Takagi-Toprasertpong Laboratory
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo
2006年度
Takagi lab(高木研究室) Apr 2006 - Mar 2007
学術誌 (Journal)
K. Ikeda, Y. Yamashita, N. Sugiyama, N. Taoka and S. Takagi, “Modulation of NiGe/Ge Schottky barrier height by sulfur segregation during Ni germanidation”, Appl. Phys. Lett. 88, 10 April (2006) 152115
T. Ishihara, K. Uchida, J. Koga and S. Takagi, “Unified Roughness Scattering Model Incorporating Scattering Component Induced by Thickness Fluctuations in Silicon-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 45, No. 4B (2006) pp. 3125-3132
T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, N. Sugiyama, N. Hirashita, E. Toyoda, Y. Miyamura and S. Takagi, “Lattice relaxation and dislocation generation/annihilation in SiGe-on-insulator layers during Ge condensation process”, Thin Solid Films, Volume 508, Issues 1-2, 5 June (2006) pp. 251-255
N. Hirashita, N. Sugiyama, E. Toyoda and S. Takagi, “Strain relaxation processes in strained-Si layer on SiGe-on-insulator substrates”, Thin Solid Films, Volume 508, Issues 1-2, 5 June (2006) pp. 112-116
K. Ikeda, T. Maeda and S. Takagi, ”Characterization of platinum germanide/Ge(100) Schottky barrier height for Ge channel Metal Source/Drain MOSFET”, Thin Solid Films, Volume 508, Issues 1-2, 5 June (2006) pp. 359-362
T. Maeda, K. Ikeda, S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Sugiyama, Y. Moriyama and S. Takagi, “Thin-body Ge-on-insulator p-channel MOSFETs with Pt germanide metal source/drain”, Thin Solid Films, Volume 508, Issues 1-2, 5 June (2006) pp. 346-350
T. Numata, T. Irisawa, T. Tezuka, J. Koga, N. Hirashita, K. Usuda, E. Toyoda, Y. Miyamura, A. Tanabe, N. Sugiyama and S. Takagi, “Performance Enhancement of Partially and Fully Depleted Strained-SOI MOSFETs”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 53, No. 5, May (2006) p. 1030-1038
T. Maeda, T. Yasuda, M. Nishizawa, N. Miyata and S. Takagi, “Pure Geranium Nitride Formation by Atomic Nitrogen Radicals for Application to Ge MIS Structures”, J. Appl. Phys., vol. 100 (2006) 014101
N. Hirashita, Y. Moriyama, N. Sugiyama, E. Toyoda and S. Takagi, “Misfit strain relaxation in strained Si layers on silicon-germanium-on-insulator substrates”, Appl. Phys. Lett. Vol. 89, 28 August (2006) 091916
T. Maeda, S. Takagi, T. Ohnishi and M. Lippmaa, “Sulfur passivation of Ge (001) surfaces and its effects on Schottky barrier contact”, Materials Science in Semiconductor Processing”, Vol. 9, Issues 4-5 (August-October), (2006) pp. 706–710
N. Sugiyama, T. Tezuka, T. Irisawa, K. Usuda, Y. Moriyama, S. Nakaharai, N. Hirashita, T. Mizuno and S. Takagi, “Recent progress in Ge condensation technology for advanced strained channel FET (invited)”, ECS Trans. Vol. 3, Issue. 7 (2006) 1015-1022
Y. Moriyama, N. Hirashita, E. Toyoda, K. Usuda, S. Nakaharai, N. Sugiyama and S. Takagi, “Examination of the surface cleaning of GOI and SGOI substrates for Ge epitaxial growth”, ECS Trans. Vol. 3, Issue. 7 (2006) 1183-1190
T. Maeda, Y. Morita, M. Nishizawa and S. Takagi, “Effect of plasma oxidation and nitridation for interfacial layer formation in HfO2/Ge-MIS Structures”, ECS Trans. Vol. 3, Issue. 7 (2006) 551-558
S. Takagi, N. Taoka, S. Nakaharai, K. Ikeda, T. Tezuka, Y. Yamashita, Y. Moriyama, T. Maeda and N. Sugiyama, “Prospects and Critical Issues on Ge MOS Technologies (invited)”, ECS Trans. Vol. 3, Issue. 7 (2006) 823-829
T. Irisawa, T. Numata, T. Tezuka, K. Usuda, N. Hirashita, N. Sugiyama, E. Toyoda and S. Takagi, “High Performance Uniaxially Strained SGOI pMOSFETs Fabricated by Lateral-Strain-Relaxation Technique”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 53, no. 11 (2006) pp. 2809-2815
