Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
Effect of Tensile Strain on Gate Current of strained-Si n-MOSFETs
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2122-2126

T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 4B (2007) pp. 2117-2121

T. Tezuka, S. Nakaharai, Y. Moriyama, N. Hirashita, N. Sugiyama, A. Tanabe, K. Usuda and S. Takagi, “Hole-Mobility Enhancement in Ge-Rich Strained SiGe-on-Insulator pMOSFETs at High Temperatures”, IEEE Trans. Electron Device, Vol. 54, Issue 5 (2007) pp. 1249 - 1252

T. Tezuka, N. Hirashita, Y. Moriyama, S. Nakaharai, N. Sugiyama and S. Takagi, “Strain analysis in ultra-thin SiGe-on-insulator layers formed from strained Si-on-Insulator substrates by Ge-condensation process”, Appl. Phys. Lett. 90, 181918 (30 April 2007) (2007) 

S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge
Microelectronic Engineering, vol. 84, Issue 9-10 (2007) pp. 2314 - 2319

M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 46, No. 9A (2007) pp. 5930 - 5934

K. H. Park, T. Unuma, K. Hirakawa, and S. Takagi, “Determination of deformation potential constant of the conduction band in Si from electron heating experiments on Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors”, Appl. Phys. Lett. 91, 132118 (2007) September 24

T. Mizuno, T. Irisawa and S. Takagi, “Device Design of High-Speed Source- Heterojunction-MOS-Transistors (SHOTs): Optimization of Source Band Offset and Graded- Heterojunction”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, No. 10, October (2007) pp. 2598-2605

T．Ishihara, J. Koga, S. Takagi and K. Matsuzawa, “Modeling of Screening Effect on Remote Coulomb Scattering due to Gate Impurities by Non-uniform Free Carriers in Poly-Si Gate”, J. Appl. Phys. 102, 073702 (2007)

K. Uchida, J. Koga and S. Takagi, “Experimental study on electron mobility in ultrathin-body silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors”, J. Appl. Phys. 102, 074510, 11 October (2007) 

S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka and N. Sugiyama
Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance
IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 1, pp. 21-39. Jan. (2008)

T. Irisawa, T. Numata, T. Tezuka, K. Usuda, N. Sugiyama and Shin-ichi Takagi, “Device Design and Electron Transport Properties of Uniaxially Strained SOI Tri-Gate nMOSFETs”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 2, pp. 649 – 654. Feb. (2008)

N. Taoka, M. Harada, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama and S. Takagi, “Effects of Si Passivation on Ge Metal-Insulator-Semiconductor Interface Properties and Inversion-layer Hole Mobility”, Appl. Phys. Lett., vol. 92, Issue 11, 17 March (2008) 113511 

S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi
(110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 57-58

S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
Advanced CMOS technologies using high mobility channels based on column-IV materials (invited)
5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, Marseille 5/20-24/2007, p. 137-139

O. Weber and S. Takagi
New Findings on Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si nFETs and its Physical Understanding
VLSI Symp. (2007) p. 130-131

S. Takagi
Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk)
Device Research Conference (DRC), 20-22/6/2007, University of Notre Dame, South Bend, IN, USA, p. 5-8

S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara and N. Sugiyama
Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited)
15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007) , June 20-23/2007, Athene, Greece, pp. 2314 - 2319

S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structure and Application to pMOSFET Devices
presented in Second International Conference on Industrial and Information Systems (ICIIS 2007), Faculty of Engineering, University of Peradeniya, Sri Lanka, 8-11/08/2007

S. Takagi
Channel Engineering on Si-based CMOS Devices (invited)
7th International Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT), September 4-7, 2007, Dresden, Germany

H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara and M. Takenaka and S. Takagi
Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MIS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method
Ext. Abs. SSDM, p. 18-19 (2007)

T. Hoshii, M. Deura, M. Shichijo, M. Sugiyama, S. Sugahara, M.Takenaka, Y. Nakano and S. Takagi
Formation of InGaAs-On-Insulator Structures by Epitaxial Lateral Over Growth from (111) Si
Ext. Abs. SSDM, p. 132-133 (2007)

