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Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo
What's new!
2025/03/31 高木信一教授 が ご退官をされました。
2025/03/14 トープラサートポン准教授、田原健人、竹中教授、高木教授 が 第16回 シリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞しました。
2024/02/21 大友将樹、趙 成謹 が 第23回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award を受賞しました。
2024/09/01 閔 信義がSSDM Best Student Award (BSA) を受賞しました。
2024/02/16 蔡 作成 が 第22回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award を受賞しました。
2024/02/05 隅田 圭が第1回 応用物理学会半導体分野将来基金表彰・シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞a）を受賞しました。
2023/09/5 陳 家驄 が SSDM Best Student Award (BSA) を受賞しました。
2023/06/01 トープラサートポン カシディットが准教授に就任しました 。
2023/03/23 隅田 圭 が 令和4年度工学系研究科長賞（研究）と優秀博士論文賞をダブル受賞しました。
2023/03/16 隅田 圭、陳 家驄、トープラサートポン講師、竹中教授、高木教授 が 第14回 シリコンテクノロジー分科会論文賞を受賞しました。
2023/02/16 名幸 瑛心 が 第21回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award を受賞しました。
2022/09/20 名幸 瑛心 が 第52回応用物理学会講演奨励賞 を受賞しました。
2022/06/13 「強誘電体トランジスタを用いた人工知能計算の新方式を開発 ～高い精度での音声認識を実現～」についての研究成果をプレスリリースしました。日本経済新聞（日本語）とTechXplore（英語）にも掲載されました。
2022/04より前はこちら
Si LSIはこれまで過去40年以上に渡り、集積度が18ヶ月で2倍になるというMooreの法則に従ってチップあたりのトランジスタ数を増大させながら性能の向上を図ってきました。しかし、トランジスタのゲート長は20 nm以下になっており、半導体微細化は物理的限界に近づきつつあります。今後10-20年以内に半導体微細化が完全に終焉を迎え、LSIの性能向上が停滞してしまうと危惧されています。
一方、Internet of Things（IoT）の進展と人工知能（AI）の台頭により、更なるコンピューティング能力の向上が必要とされています。このため、半導体微細化に依らずにLSIの性能向上を可能とする次世代コンピューティングに関する研究が世界中で活発化しています。当研究室では、AI・IoT時代を支える次世代半導体デバイスの研究を進めています。Si CMOSをベースとした技術開発およびSiプラットフォーム上に酸化物半導体、強誘電体材料を集積したトランジスタの研究をしています。
主な研究テーマ
HfO2系強誘電体ゲート絶縁膜トランジスタと強誘電体メモリ
強誘電体デバイスを用いたリザバーコンピューティング
三次元モノリシック集積に向けた酸化物半導体トランジスタ
量子コンピュータのためのSi CMOSの極低温での動作特性の理解
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