S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Maeda, T. Numata, K. Ikeda and N. Sugiyama, “Hole Mobility Enhancement of p-MOSFETs Using Global and Local Ge Channel Technologies”, Materials Science and Engineering: B, Volume 135, Issue 3, 15 December (2006) pp. 250-255
N. Hirashita, Y. Moriyama, N. Sugiyama, E. Toyoda and S. Takagi, “Strain relaxation in strained-Si layer on SiGe-on-insulator substrates”, Semicond. Sci. Technol. Vol. 22, Num. 1, Jan. (2007) S21–S25
N. Sugiyama, S. Nakaharai, N. Hirashita, T. Tezuka, Y. Moriyama, K. Usuda and S. Takagi, “The Formation of SGOI structures with low dislocation density by two-step oxidation and condensation method”, Semicond. Sci. Technol. Vol. 22, Num. 1, Jan. (2007) S59-S62
T. Tezuka, S. Nakaharai, Y. Moriyama, N. Hirashita, E. Toyoda, T. Numata, T. Irisawa, K. Usuda, N. Sugiyama, T. Mizuno and S. Takagi, “Strained-SOI/SGOI dual dual-channel CMOS technology based on Ge condensation technique”, Semicond. Sci. Technol. Vol. 22, Num. 1, Jan. (2007) S93-S98
S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Hirashita, E. Toyoda, Y. Moriyama, N. Sugiyama and S. Takagi, “The Generation of Crystal Defects in Ge-on-Insulator (GOI) Layers in Ge-condensation Process”, Semicond. Sci. Technol. Vol. 22, Num. 1, Jan. (2007) S103-S106
N. Taoka, K. Ikeda, Y. Yamashita, N. Sugiyama and S. Takagi, “Effects of Ambient Conditions in Thermal Treatment for Ge(001) Surfaces on Ge-MIS Interface Properties“, Semicond. Sci. Technol. Vol. 22, Num. 1, Jan. (2007) S114-S117
K. Usuda, T. Irisawa, T. Numata, N. Hirashita and S. Takagi, “Characterization of in-plane strain relaxation in strained layers using a newly developed plane-NBD method”, Semicond. Sci. Technol. Vol. 22, Num. 1, Jan. (2007) S227-S230
T. Maeda, M. Nishizawa, Y. Morita and S. Takagi, ” Role of germanium nitride interfacial layers in HfO2/germanium-nitride/germanium metal-insulator-semiconductor structures”, Appl. Phys. Lett. 90, (2007) 072911
24. S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, T. Numata, K. Usuda, N. Sugiyama, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, “Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels”, Solid-State Electronics, vol. 51 (2007.02.017) (2007) 526–536
K. Suzuki, K. Ikeda, Y. Yamashita and S. Takagi, “Ion Implanted B Concentration Profiles in Ge”, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 3A, March 8, (2007) pp. 926-931
国際会議 (International Conference)
T. Hoshii, S. Sugahara and S. Takagi
Effect of Tensile Strain on Gate and Substrate Currents of strained-Si n-MOSFETs
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 164-165H. Kumagai, M. Shichijo, H. Ishikawa, T. Hoshii, S. Sugahara, Y. Uchida and S. Takagi
Fabrication of SiO2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 398-399T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara and S. Takagi
Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1050-1051S. Takagi and S. Sugahara
Comparative Study on Influence of Subband Structures on Electrical Characteristics of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MISFETs
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1056-1057M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara and S. Takagi
Fabrication of III-V-O-I (III-V on Insulator) structures on Si using micro-channel epitaxy with a two-step growth technique
Ext. Abs. SSDM (2006) p. 1088-1089S. Takagi
High Performance CMOS Device Technologies in Nano CMOS Era (invited)
IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2006. 10. 22-25, Gyeongju, Korea, p. 86-87
国内学会 (Japanese Domestic Conference)
高木信一, “(基調講演)最先端LSIのための高性能・新構造CMOSデバイス技術“, 「アジレント・メジャメント・フォーラム2006」Wireless / Component /Semiconductor Test Day, 東京コンファレンスセンター・品川, 2006年6月8日.
