R. Iida, S. Lee, R. Nakane, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
High performance Extremely-thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering
VLSI symp. (2011) p. 58-59

M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Zhang, N. Taoka, Y. Urabe, T. Maeda, H. Takagi, T. Yasuda, H. Yamada, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding
VLSI symp. (2011) p. 60-61

R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of GeOx Interfacial Layer Thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties
17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors", 21-24 June 2011 Grenoble - France

N. Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, T. Hoshii, R. Iida, S. Lee, Y. Urabe, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
Quantitative Analysis of Conductance Curves in Al2O3/InP Interfaces
17th Conference on "Insulating Films on Semiconductors", 21-24 June 2011 Grenoble – France

J.-K. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Highly-Strained SGOI p-Channel MOSFETs Fabricated by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates
37th Device Research Conference (DRC) (2011) p. 235-236

M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
Ultralow-dark-current Ge photodetector with GeO2 passivation and gas-phase doped junction
International Conference on Group IV Photonics (GFP’11), WB-5, London, September 2011, pp. 36-38

S. Takagi
Channel Engineering for Advanced CMOS Devices
2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Short Course, Noyori Conference Hall, Nagoya University, Nagoya, Japan, September 27, 2011, pp. 65-78

T. Hoshii, S. H. Lee, R. Suzuk, N. Taoka, M. Yokoyama, H. Yamada, W. Jevasuwan, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
Effects of Nitrided-InGaAs Interfacial Layers formed by ECR nitrogen plasma on Al2O3/InGaAs MOS Properties
SSDM (2011) E-8-4, p. 943-944

R. Suzuki, S. Lee, S. H. Kim, T.Hoshii, M. Yokoyama, N. Taoka, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Effect of sulfur treatment on HfO2/InGaAs MOS interfaces properties
SSDM (2011) E-8-3, p. 941-942

R. Iida, S. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, S. H. Lee, M. Takenaka and S. Takagi
Device characteristics of planar-type In0.53Ga0.47As channel band-to-band tunneling MOSFETs
SSDM (2011) D-4-1, p. 843-844

S. Takagi
(III-V/Ge)-On-Insulator CMOS Technology
37th IEEE International SOI Conference, Tempe Mission Palms Hotel and Conference Center, Tempe, Arizona, USA, 3 - 6 October, 2011

S. Takagi, R. Zhang, T. Hoshii and M. Takenaka
MOS interface control technologies for III-V/Ge channel MOSFETs
Symposium on High Dielectric Constant and Other Dielectric Materials for Nanoelectronics and Photonics 9, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Boston, Massachusetts, on October 10-14, 2011, ECS Trans. 41(3) (2011) pp. 3-20

S. Takagi, M. Yokoyama, Y.-H. Kim and M. Takenaka
Device and integration technologies of III-V/Ge channel CMOS
Symposium on ULSI Process Integration 7, Symposium E4 of the 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Boston, Massachusetts, on October 10-14, 2011, ECS Trans. 41(7) (2011) pp. 203-218

S. Takagi
High Mobility Channel MOS Device Technologies toward Nano-CMOS era (plenary talk)
IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference (NMDC), The Shilla Jeju, Korea, 21 October (2011) pp. 281-290

S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, N. Taoka and M. Takenaka
Ultra-thin body III-V-On-Insulator MOSFETs on Si platform
15th International Conference on Thin Films (ICTF), Kyoto, Japan, 8-11, November (2011), O-S2-02, pp. 40

M. Takenaka, K. Morii, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
GeO2 surface passivation and gas phase doping for reducing dark current of Ge photodetector
1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC’11), P-8, Tokyo, November 2011

Y. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
Fabrication of Ge-rich SiGe-On-Insulator by Ge Condensation and Regrowth Technique and Waveguide for Optical Modulator
1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC’11), P-10, Tokyo, November 2011

Y. H. Kim, M. Yokoyama, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Fabrication of Ge-rich SiGe-On-Insulator Waveguide for Optical Modulator
accepted in 2011 IEEE Photonics Conference (IPC), (2011), pp. 465-466