S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Nishikawa, H. Kumagai, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
Understanding and Control of Ge MIS Interface Properties (invited)
4th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Dallas, USA, 2007/9/25-28

S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda and N. Sugiyama
Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (invited)
ULSI Process Integration Symposium, 212th Electrochemical Society, 10/7-12/2007, Washington, DC. (S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara and N. Sugiyama
Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels
ECS Trans. Vol. 11, No. 6 (2007) pp. 61-74)

S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka and S. Sugahara
Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 132 (2007)

T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, Y. Nakano, and S. Takagi
Control of Lateral and Vertical Selective Area Growth of InGaAs on (111) Si Substrates using MOVPE for III-V FET Applications
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007), October 15-18, 2007 Kyoto, Japan, p. 164 (2007)

S. Takagi
High Performance CMOS Device Technologies using New Channel Materials (invited)
International Workshop on Advanced Silicon-based Nano-devices, 2007/11/9, Tokyo, p. 92-113 (2007)

S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka and Shinichi Takagi
Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method
5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 233-234 (2007)

S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara and M. Takenaka
Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation
the 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces -for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V), Tokyo Metropolitan University, November12-14, p. 65-66 (2007)

O. Weber, T. Irisawa, T. Numata, M. Harada, N. Taoka, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
Examination of Additive Mobility Enhancements for Uniaxial Stress Combined with Biaxially Strained Si, Biaxially Strained SiGe and Ge Channel MOSFETs
Tech. Dig. IEDM, p. 719-722 (2007)

S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, K. Usuda, N. Hirashita, M. Takenaka and N. Sugiyama
Carrier-Transport-Enhanced CMOS using New Channel Materials and Structures (invited)
presented in International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) Dec. 12-14 (2007)

前田辰郎、森田行則、西澤正泰、高木 信一, “Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge-MIS構造の特性”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会　研究集会「ゲートスタック構造の新展開」(電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」研究会共催)、２００７年６月７日(木)、８日(金）、広島大学東広島キャンパス

入沢寿史，沼田敏典，平下紀夫，守山佳彦，中払周，手塚勉，杉山直治，高木信一, “立体酸化濃縮法を用いて作製したGe細線MOSFET“, 5p-ZE-7, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

入沢寿史，沼田敏典，豊田英二，平下紀夫，手塚勉，杉山直治，高木信一, “酸化膜信頼性に与えるチャネルひずみの効果(1) -TDDBへの影響-”, 4p-ZM-8, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

入沢寿史，沼田敏典，豊田英二，平下紀夫，手塚勉，杉山直治，高木信一, “酸化膜信頼性に与えるチャネルひずみの効果(2) –NBTIへの影響-”, 4p-ZM-9, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

臼田宏治, 入沢寿史, 手塚勉, 守山佳彦, 平下紀夫, 高木信一, “NBD法によるひずみ層メサ端部におけるひずみ緩和の評価”, 4p-E-7, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

平下紀夫, 守山佳彦, 中払周, 手塚勉, 杉山直治, 高木信一, “酸化濃縮過程での高Ge濃度SGOI基板の塑性変形　１．すべり変形”, 4a-E-3, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

平下紀夫, 守山佳彦, 中払周, 手塚 勉, 杉山直治, 高木信一, “酸化濃縮過程での高Ge濃度SGOI基板の塑性変形　２.面欠陥形成機構”, 4a-E-4, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

池田圭司、田岡紀之、山下良美、原田真臣、鈴木邦広、山本豊二、杉山直治、高木信一, “NiSi FUSIゲートを用いたメタルS/D Ge チャネルpMOSFETの高移動度実証”, 7p-ZL-6, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

水野智久，入沢寿史，守山佳彦，平下紀夫，手塚勉，杉山直治,　高木信一, “(110)面非等方ひずみSi/SiGe層の正孔移動度向上機構”, 7p-ZL-5, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

田岡紀之, 山下良美, 原田真臣,池田圭司, 山本豊二, 杉山直治, 高木信一, “多数および少数キャリアに応答するGe MIS界面準位の共存の実験的検証”, 7p-ZM-9, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

