Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo
2009年度
学術誌 (Journal)
S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka and S. Takagi
Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation
Jpn. J. Appl. Phys. vol. 48, no. 4, 04C093 (2009)
K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara and S. Takagi
Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
Jpn. J. Appl. Phys.,vol. 48, no. 4, 04C050 (2009)
K. Suzuki, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Harada, N. Taoka, O. Kiso, T. Yamamoto, N. Sugiyama, and S. Takagi, “Ion-Implanted Impurity Profiles in Ge Substrates and Amorphous Layer Thickness Formed by Ion Implantation”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 56, No. 4, April, pp. 627-633 (2009)
T. Tezuka, E. Toyoda, T. Irisawa, N. Hirashita, Y. Moriyama, N. Sugiyama, K. Usuda and S. Takagi, “Structural analyses of strained SiGe wires formed by hydrogen thermal etching and Ge-condensation processes”, Appl. Phys. Lett. vol. 94, 081910 (2009)
Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
Comprehensive Understanding of Coulomb Scattering Mobility in Biaxially-Strained Si MOSFETs
IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, no. 5, May, pp. 1152-1156 (2009)
S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda and M. Takenaka, “Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS (invited)”, ECS Trans. vol. 19, no. 5, pp. 9-20 (2009)
S. Takagi, N. Taoka and M. Takenaka, “Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures (invited)”, ECS Trans. vol. 19, no. 2, pp. 67-85 (2009)
N. Taoka, W. Mizubayashi, Y. Morita, S. Migita, H. Ota and S. Takagi, ”Impact of Minorty Carrier Response on Characterization of Ge MIS Interface Traps”, ECS Trans. vol. 19, no. 2, pp. 117-128 (2009)
T. Irisawa, K. Okano, T. Horiuchi, H. Itokawa, I. Mizushima, K. Usuda, T. Tezuka, N. Sugiyama and S. Takagi
Electron Mobility and Short Channel Device Characteristics of SOI FinFETs with Uniaxially Strained (110) Channels
IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, no. 8, August, pp. 1651-1658 (2009)
Y. Zhao, M. Takenaka and S. Takagi
On Surface Roughness Scattering-limited Mobilities of Electrons and Holes in Biaxially-tensile Strained Si MOSFETs
IEEE Electron Device Letters, Vol. 30, No. 9, pp. 987-989 (2009)
N. Taoka, T. Yamamoto, M. Harada, Y. Yamashita, N. Sugiyama and S. Takagi, Importance of Minority Carrier Response in Accurate Characterization of Ge Metal-Insulator-Semiconductor Interface Traps, J. Appl. Phys., vol. 106, Issue 4 (2009) 044506
T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka and S. Takagi
Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge metal-oxide–semiconductor Structures Fabricated by Thermal Oxidation
J. Appl. Phys., vol. 106 (2009) 073716
M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama, “In situ monitoring of the initial nucleation for the formation of uniform InGaAs micro-discs on Si”, ECS Trans. 25 (8), pp. 521-524 (2009)
Y. Moriyama, N. Hirashita, K. Usuda, S. Nakaharai, N. Sugiyama, E. Toyoda and S. Takagi, “Study of the surface cleaning of GOI and SGOI substrates for Ge epitaxial growth”, Appl. Surf. Sci., Vol. 256, Issue 3, 15 November, pp. 823-829 (2009)
M. Takenaka, M. Yokoyama, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
InGaAsP Photonic Wire Based Ultrasmall Arrayed Waveguide Grating Multiplexer on Si Wafer
Applied Physics Express, vol. 2 (2009) 122201, November 27
H. Ishii, N. Miyata, Y. Urabe, T. Itatani, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka and S. Takagi
High Electron Mobility Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors Fabricated on (111)-oriented InGaAs Channels
Appl. Phys. Express 2 (2009) 121101, November 27
M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
Thin Body III-V-Semiconductor-On-Insulator MOSFETs on Si Fabricated Using Direct Wafer Bonding
Appl. Phys. Express 2 (2009) 124501, December 11
T. Haimoto, T. Hoshii, S. Nakagawa, M. Takenaka and S. Takagi
Fabrication and characterization of MIS structures by direct nitridation of InP surfaces
Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 012107, 7 January
国際会議 (International Conference)
M. Takenaka, K. Takeda, T. Hoshii, T. Tanemura, M. Sugiyama, Y. Nakano, and S. Takagi
Source/drain formation by using epitaxial regrowth of n+InP for III-V nMOSFETs
21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Newport Beach, CA, USA, 10 - 14 May 2009, pp. 111-114
M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi and Y. Nakano
Uniform InGaAs Micro-Discs on Si by Micro-Channel Selective-Area MOVPE
21th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), Newport Beach, CA, USA, 10 - 14 May 2009, pp. 48-51
S. Takagi
III-V semiconductor channel MOS Device technologies on Si CMOS platform (invited)
35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Cirsuits in Europe (WOCSDICE), May 17-20, 2009, Malaga, Spain
S. Takagi, N. Taoka and M. Takenaka
Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures (invited)
10th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Alternate Emerging Dielectrics, 215 th Meeting of The Electrochemical Society, San Francisco, USA, May 24-29, 2009, ECS Trans. vol. 19, no. 2, pp. 67-85 (2009)
S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda and M. Takenaka
Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS (invited)
1st International Symposium on Graphene and Emerging Materials for Post-CMOS Applications, 215 th Meeting of The Electrochemical Society, San Francisco, USA, May 24-29, 2009, ECS Trans. vol. 19, no. 5, pp. 9-20 (2009)
M. Takenaka, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
Gas phase doping of arsenic into germanium by using MOVPE system for source/drain formation of high performance Ge nMOSFETs
submitted to Symposium I: Silicon and Germanium issues for future CMOS devices, E-MRS 2009, Strasbourg (France), June 8-12, 2009
M. Yokoyama, M. Takenaka, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
Demonstration of metal S/D III-V-OI MOSFETs on a Si substrate using direct wafer bonding
VLSI symposium (2009) pp. 242-243
Y. Zhao, H. Matsumoto, T. Sato, S. Koyama, M. Takenaka and S. Takagi
Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs by Novel Characterization Scheme of Si/SiO2 Interface Roughness
VLSI symposium (2009) pp. 18-19
S. H. Kim, S. Nakagawa, T. Haimoto, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
Metal Source/Drain Inversion-mode InP MOSFETs
67th Device Research Conference (DRC), (2009), pp. 115-116, June 22 – 24, The Pennsylvania State University, Pennsylvania, USA
M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, and M. Sugiyama
Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step micro-channel selective-area MOVPE
14th U.S. Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy, 2009.8.12
Y. Kondo, M. Deura, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano, M. Sugiyama
Initial growth of InAs on P-terminated Si(111) surface to promote uniform lateral growth of InGaAs micro-discs on patterned Si
14th U.S. Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy, 2009.8.12
S. Takagi
Ge/III-V Channel CMOS Technologies on Si platform (invited)
First Korea-Japan Nano Forum, NANO KOREA 2009, August 28th (Fri), 2009
S. Takagi
High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI’s (invited)
2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC), September 13-16 (2009), San Jose, California, pp. 153-160
S. Takagi
High Performance Ge MOS Device Technologies (invited)
1st International Workshop on Si based nano-electronics and –photonics (SiNEP-09), 20-23 September 2009, Vigo, Spain, pp. 19-20 (2009)
M. Deura, Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama
In situ monitoring of the initial nucleation for the formation of uniform InGaAs micro-discs on Si
CVD-XVII & EUROCVD-17, Vienna, October 4-9 (2009), ECS Trans. 25 (8), pp. 521- (2009)
S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi
High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
SSDM (2009), p.14-15
S. Takagi
New channel material MOSFETs on Si platform
G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World’s Leading Scientists, October 13-14, 2009, Tokyo Institute of Technology, Japan, p. 30-31 (2009)
T. Yasuda, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, M. Yokoyama, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
Relationship between Interface Structures and Electrical Properties in the High-k/III-V System (invited)
2009 Material Research Society Fall Meeting, Symposium A: High-k Dielectrics on Semiconductors with High Carrier Mobility
T. Yasuda, H. Ishii, Y. Urabe, T. Itatani, N. Miyata, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi
Susceptibility of InGaAs MISFETs to Thermal Processes in the Device Fabrication
SISC (2009) P14
T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of plasma nitridation of thermally-grown GeO2/Ge MIS structures on the GeO2 film and interface properties
SISC (2009) P30
T. Hoshii,, M. Yokoyama, H. Yamada, M. Hata, T. Yasuda, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of InGaAs Surface Nitridation on Interface Properties of InGaAs MOS Capacitors using Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering SiO2
SISC (2009) 5.3.
K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka and S. Takagi
High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping
IEDM (2009) p. 681-684
M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, Y. Urabe, H. Ishii, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka and S. Takagi
Novel Low Damage and Low Temperature Direct Wafer Bonding Processes Using Buried Oxide Protection Layers for Fabricating III-V-On-Insulator on Si Structures
2nd International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (2010) pp. 387 – 398
S. Takagi and M. Takenaka
High Mobility Ge CMOS Technologies (invited)
5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Jan. 29(Fri.)-30(Sat.), 2010, Tohoku University, Sendai, Japan, p. 79-80
M. Takenaka, M. Yokoyama, M. Sugiyama, Y. Nakano and S. Takagi
Ultrasmall Arrayed Waveguide Grating Multiplexer using InP-based Photonic Wire Waveguide on Si wafer for III-V CMOS photonics
2010 Optical Fiber Communication Conference (OFC), OThS5, San Diego, CA, USA, March 2010
国内学会 (Japanese Domestic Conference)
田岡紀之, 水林亘, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 高木信一, "GeMIS界面欠陥の電気的性質 （ハイライト講演）", シリコンテクノロジー分科会第113回研究集会, pp. 20-25, (電子情報通信学会シリコン材料・デバイス（SDM）研究会, ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術, SDM2009-30, 信学技報vol., No. , p. 21-26), 東京大学駒場リサーチキャンパス, 2009年6月19日.