鈴木邦広, 池田圭司, 山下良美, 高木信一, “Ge基板中へのBイオン注入分布”, 第 67 回秋季応用物理学会学術講演会 , 立命館大学びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日.
田岡紀之, 池田圭司, 山下良美, 原田真臣, 山本豊二, 杉山直治, 高木信一, “コンダクタンス法によるGe-MIS界面準位の応答特性評価”, 第 67 回秋季応用物理学会学術講演会 , 立命館大学びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日.
前田辰郎, 高木信一, 大西剛, Mikk Lippmaa, “硫黄によるゲルマニウム表面の原子層パッシベーション”, 第 67 回秋季応用物理学会学術講演会 , 立命館大学びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日.
臼田宏治, 入沢寿史, 沼田敏典, 平下紀夫, 高木信一, “平面NBD法による圧縮ひずみSGOI層のメサ形成後の面内ひずみ評価”, 第 67 回秋季応用物理学会学術講演会 , 立命館大学びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日.
手塚勉, 中払周, 守山佳彦, 平下紀夫, 杉山直治, 田邊顕人, 臼田宏治, 高木信一, ”ひずみSGOI-pMOSFETにおける高温下での正孔移動度増大”, 第 67 回秋季応用物理学会学術講演会 , 立命館大学びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日.
Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一,”Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structures”, 31p-ZG-15, 第 67 回秋季応用物理学会学術講演会 , 立命館大学びわこ・くさつキャンパス, 2006年8月29日-9月1日.
高木信一, “MOS反転層の物性とキャリア輸送現象の基礎“, 2006年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM)ショートコース「ますます重要となるMOSFETの物理を理解する」、パシフィコ横浜, p. 3-38, 2006年9月12日.
高木信一, “高性能LSIのための新構造CMOSデバイス技術“, ISTF(Industry Strategy and Technology Forum)2006, ウェ-ハプロセスセッション「ナノ時代のデバイス技術」、パシフィコ横浜, 2006年10月11日.
高木信一, “極限性能新構造トランジスタ基盤技術”, 2006年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会, つくば国際会議場, p. 29-36, 2006年12月22日.
高木信一, “ナノCMOS 時代のデバイス高性能化技術(High Performance Device Technologies in Nano CMOS Era)”, 東京大学 21世紀COEプログラム「未来社会を担うエレクトロニクスの展開」最終シンポジウム「豊かな社会を築くセキュアライフ ・エレクトロニクス」、東京大学本郷キャンパス・工学部2号館1階213大講堂, p. 153-158, 2007年1月15-16日.
田岡紀之, 池田圭司, 山下良美, 原田真臣, 山本豊二, 杉山直治, 高木信一, “コンダクタンス法によるGe-MIS界面欠陥の特性評価”, ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―(第12回研究会), 東レ総合研修センター, 2007年2月3-4日.
前田辰郎, 森田行則, 西澤正泰, 高木信一, “Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge-MIS構造の特性”, ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―(第12回研究会), 東レ総合研修センター, 2007年2月3-4日.