R. Suzuki, N. Taoka, S. Lee, S. H. Kim, T.Hoshii, M. Yokoyama, T. Yasuda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, and S. Takagi
Improvement of HfO2/InGaAs Interfaces by ALD Temperature Control
SISC (2011) P. 25

N.Taoka, M.Yokoyama, S.H.Kim, R. Suzuki, R. Iida, S. Lee, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M.Takenaka, and S.Takagi
Influence of Interface Traps inside Conduction Band on C-V Characteristics of InGaAs MOS Capacitors
SISC (2011) 6. 2

M. Yokoyama, R. Suzuki, N. Taoka, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
Surface cleaning effect on III-V oxide for InGaAs (100), (111)A, and (111)B surfaces and their Al2O3 MOS interfaces by using (NH4)2Sx solution
SISC (2011) P. 22

S. Takagi, R. Zhang, N. Taoka and M. Takenaka
MOS Interface Properties of Ge Gate Stacks based on Ge oxides and the Impact on MOS Device Performance (invited)
SISC (2011) 5. 1

S. Takagi
High Mobility Materials: III-V/Ge FETs
IEDM short course,VLSI Technology Beyond 14nm Node 2011

N.Taoka, M. Yokoyama, S. H. Kim, R. Suzuki, R. Iida, S. Lee, T. Hoshii, W. Jevasuwan, T. Maeda, T. Yasuda, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of Fermi Level Pinning inside Conduction Band on Electron Mobility of InxGa1-xAs MOSFETs and Mobility Enhancement by Pinning Modulation
IEDM (2011) p. 610-614

S. H. Kim, M.Yokoyama, N.Taoka, R.Nakane, T. Yasuda, M. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi
Enhancement Technologies and Physical Understanding of Electron Mobility in III-V n-MOSFETs with Strain and MOS Interface Buffer Engineering
IEDM (2011) p. 311-314

R. Zhang, N. Taoka, P. Huang, M. Takenaka and S. Takagi
1-nm-thick EOT High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with Ultrathin GeOx/Ge MOS Interfaces Fabricated by Plasma Post Oxidation
IEDM (2011) p. 642-644

S. Takagi and M. Takenaka
Non-Si Channel MOS Device Technologies in Nano-CMOS era
2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS’11), University of Tsukuba, December 15-17 (2011) p. 13

S. Takagi and M. Takenaka
High Mobility CMOS Technologies using III-V/Ge Channels on Si platform
13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2012), Grenoble, France, 5-7th of March, 2012

横山正史、金相賢、張睿、田岡紀之、卜部友二、前田辰郎、高木秀樹、安田哲二、山田永、市川磨、福原昇、秦雅彦、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一, "基板貼り合わせ法による自己整合型InGaAs nMOSFET/Ge pMOSFET集積化CMOSの実現", 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会, 「VLSIシンポジウム特集 （先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 産業技術総合研究所　臨海副都心センター, 2011年 7月 21日.

張睿, 岩崎敬志, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一, "プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFET", 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会, 「VLSIシンポジウム特集 （先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 産業技術総合研究所臨海副都心センター, 2011年 7月 21日.

高木信一, 竹中充, "Non-Si材料チャネルMOSトランジスタの研究開発動向", 日本学術振興会ナノプローブテクノロジー第167委員会第63回研究会, 慶応大学、日吉キャンパス, p. 1-9, 2011年7月28日.

横山正史, 金相賢, 張睿, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二, 山田永, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一, "基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化", 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

Junkyo Suh, Ryosho Nakane, Noriyuki Taoka, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, "Mobility Enhancement of Strained-SGOI p-Channel MOSFETs by Applying Ge Condensation Technique to Strained-SOI Substrates", 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

鈴木麗菜, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, 横山正史, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "ALD Al2O3界面層を用いたHfO2/InGaAs MOS界面特性の改善", 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

Rui Zhang, Noriyuki Taoka, Takashi Iwasaki, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi, "High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks", 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

金相賢, 横山正史, 田岡紀之, 飯田亮, 李成薫, 中根了昌, 卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充，高木信一, "メタルS/D構造及びMOS interface buffer層の導入によるETB InGaAs-OI MOSFETの高性能化",2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