高木信一, "CMOSプラットフォーム上のIII-V MOSトランジスタ技術", 電子材料シンポジウム (EMS28), ラフォーレ琵琶湖, 2009年7月8-10日.
M. Deura Y. Kondo, T. Hoshii, M. Takenaka, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama, "Improvement in uniformity of InGaAs micro-discs on Si using multi-step growth in micro-channel selective-area MOVPE", 電子材料シンポジウム (EMS28), ラフォーレ琵琶湖, 2009年7月8-10日.
Y. Terada, M. Deura, S. Takagi, Y. Nakano and M. Sugiyama, "Suppression of GaAs(001) surface oxidation by in situ H2S treatment and aluminum termination with MOVPE", 電子材料シンポジウム (EMS28), ラフォーレ琵琶湖, 2009年7月8-10日.
趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一, "高精度ＴＥＭと新しいデータ分析方法によるＭＯＳ界面ラフネス移動度の定量評価及び引張り歪からの影響", 第73回半導体・集積回路技術シンポジウム, 東京農工大学, 2009年7月9-10日.
横山正史、安田哲二、高木秀樹、山田永、福原昇、秦雅彦、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一, "基板貼り合わせを用いたSi基板上メタルS/D III-V-On-Insulator MOSFETの作製とその動作実証", 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第115回研究集会, 東京大学武田ホール, 2009年7月21日.
竹中充、横山正史、種村拓夫、杉山正和、中野義昭、高木信一, "III-V CMOS photonics実現に向けたInP系フォトニックワイヤーの作製",
2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
竹中充、横山正史、杉山正和、中野義昭、高木信一, "直接基板接合によるSi基板上III-V CMOSトランジスタ", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
安田哲二，高木秀樹 , 横山正史, 石井裕之, 卜部友二, 山田永, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "ALD Al2O3を埋め込み層としたIII-V-On-Insulator構造の形成とバックゲートMISFET特性", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
星井拓也、横山正史、山田永、秦雅彦、安田哲二、竹中充、高木信一, "界面窒化によるECRスパッタSiO2/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
中川翔太，横山正史, 山田永, 秦雅彦, 竹中充，高木信一, "InAlAs酸化界面制御層を用いたInP MOS界面特性の向上", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
金相賢，中川翔太，灰本隆志，中根了昌，竹中充，高木信一, "メタルソース•ドレインを用いたInP MOSFETの作製と電気特性", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
横山正史，安田哲二，山田永，福原昇，秦雅彦，杉山正和，中野義昭，竹中充，高木信一, "基板貼り合わせによるSi基板上メタルS/D III-V-OI n-MOSFETの移動度向上とp-MOSFET動作", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
安田哲二, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸 , 板谷太郎 , 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "InP/InGaAs埋め込みチャネルを持つMIS構造の界面特性", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
卜部友二, 宮田典幸, 安田哲二, 石井裕之, 板谷太郎, 山田永, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, "硫化アンモニウム溶液処理したⅢ-Ⅴ表面上のMIS界面評価", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
石井裕之, 卜部友二, 板谷太郎, 安田哲二, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一, "硫化アンモニウム溶液処理によるInGaAs n-MISFETの特性改善", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
寺田雄紀， 出浦桃子, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和, "MOVPE におけるin situ AlP パッシベーションによるGaAs 表面準位抑制", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
出浦桃子，近藤佳幸，竹中充，高木信一，中野義昭， 杉山正和, "微小領域選択MOVPE によるSi 上InGaAs 結晶最表部における双晶消滅層の形成と評価", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
近藤佳幸，出浦桃子，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, "微小領域選択MOVPE における表面P 終端Si からのInAs 均一核発生", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka and S. Takagi, "Electrical Properties of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique", 2009年秋季応用物理学会学術講演会, 富山大学, 2009年9月8-11日.
出浦桃子，近藤佳幸，星井拓也，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, "微小領域選択MOVPE におけるSi 上InGaAs の原子構造と光学特性解析", 化学工学会第41回秋季大会, 広島大学, 2009年9月16-18日.
近藤佳幸, 出浦 桃子, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和, "MOVPE 微小領域選択成長におけるSi 上InAs 核発生の成長条件依存性", 化学工学会第41回秋季大会, 広島大学, 2009年9月16-18日.
Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, H. Takagi, N. Miyata, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka, M. Yokoyama and S. Takagi, "Present Status of III-V MISFET Development at AIST", CINT Users Conference, Hilton Hotel, Santa Fe, NM, September 29-30, 2009.
高木信一, "Siプラットフォーム上のIII-VチャネルMOSFET技術", 日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会・ワイドギャップ半導体光デバイス第162委員会合同研究会「III-V MIS 界面評価とデバイスへの応用」, キャンパスイノベーションセンター東京, p. 36-43, 2009/10/26.
高木信一, "基板貼り合わせを用いたSi上III-V-On-Insulator MOS トランジスタ技術", EVGセミナー, The effects of TSV technology for future semiconductor devices〜半導体デバイスに与えるＴＳＶ技術の影響〜, 2009 年 12 月1 日.
竹中充, 森井清仁, 高木信一, "MOVPEを用いた気相ドーピングによる高品質Ge n+/p接合の形成およびGe nMOSFETへの応用", 電気学会 シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会・化合物半導体電子デバイス調査専門委員会合同委員会「高移動度化技術」, 早稲田大学研究開発センター120-5号館, 2010年3月5日.
高木信一, 趙毅, 竹中充, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山 晋, "Si MOS界面ラフネス散乱による移動度とひずみの効果", 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第121回研究集会,「半導体シリコン単結晶ウェーハを特徴づける評価技術」, 学習院大学南2号館200教室, p. 2-7, 2010年3月12日.
高木信一, "Siプラットフォーム上のIII-V/GeチャネルMOSトランジスタ技術", 19p-TK-3, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
朴敬花, 平川一彦, 高木信一, “Si MOSFET におけるゲート中の遠隔不純物散乱”, 18a-B-9, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
寺田雄紀, 霜垣幸浩, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和, "MOVPE in situ AlP パッシベーション層の膜厚最適化によるGaAs MOS の界面準位低減", 19a-TK-4, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
近藤佳幸，出浦桃子，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, "選択MOVPE によるSi 上InGaAs 成長の成長領域狭窄化による横方向成長促進", 19a-TW-8, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
卜部友二, 高木秀樹， 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一, "Si基板上に貼り合わせたInGaAsﾁｬﾈﾙを用いたMISFETの実現", 18a-B-10, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
石井裕之, 卜部友二, 板谷太郎, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充, 高木信一, "InGaAs(111)A面上への高品質MIS界面形成と高電子移動度の実現", 20a-P16-12, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
星井拓也、横山正史、山田永、秦雅彦、安田哲二、竹中充、高木信一, "ECRプラズマ界面窒化によるALD-Al2O3/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上", 20a-P16-11, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
趙毅, 松本弘昭, 佐藤岳志, 小山晋, 竹中充, 高木信一, "高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価", 18a-B-3, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
趙毅, 竹中充, 高木信一, "二軸引張りひずみSi MOS電子・正孔反転層における界面電荷・基板不純物によるクーロン散乱に与える影響の統一的な物理機構", 18a-B-4, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
竹中充, 横山正史, 杉山正和, 中野義昭, 高木信一, "III-V CMOS photonics技術を用いた超小型InP系AWGの作製", 17a-N-8, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木 信一, "気相拡散によるソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET", 18p-B-6, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
横山正史, 山田永, 安田哲二, 高木秀樹, 卜部友二, 石井裕之, 宮田典幸, 福原昇, 秦雅彦, 杉山正和, 中野義昭, 竹中充, 高木信一, "極薄膜III-V-OI MOSFETにおける電子移動度の向上", 18a-B-11, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
富山健太郎, Dissanayake Sanjeewa, 竹中充, 高木信一, "酸化濃縮法により生成したSGOI中の圧縮ひずみと酸化前基板構造の関係", 17p-TJ-11, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
出浦桃子, 近藤佳幸, 竹中充, 高木信一, 中野義昭, 杉山正和, "微小領域選択MOVPE を用いたSi 上InGaAs 多段階成長の時間発展", 19a-TW-9, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
田岡紀之, 水林亘, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 高木信一, “伝導帯端近傍のGe MIS界面特性への熱処理温度の影響”, 18p-P9-3, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
中林幸雄, 石原貴光, 沼田敏典, 内田建, 高木信一, “Si n-MOS反転層クーロン散乱移動度への有効質量面内/垂直成分の影響”, 18a-B-7, 2010年春季応用物理学会関係連合講演会, 東海大学湘南キャンパス, 2010年3月17-20日.
森井清仁, 岩崎敬志, 中根了昌, 竹中充, 高木信一, "気相拡散により形成したソース・ドレイン接合を用いた高性能GeO2/Ge nMOSFET", 電気学会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」調査専門委員会, 東工大大岡山キャンパス, 2010年3月26日.