高木信一, “高性能LSIのための新構造・新材料CMOS技術”, 電子情報通信学会大会チュートリアル講演CT-1 「CMOSを越える革新デバイスの現状と展望」, 名城大学天白キャンパス(名古屋市), 2007年3月20-23日.
土屋英昭, 高木信一, 三好旦六, “準バリスティックMOSFET における弾性散乱および非弾性散乱の役割”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
手塚勉, 平下紀夫, 守山佳彦, 中払周, 杉山直治, 高木信一, “ひずみSOI基板上のSiGeの酸化濃縮によるひずみSiGe-on-insulator層の形成”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
水野智久, 入沢寿史、守山佳彦、平下紀夫、沼田敏則、手塚勉、杉山直治、高木信一, “(110)面上の非等方ひずみSi p-MOSトランジスタ技術―概念とドレイン電流向上特性―”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
入沢寿史, 手塚勉, 杉山直治, 高木信一, “一軸性ひずみSOIを用いたTri-Gate nMOSFETの高性能化”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
中払周, 手塚勉, 平下紀夫, 豊田英二, 守山佳彦, 杉山直治, 高木信一, ”酸化濃縮法によるGe-on-Insulator(GOI) の高純度化条件”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
杉山直治, 沼田敏典, 平下紀夫, 入沢寿史, 高木信一, “ひずみSi-MOSFETにおけるミスフィット転位に起因したリーク特性の改善”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
守山佳彦, 平下紀夫, 杉山直治, 高木信一, “非対称反射XRDによるSGOI(110)基板の非等方緩和率評価”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
山下良美, 田岡紀之, 原田真臣, 山本豊二, 杉山直治, 高木信一, ”ホットワイヤーCVD SiN を用いた Ge-MIS 構造の特性”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
平下紀夫, 手塚勉, 杉山直治, 高木信一, “二段階酸化濃縮法による低貫通転位密度SGOI基板の作製2.貫通転位低減機構”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
前田辰郎, 森田行則, 西澤正泰, 高木信一, “Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge-MIS構造の特性”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
松原寛, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一, “低温コンダクタンス法によるSiO2/Ge MIS界面準位の特性評価”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
熊谷寛, 七条真人, 松原寛, 菅原聡, 高木信一, Ge上極薄Siのプラズマ酸化によるSiO2/Ge MISキャパシタの電気特性”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
S. Dissanayake, H. Kumagai, Y. Shuto, S. Sugahara and S. Takagi, “(110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
田辺聡, 上原貴志, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一, ”GOI (Ge-On-Insulater) MOSチャネル中の正孔の速度-電界特性”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
星井拓也, 出浦桃子, 七条真人, 杉山正和, 菅原聡, 中野義昭, 高木信一, “Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
西川昌志, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一, “オゾン酸化及び熱酸化により作製されたGe MOS構造の電気特性”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
高木信一, 杉山正和, 菅原聡, “III-V族化合物半導体n-MOSFETとSi・Ge n-MOSFETの電流駆動力の比較“, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
上原貴志, 田辺聡, 松原寛, 中根了昌, 菅原聡, 高木信一, “原子状水素アニールによるSi/Ge/SOI構造メタルS/D pMOSFETの特性改善”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
出浦桃子, 杉山正和, 星井拓也, 菅原聡, 高木信一, 中野義昭, “Si上高品質III/V 族化合物半導体薄膜形成に向けたMOVPE バッファ層の初期成長過程観察”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
朴敬花, 平川一彦, 高木信一, “Si-MOSFET2次元電子系のエネルギー緩和 (II)-散乱プロセスとスクリーニング効果”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.
山本豊二, 原田真臣, 田岡紀之, 山下良美, 杉山直治, 高木信一, “バンド間トンネルを考慮した短チャネルダブルゲートGe-MISFET の性能予測”, 第54回春季応用物理学関係連合講演会, 青山学院大学相模原キャンパス, 2007年3月27-30日.