杉山直治、沼田敏典、平下紀夫、入沢寿史、高木信一, “ひずみSi－MOSFETにおける閾値電圧のばらつき特性解析”, 4p-E-4, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

山本豊二，原田真臣, 山下良美,　田岡紀之, 杉山直治, 高木信一, “ゲート／チャネル間容量特性に対する生成再結合リーク電流の影響”, 7p-ZL-7, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

原田真臣，山本豊二，山下良美，田岡紀之，木曽修，池田圭司，杉山直治，高木信一, “リーク電流を考慮したGe pMISFETの移動度抽出”, 7p-ZL-8, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

Sanjeewa Dissanayake, Hiroshi Kumagai, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara and Shinichi Takagi,  " (110) surface Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method",  7p-ZL-2,【講演奨励賞受賞記念講演】, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

Sanjeewa Dissanayake, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka and Shinichi Takagi, " Effects of Annealing on (110) GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method",  7p-ZL-3, , 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

Olivier Weber，高木信一, " <110>方向一軸ひずみSi MOSFETにおける伝導帯ワーピングの実験的検証", 7a-ZL-6, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一, "GeO2/Ge MIS界面における界面準位密度のエネルギー依存性に与える界面形成方法の影響", 7p-ZM-10, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一, "微小孔を介したSi基板上InGaAs成長におけるモフォロジー向上",  7p-E-13, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

出浦桃子，杉山正和，星井拓也，中根了昌，竹中充，菅原聡，高木信一，中野義昭, "Si 上III/V 族化合物半導体の選択MOVPE における初期核発生過程の観察と制御". 7p-E-14, 第 68 回秋季応用物理学会学術講演会 , 北海道工業大学,  2007年9月4-8日. 

高木信一, "非シリコン半導体とシリコンテクノロジー ~ Ge/III-V族半導体チャネル高性能CMOS技術 ~", 2007年国際固体素子･材料コンファレンス（SSDM）ショートコース「Emerging Silicon Technology」、つくば国際会議場, p. 55-82, 2007年9月18日.

高木信一, 竹中充,　杉山正和, "異種半導体材料とシリコンの融合で拓く先端デバイス ~ Si上のGe/III-VチャネルCMOSを核としたEverything On a Chip の夢",  「先端知機能材料デバイスラボ・フォーラム2007」, 武田ホール, 2007.11.16.

高木信一, “極限性能新構造トランジスタ基盤技術”, 2007年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会, つくば国際会議場, p. 23-33, 2007年12月28日

高木信一, "高移動度チャネルMOSトランジスタ技術の現状と将来（プレナリートーク）",「ゲートスタック研究会　-材料・プロセス・評価の物理-」（第13回研究会）, 東レ総合研修センター, p. 7-12, 2008 年1月14-15日.

杉山直治、手塚勉、入沢寿史、平下紀夫、守山佳彦、臼田宏治、高木信一, “グローバルひずみ基板を用いたひずみチャネルMOSFETの現状と課題”, 薄膜第131委員会・154合同研究会（第62回研究会）『極微細トランジスター薄膜・界面技術』, 2009年2月27日.

山本豊二、山下良美、原田正臣、池田圭司、鈴木邦広、杉山直治、田岡紀之、木曽修、高木信一, “Ge チャネルMOS トランジスタの課題とサブ100nm PMOS 動作実証”, 電気学会・電子デバイス研究会, テーマ「超高速デバイス・回路技術」, ＮＴＴ水上保養所「紫明荘」, 2007/3/6-7

S. Takagi, O. Weber and M. Takenaka, “Combination Effects of Uniaxial and Biaxial Stress on Mobility Enhancements in Strained Si and SiGe MOSFETs”, International Symposium on Secure-Life Electronics –Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, Tokyo, p. 457-462, 2008. 3. 6-7. 

M. Takenaka, T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi, “Micro Selective Area MOVPE growth of InGaAs on Si substrates for III-V-OI MOSFETs”, International Symposium on Secure-Life Electronics –Advanced Electronics for Quality Life and Society-“, Tokyo, p. 463-467, 2008. 3. 6-7. 

