Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo
2025-2026年度
学術誌 (Journal)
C.-T. Chen, K. Toprasertpong, T. Irisawa, W. H. Chang, S. Migita, Y. Morita, H. Ota, and T. Maeda, “Excess oxygen modulation through channel thickness scaling and annealing ambient for AlOx-passivated ultrathin InOx FETs,” IEEE Journal of the Electron Devices Society (Accepted).
H. Matsukawa, M. Takenaka, S. Takagi, and K. Toprasertpong, “Dynamic dielectric-constant enhancement in Hf1-xZrxO2 high-k dielectrics revealed by fast C–V measurement,” Japanese Journal of Applied Physics 65, p. 100901, May 2026.
C. Chai, R. Tang, M. Okano, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “Time- and wavelength-multiplexed photonic matrix-matrix multiplication processor with on-chip wavelength (de)multiplexers,” Optics Express 34, p. 17539, May 2026.
C.-T. Chen, K. Toprasertpong, T. Irisawa, S. Nunomura, S. Migita, W. H. Chang, R. Nishino, Y. Morita, H. Ota, and T. Maeda, “Impact of excess oxygen on electrical characteristics and bias stability in PEALD ultrathin InOx FETs,” Japanese Journal of Applied Physics 65, p. 070802, Apr. 2026.
H. Sakumoto, T. Piyapatarakul, K. Toprasertpong, S. Takagi, and Mitsuru Takenaka, “Low-loss, low-power, MOSCAP optical phase shifter on InP membrane platform,” Optics Express 34, pp. 13142-13152, Apr. 2026.
国際会議 (International Conference)
K. Toprasertpong, Z. Liu, K. Ito, H. Matsukawa, K. Tahara, M. Takenaka, and S. Takagi, “Low-voltage ferroelectric memory enabled by ultra-thin Hf1-xZrxO2: scaling benefits and reliability trade-offs,” 84th Device Research Conference (DRC 2026), Ann Arbor, MI, USA, Jun. 21-24, 2026 (Invited talk).
Y. Morita, T. Kawanago, T. Kamioka, Y. Mitani, T. Nabatame, T. Onaya, N. Fukata, W. Jevasuwan, K. Tsukagoshi, T. Hoshii, K. Toprasertpong, A. Tamura, K. Kita, N. Okada, K. Manabe, W. Mizubayashi, H. Ota, T. Matsukawa, and S. Migita, “Ultra-scaling of high-k gate stacks (CET 0.9 nm) by a novel low thermal-budget (500 °C) oxygen-passivated interfacial layer (O-PAS IL),” 2026 Symposia on VLSI Technology and Circuits, T7.1, Honolulu, HI, USA, Jun. 14-18, 2026.
T. Kamioka, T. Nabatame, H. Matsukawa, T. Kawanago, Y. Morita, K. Toprasertpong, Y. Mitani, T. Onaya, N. Fukata, W. Jevasuwan, K. Tsukagoshi, T. Hoshii, A. Tamura, K. Kita, N. Okada, K. Manabe, W. Mizubayashi, H. Ota, T. Matsukawa, and S. Migita, “Mitigating intrinsic fixed-charge-induced Vfb fluctuation using a “neutral TiO2 dipole” layer,” 2026 Symposia on VLSI Technology and Circuits, T7.3, Honolulu, HI, USA, Jun. 14-18, 2026.
S. Takagi, K. Sumita, Z. Jin, Y. Chen, H. Oka, T. Mori, M. Takenaka, and K. Toprasertpong, “U Understanding of carrier transport properties in Si cryo CMOS Understanding of carrier transport properties in Si cryo CMOS,” Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2026, No. 1.1, Honolulu, HI, USA, Jun. 13-14, 2026 (Plenary talk).
Z. Liu, S. Takagi, M. Takenaka, and K. Toprasertpong, “Unveiling underlying mechanism of fatigue in HfO2-Based ferroelectric films: imprint as the origin of fatigue,” Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2026, No. 6.3, Honolulu, HI, USA, Jun. 13-14, 2026.
T. Liu, Z. Liu, K. Ito, Z. Jin, S. Takagi, M. Takenaka, and K. Toprasertpong, “Frequency-dependent field cycling for imprint recovery in ultra-thin Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric capacitors,” Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2026, No. 9.1, Honolulu, HI, USA, Jun. 13-14, 2026.