金栄現, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一, "光変調器応用に向けた高Ge組成SiGe-on-Insulator導波路の製作", 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

田岡紀之, 鈴木麗菜, 横山正史, 飯田亮, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "Al/ALD-Al2O3/InGaAs MOS構造における蓄積容量の解析", 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

SangHoon Shin, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi, "Effect of Positive Fixed Charges at MOS interfaces on Surface Potential Fluctuation Determined by Conductance Method", 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

卜部友二, 安田哲二, 宮田典幸, 前田辰郎, 大竹晃浩, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一, “InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善”, 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

前田辰郎, 卜部友二, 板谷太郎, 石井裕之, 宮田典幸, 安田哲二, 前田辰郎, 山田永,　秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一, “共通メタルS/D & ゲートを用いた微細III-V/Ge CMOS技術の開発”, 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

ジェバスワン・ウィパコーン, 卜部友二, 前田辰郎, 宮田典幸, 安田哲二, 市川磨, 秦雅彦, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一, “Improved MIS characteristics for ALD-Al2O3/InP(111)B interfaces”, 2011年秋季第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2011年8月29日-9月2日.

S. Takagi and M. Takenaka, “Advanced Nano CMOS Platform using High Mobility Channel Materials”, International Symposium on Secure-Life Electronics - Advanced Electronics and Information Systems for Quality Life and Society -,Takeda Hall, The University of Tokyo, Japan, pp. 96-103 , 2012/1/17-18 

田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “InGaAs MOSキャパシタにおける伝導帯内界面準位のC-V特性への影響”, ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第17回研究会）, 東レ総合研修センター, pp. 17-20, 2012年1 月 20-21 日. 

シン・サンフン, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一, “Si MOSキャパシタのコンダクタンス測定における表面ポテンシャル揺らぎの実験的評価”, ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第17回研究会）, 東レ総合研修センター, pp. 145-148, 2012年1 月 20-21 日. 

金相賢, 横山正史, 中根了昌, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるInxGa1-xAs MOSFETの移動度向上とその物理的理解”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第142回研究集会, 電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会1月研究会, 「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」, 機械振興会館, 2012年1月27日. 

高木信一, "異種材料（Si/Ge/化合物半導体）集積化技術", Electronic Journal 第984回 Technical Seminar、総評会館、東京, 2012年1月30日.

竹中充, 高木 信一, "光配線LSI実現に向けたGeナノ光電子集積回路の開発", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

金相賢，横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充，高木信一, "二軸引っ張りひずみによるInGaAs MOSFETの移動度向上とそのメカニズム", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

金相賢，横山正史、田岡紀之, 中根了昌, 安田哲二,市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充，高木信一, "MOS interface buffer層の導入、チャネルIn組成変調による極薄膜 InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化とそのメカニズム", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

Rui Zhang, Noriyuki Taoka, Po-Chin Huang, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi, "High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with ~ 1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

鈴木麗菜, 李成薫, 金相賢, 星井拓也, 横山正史, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "極薄膜Al2O3 界面層を挿入したHfO2/InGaAs MOS構造のCET薄膜化", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "InGaAs MOS構造における伝導帯内界面準位によるフェルミレベルピニング", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

田岡紀之, 横山正史, 金相賢, 鈴木麗菜, 飯田亮, 李成薫, 星井拓也, ジェバスワン ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "InGaAs MOS界面における伝導帯内界面準位の物理的起源", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

横山正史, 金相賢, 張睿, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二,山田永, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一, "次世代高性能CMOS 実現に向けた高移動度III-V/Ge チャネルMOSFET の集積化", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

横山正史, 鈴木麗菜, 田岡紀之, ジェバスワン・ウィパコーン, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一, "硫化アンモニウム溶液で表面処理したInGaAs(100), (111)A, (111)B のMOS界面特性", 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.

和田章良, 張睿, 高木信一, 寒川誠二, “低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化(NBO)を用いた高品質GeO2膜の電気特性評価”, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学早稲田キャンパス、2012年3月15-18日.