高木信一,  "Ge MOSFETの現状と課題", 28p-G-22, 招待講演, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

灰本隆志、竹中充、高木信一, "SiO2蒸着膜を用いたInP MIS界面特性", 30a-H-9, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

松原寛、笹田崇、竹中充、高木信一,  "熱酸化により作製されたGeO2/Ge MIS 構造における界面準位密度の酸化温度依存性", 29p-H-12, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

杉山正和，出浦桃子，星井拓也，山本剛久，幾原雄一，田尻寛男，木村滋，中根了昌, 竹中 充，菅原聡，高木信一，中野義昭, "微小領域選択MOVPE により作製したSi (111)面上InGaAsの構造解析", 28p-ZT-15, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

中川翔太，横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充，高木信一, "InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成", 29p-H-19, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

森井清仁、Sanjeewa Dissanayake、田辺聡、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一, "メタルソース・ドレインnチャネルGOI MOSFETのチャネル電子移動度測定", 29a-P11-15, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一, "高性能Ge nMOSFETに向けたMOVPEによる砒素気相ドーピング", 29a-P11-25, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

田辺聡、中北要佑、原田智之、S. Dissanayake、中根了昌、竹中充、菅原聡、高木信一, "GOI pMOSFETの正孔反転層におけるホール移動度の評価", 28p-ZR-9, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

星井拓也、出浦桃子、杉山正和、中根了昌、菅原聡、竹中充、中野義昭、高木信一, "微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAs ピラーの形成", 28p-ZT-17, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

笹田崇，松原寛, 竹中充，高木信一, "GeO2/Ge MIS 界面における界面準位密度の面方位依存性", 29p-H-13, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

中北要佑，中根了昌，竹中充，高木信一, "Ge酸化膜MOS界面を用いたGe p-MOSFETの作製", 29a-P11-24, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

出浦桃子，星井拓也，杉山正和，中根了昌，竹中充，菅原聡，高木信一，中野義昭, "微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の横方向成長に対するGa 組成の影響", 28p-ZT-16, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

杉山直治、沼田敏典、平下紀夫、入沢寿史、高木信一、“ひずみSi－MOSFETにおける閾値電圧ばらつきの素子サイズ依存性”, 27p-F-13, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

手塚勉, 豊田英二,入沢寿史, 中払周, 村山健, 平下紀夫, 守山佳彦, 杉山直治, 田岡紀之, 山下良美, 木曽修, 原田真臣, 山本豊二, 高木信一, “高温水素エッチングによるSOIおよびSGOI-Fin幅揺らぎの低減“, 27p-G-5, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

田岡紀之, 原田真臣, 山下良美, 山本豊二, 杉山直治, 高木信一、” Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響”, 29p-H-14, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

鈴木邦広、池田圭司、山下良美、高木信一、”拡張LSS理論に基づくイオン注入分布解析モデル”, 27a-G-4, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

鈴木邦広、池田圭司、山下良美、高木信一、”擬似結晶LSS理論に基づくイオン注入分布解析モデル”, 27a-G-5, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

山本豊二, 田岡紀之, 山下良美, 原田真臣, 池田圭司, 鈴木邦広, 杉山直治, 高木信一、”NiGeメタルSDを用いたGeチャネル微細pMOSFET”, 28p-G-7, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

平下紀夫, 守山佳彦, 中払 周, 入沢寿史, 杉山直治, 高木信一、”酸化濃縮過程での高Ge濃度SGOI基板の塑性変形　３.正孔の発生”, 27p-F-8, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

山下良美、原田真臣、山本豊二、中払周、池田圭司、平下紀夫、守山佳彦、”TaNゲート及びNiSiGeソースドレインSGOI-MISFETに於けるホール移動度のGe組成依存性”, 29a-P11-23, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.

原田真臣，田岡紀之，山本豊二，山下良美，木曽修，杉山直治，高木信一、”Ge pMOSFETの電気特性に与えるFNストレスの影響”, 29a-P11-26, 第55回春季応用物理学関係連合講演会, 日本大学理工学部船橋キャンパス , 2008年3月27-30日.