K. Toprasertpong, Z. Liu, K. Ito, H. Matsukawa, K. Tahara, M. Takenaka, and S. Takagi, “Thickness scaling of ferroelectric Hf1-xZrxO2: Opportunities for low-voltage memory and its challenges,” Global Conference of Innovation Materials 2026 (GCIM2026) & MRS-K, Jeju, Korea, May. 31-Jun. 4, 2026 (Invited talk).
T. Akazawa, X. Gao, H. Tang, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “Non-volatile operation of III–V/Si hybrid MOS optical phase shifter using BEOL compatible oxide semiconductor transistor,” Compound Semiconductor Week 2026 (CSW2026), ThD2-04, Alberta, Canada, May 26-30, 2026.
H. Sakumoto, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “Temperature stability of InP membrane MOSCAP optical phase shifter,” Compound Semiconductor Week 2026 (CSW2026), ThD2-03, Alberta, Canada, May 26-30, 2026.
K. Komatsu, T. Akazawa, S. Monfray, F. Boeuf, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “High-responsivity InGaAs MSM Photodetector with narrow-gap parallel-electrode configuration integrated on Si waveguide,” Compound Semiconductor Week 2026 (CSW2026), TuD4-05, Alberta, Canada, May 26-30, 2026.
H. Mori, K. Komatsu, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “Formation and optical characterization of Ni-InGaAsP alloy for plasmonic electro-absorption modulators,” Compound Semiconductor Week 2026 (CSW2026), TuP3D-11, Alberta, Canada, May 26-30, 2026.
C.-T. Chen, K. Ishiyama, K. Toprasertpong, T. Irisawa, W. H. Chang, R. Nishino, S. Migita, Y. Morita, H. Ota, and T. Maeda, “Thermal Stability enhancement in AlOx-passivated ultrathin InOx FETs by using PEALD-AlOx dielectric”, 2026 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA 2026), T3-2, Hsinchu, Taiwan, Apr. 13-17, 2026.
国内学会 (Japanese Domestic Conference)
高木信一,韓雪揚,靳釗,陳育同,姜旼秀,竹中充,トープラサートポン カシディット,「(100) Si MOSFETの反転層電子における表面ラフネス散乱移動度の温度依存性」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,16p-S2_203-4,東京,2026年3月15-18日.
Z. Liu, M. Takenaka, S. Takagi, and K. Toprasertpong, “Correlation of pinch loop, wake-up, and imprint in sub-5 nm HZO metal-ferroelectric-metal capacitor,” 『第73回応用物理学会春季学術講演会』,17a-M_278-11,東京,2026年3月15-18日.
鄭昇旼,中根了昌,高木信一,竹中充,トープラサートポン カシディット,「FeFETを用いた2入力リザバーコンピューティングの実証」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,16p-M_123-2,東京,2026年3月15-18日.
赤澤智熙,唐睿,湯涵智,岡野誠,松田信幸,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中,「III–V/Si ハイブリッド MOS 型光位相シフタを用いた低消費電力・高速光スイッチ」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,17p-WL2_401-14,東京,2026年3月15-18日.
小林研二, 宮武悠人,唐睿,牧野孝太郎,畑山祥吾,岡野誠,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中,「Ge2Sb2Te3S2 光強度変調器を用いた低クロストーク 1×2 シリコン MZI 光スイッチ」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,18a-WL2_401-5,東京,2026年3月15-18日.
宮武悠人,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中,「進化戦略を用いた小型・低損失・広帯域2×2シリコン光カプラの設計と実証」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,17p-WL2_401-1,東京,2026年3月15-18日(招待講演).
請関優,井上颯太,藤村紀文,永吉大毅,芳賀大樹,横松得滋,神田健介,前中一介,Kasidit Toprasertpong,高木信一,吉村武,「強誘電体ゲートトランジスタを用いた物理リザバーのデータ次元解析」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,16p-M_123-3,東京,2026年3月15-18日.
石山和樹,陳家驄, 入沢寿史,トープラサートポン カシディット,前田辰郎,「PEALD-AlOx 絶縁膜を用いた薄膜 InOx FETs における熱安定性の向上」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,17a-W9_324-3,東京,2026年3月15-18日.
森田行則,川那子高暢,神岡武文,三谷祐一郎 ,生田目俊秀,女屋崇,深田直樹,ジェバスワン ウイパコーン,塚越一仁,星井拓也,トープラサートポン カシディット,田村敦史,喜多浩之 ,岡田直也 ,間部謙三,水林亘,太田裕之,松川貴,右田真司,「極薄 CET(< 1 nm)High-k ゲートスタックのための酸素パッシベーション界面層(O-PAS IL)の形成」,『第73回応用物理学会春季学術講演会』,15a-W8E_101-6,東京,2026年3月15-18日.
