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高木信一,　水野智久,　手塚勉,　杉山直治,　沼田敏典,　臼田宏治,　中払周,　守山佳彦,　古賀淳二,　田邊顕人,　平下紀夫,　入沢寿史,　前田辰郎、ひずみSOI CMOS技術、電気学会シンポジウム「超高速SiGeデバイス材料技術の最新動向」、東京農工大学工学部, p. 64-68、2004. 06. 26.

高木信一、ひずみSOIチャネル、更にGeチャネルへ、2004年度半導体MIRAIプロジェクト成果報告会、p. 95-102, 2004. 7 

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高木信一、MOSFETのチャネルエンジニアリングの現状と将来（電子情報技術産業協会、電子材料・デバイス技術委員会、極限CMOSデバイス技術専門委員会平成16年度第1回委員会（電子協314会議）、2004. 7. 16.

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手塚勉、中払周、守山佳彦、杉山直治、高木信一、局所酸化濃縮により作製されたSiGe-on-Insulator pMOSFETにおける高移動度の実証, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第64回研究集会, ULSIデバイス研究委員会「最先端CMOS技術（VLSIシンポジウム特集）」、No. 64, p. 47-50、2004年7月23日.

水野 智久、杉山 直治、手塚 勉、守山 佳彦、中払 周、前田 辰郎、高木 信一、ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入、電子情報通信学会集積回路研究専門委員会（ICD）・シリコン材料デバイス研究専門委員会（SDM）合同研究会（特集テーマ「VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低電力)」）、北見工大、2004. 8. 19-20.

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手塚勉、中払周、守山佳彦、杉山直治、高木信一, 局所酸化濃縮により作製されたSiGe-on-Insulator pMOSFETにおける高移動度の実証, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

池田 圭司, 前田 辰郎, 高木 信一, Pt / Ge (100) ショットキー障壁高さの評価, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

杉山直治、平下紀夫、水野智久、守山佳彦、高木信一, (110)面上Siエピタキシーの成長律速過程の解析, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

平下紀夫,　豊田英二,　宮村佳児, 手塚 勉, 杉山直治, 臼田宏治, 入沢寿史, 沼田敏則, 田邊彰人, 守山佳彦, 中払 周, 高木信一, 酸化濃縮法によるひずみSOIウェハーの作製, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

田岡紀之, 望月省吾, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明, 安田幸夫, 手塚勉, 杉山直治, 高木信一, 90°転位導入によるSOI 基板上歪緩和SiGe バッファ層の形成と転位構造解析, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

水野智久，杉山直治,　手塚勉，守山佳彦，中払周，前田辰郎，高木信一, ソース・ヘテロ構造を用いた超高速MOSFET, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

中林幸雄, 古賀淳二, 石原貴光, 高木信一, Si MOS反転層におけるクーロン散乱移動度の散乱源による分離と温度依存性, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

船尾大輔, 朴　敬花, 平川一彦, 高木信一, p型ひずみSi-MOSFET中のキャリア伝導, 第 65 回秋季応用物理学会学術講演会 , 東北学院大学（泉キャンパス）, 2004年9月1-4日.

高木信一、ひずみの利用による高性能CMOSの実現、半導体界面制御技術第154委員会第47回研究会「歪により新機能を創る」、アジュール竹芝、p. 1-8, 2004. 10. 25.

高木信一、”ひずみSOI/SGOI技術の最近の動向と課題”、半導体MIRAIプロジェクト「ひずみSOI技術およびひずみ計測技術ワークショップ」、弘済会館（東京、四ッ谷）, p. 1-12, 2004年11月12日.

高木信一、新構造ナノCMOS技術 -MOSチャネルエンジニアリングの現状と将来-、ナノテクノロジービジネス推進協議会(NBCI) 第6回エレクトロニクス分科会、みずほ情報総研安田シーケンスタワー5Fプレゼンルーム, 2005年1月14日.

沼田敏典, 入沢寿史, 手塚勉, 古賀淳二, 平下紀夫, 臼田宏治,豊田英二,宮村佳児, 田邊顕人, 杉山直治,　高木信一、[招待論文]高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第67回研究集会, ULSIデバイス研究委員会「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」/電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会1月研究会、No. 67, 信学技報SDM2004-210 (2005-1) p. 5-8, 2005年1月21日.

沼田敏典, 入沢寿史, 手塚勉, 古賀淳二, 平下紀夫, 臼田宏治, 豊田英二, 宮村佳児, 田邊顕人, 杉山直治, 高木信一, 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET, 電気学会 電子デバイス研究会, (NTT水上「紫明荘」）EDD-05-42, p. 29-33 , 2005年3月10-11日.

臼田宏治, 沼田敏典, 入沢寿史, 平下紀夫, 高木信一, NBDによる微細ひずみSi-MOSFETチャネルの直接ひずみ評価, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-20, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

平下紀夫, 豊田英二, 宮村佳児, 杉山直治, 高木信一, SGOI基板上のひずみSiのひずみ緩和, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日. 

水野智久，杉山直治,　手塚勉，守山佳彦，中払周，前田辰郎，高木信一、バックゲート電圧による歪SOI素子特性の変調効果, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-22, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

田邊　顕人，沼田　敏典，水野　智久，前田　辰郎，高木　信一, ひずみSOI MOSFETの低周波ノイズに与えるGe拡散の影響, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-21, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

沼田 敏典、入沢 寿史、手塚 勉、古賀 淳二、平下 紀夫、臼田 宏治、豊田 英二、宮村 佳児、田邊 顕人、杉山 直治、高木 信一、酸化濃縮法SGOI基板を用いた微細ひずみSOI-MOSFET, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-19, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

中林 幸雄, 古賀 淳二, 石原 貴光,  高柳 万里子, 高木 信一, Si MOS反転層におけるクーロン散乱移動度への高チャネル濃度化の影響, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-24, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

土屋 英昭, 高木 信一, 三好 旦六, “擬似バリスティック輸送下におけるMOSFETの電流駆動力 ― 電子電子散乱の影響 ―” , 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-28, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

武田 浩司, 熊谷 寛, 西川 昌志, 菅原 聡, 高木 信一, “ひずみSi p-MOSFETにおける反転層正孔移動度のユニバーサリティ”, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-26, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

高木 信一,　熊谷 寛,　西川 昌志,　武田 浩司,　菅原 聡, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, “Ge系MOSトランジスタへの期待”, 招待講演, 30p-S-2, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

朴 敬花、船尾 大輔、平川 一彦、高木 信一, “低温領域におけるSi-MOSFET中の電子移動度の強い温度依存性” , 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-25, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

舩尾 大輔， 朴 敬花，平川 一彦， 高木信一, “p型ひずみSi-MOSFET中の正孔分布と移動度　－　移動度向上機構の考察” , 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 31a-P5-18, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.

熊谷 寛, 西川 昌志, 武田 浩司, 菅原 聡, 高木 信一, “SiN/Ge MIS キャパシタのCV特性に与える基板タイプの影響”, 第 52 回春季応用物理学関係連合講演会, 1a-P6-28, 埼玉大学,  2005年3月29日-4月1日.