C.-T. Chen, X. Han, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Hole mobility enhancement in pMOSFETs through high Ge content, asymmetric strain and (110)-oriented channels,” 『第73回応用物理学会春季学術講演会』,16a-S2_203-2,東京,2026年3月15-18日(招待講演).
C.-T. Chen, K. Toprasertpong, T. Irisawa, W.-H. Chang, S. Migita, Y. Morita, H. Ota, and T. Maeda, “Effectiveness of gate dielectric AlOx interlayer on electrical characteristics improvement in ultrathin InOx FETs,” 『第73回応用物理学会春季学術講演会』,17a-W9_324-2,東京,2026年3月15-18日.
C. Chai, R. Tang, M. Okano, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “A photonic tensor core based on hybrid wavelength– and time-division multiplexing with on-chip wavelength (de)multiplexers,”『第73回応用物理学会春季学術講演会』,17a-WL2_401-11,東京,2026年3月15-18日.
W. Dai, Z. Liu, H. Matsukawa, K. Toprasertpong, and M. Takenaka, “Pockels effect in Hf0.5Zr0.5O2 integrated silicon nitride waveguides,”『第73回応用物理学会春季学術講演会』,18a-WL2_401-8,東京,2026年3月15-18日.
Y. Wang, X. Gao, O. Makoto, K. Toprasertpong, S. Takagi, M. Takenaka, “Fabrication of ITO TFTs for driving thermo-optic phase shifters on Si photonics platform,” 『第73回応用物理学会春季学術講演会』,17p-WL2_401-13,東京,2026年3月15-18日.
竹中充,高城和馬,戴維,トープラサートポン カシディット,高木信一,「強誘電体酸化ハフニウムジルコニウムを用いた光位相変調器の展望」,『電子情報通信学会 2026年総合大会』,CI-1-02,福岡,2026年3月9-13日(招待講演).
唐睿,柴成立,大野修平,張超,宮武悠人,谷澤健,牧野孝太郎,富永淳二,宮田典幸,池田和浩,岡野誠,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中充「シリコンフォトニクスを用いた光AI演算回路」,『電子情報通信学会 2026年総合大会』,CI-4-0,福岡,2026年3月9-13日(招待講演).
赤澤智熙,唐睿,宮武悠人,岡野誠,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中充「PIN型導波路による位相誤差補正可能なプログラマブル光集積回路」,『電子情報通信学会 2026年総合大会』,C-3_C-4-54,福岡,2026年3月9-13日.
高木信一,韓雪揚,靳釗,陳育同,姜旼秀,竹中充,トープラサートポン カシディット,「MOSFET の電子輸送特性の理解:最適ナノシートチャネル構造と低温動作」,『電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会』,No. 6,東京,2026年1月28日(招待講演).
トープラサートポン カシディット,「HZO強誘電体メモリと新原理コンピューティングへの展開」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,9p-N101-7,名古屋,2025年9月7-10日(招待講演).
高木信一,トープラサートポン カシディット,「表面ポテンシャル揺らぎが高周波CV法による界面準位評価に与える影響」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,10a-N401-6,名古屋,2025年9月7-10日.
志村瞭太朗,名幸瑛心,松本光二,鈴木陽洋,山本博昭,松川和人,竹中充,高木信一,トープラサートポン カシディット,「Si(110)微傾斜基板上のHfO2/Si MOS界面特性の評価」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,10a-N401-7,名古屋,2025年9月7-10日.
松川浩之,竹中充,高木信一,トープラサートポン カシディット,「強誘電体HfxZr1-xO2におけるC-V特性の掃引速度依存性の観察」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,7p-N301-17,名古屋,2025年9月7-10日.
伊藤広恭,竹中充,高木信一,トープラサートポン カシディット,「極薄膜強誘電体Hf0.5Zr0.5O2におけるwake-up物理機構モデルのシミュレーション検証」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,7p-N301-9,名古屋,2025年9月7-10日.
Z. Liu, Z. Cai, M. Takenaka, S. Takagi, and K. Toprasertpong, “Imprint behaviors of Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric capacitors: charge/trap-site dynamics during write and wake-up cycles,”『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,7p-N301-13,名古屋,2025年9月7-10日.
X. Gao, Z. Cai, Z. Liu, Z. Jin, X. Han, Y.-K. Liang, Y. Chen, E. Nako, S.-Y. Min, M. Takenaka, S. Takagi, and K. Toprasertpong, “Investigation of degradation in FeFETs using quasi-static split C-V techniques: significant trap generation under cycling stress,”『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,7p-N301-12,名古屋,2025年9月7-10日.
M. Wan, E. Nako, S.-Y. Min, M. Takenaka, S. Takagi, and K. Toprasertpong, “Performance enhancement of FeFET-based reservoir computing using substrate bias,”『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,10a-N106-2,名古屋,2025年9月7-10日.
C.-T. Chen, K. Toprasertpong, T. Irisawa, W. H. Chang, S. Migita, Y. Morita, H. Ota, and T. Maeda, “Effectiveness of gate dielectric AlOx interlayer on electrical characteristics improvement in ultrathin InOx FETs,”『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,8a-N105-10,名古屋,2025年9月7-10日.
赤澤智熙,唐睿,宮武悠人,岡野誠,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中 充,「光パワーモニタ内蔵Si PIN 型位相シフタを用いた4×4 プログラマブル光回路における位相誤差補正の実証」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,9p-N202-9,名古屋,2025年9月7-10日.
作本宙彌,ピヤパッタラクン ティパット,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中 充,「III-V族半導体薄膜導波路を用いたMOSCAP型マイクロリング光変調器」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,9p-N202-1,名古屋,2025年9月7-10日(招待講演).
小松健太郎,赤澤智熈,モンフレ ステファン,ブフ フレデリック,トープラサートポン カシディット,竹中 充,「狭金属電極ギャップを有するInGaAs MSM型受光器のSi導波路への集積」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,9p-N202-5,名古屋,2025年9月7-10日
武田知大,田鍋衛,トープラサートポン カシディット,竹中 充,「硫化アンチモンを用いた行列演算用メタ導波路の設計」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,9a-N202-8,名古屋,2025年9月7-10日.
S. Fu, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Examination of selective quantum well intermixing on III-V on insulator wafer,”『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,8p-N202-10,名古屋,2025年9月7-10日.
J. Pan, H. Sakumoto, T. Akazawa, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “SiN-rib InP membrane waveguide with a low-loss taper structure,”『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,8p-N202-5,名古屋,2025年9月7-10日.
C. Zhang, R. Tang, M. Okano, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “High saturation current and high speed 4-port evanescently coupled waveguide Ge-on-Si photodetector,”『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,9p-N202-4,名古屋,2025年9月7-10日.
井上颯太,請関優,藤村紀文,トープラサートポン カシディット,高木信一,吉村武,「HfO2系強誘電体MFMキャパシタにおける分極特性制御が物理リザバー計算性能に及ぼす影響」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,7p-N301-10,名古屋,2025年9月7-10日.
関優,井上颯太,藤村紀文,横松得滋,神田健介,前中一介,トープラサートポン カシディット,高木信一,吉村武,「強誘電体ゲートFETにおける分極特性が物理リザバー計算性能に及ぼす影響」,『第86回応用物理学会秋季学術講演会』,7p-N301-11,名古屋,2025年9月7-10日.
伊藤広恭,竹中充,高木信一,トープラサートポン カシディット,「極薄膜強誘電HZOにおけるwake-up機構:酸素空孔消滅によるドメインde-pinningと最適wake-up周波数」,『応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 第260回研究集会-VLSIシンポジウム特集』,No. 5,東京,2025年8月28日(招待講演).
伊藤広恭,竹中充,高木信一,トープラサートポン カシディット,「極薄膜HZOにおけるwake-upダイナミクス:酸素を介したドメインde-pinningと最適周波数」,『電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会』,No. 4,北海道,2025年8月6-8日(招待講演).
トープラサートポン カシディット,閔信義,名幸瑛心,中根了昌,竹中充,高木信一,“Harnessing rich polarization dynamics in antiferroelectric Hf1-xZrxO2 for reservoir computing”,『第42回強誘電体会議』,13pm-15S,京都,2025年6月11-14日(招待講演).
井上颯太,請関優,トープラサートポン カシディット,高木信一,吉村 武,「Evaluation of analog memory characteristics using HfO2-based ferroelectric thin films」,『第42回強誘電体会議』,14am-05,京都,2025年6月11-14日.